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分立半导体
数据表
halfpage
M3D302
PBSS5140D
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
产品speci fi cation
2001年11月15日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特点
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流能力
由于减少热量提高设备的可靠性
一代。
应用
通用开关和静音
LCD背光
供电线路开关电路
电池驱动设备（手机，视频
相机和手持设备） 。
描述
PNP低V
CESAT
晶体管的SC- 74 （ SOT457 ）塑料
封装。
记号
类型编号
PBSS5140D
标识代码
51
1
顶视图
PBSS5140D
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
集热器
集热器
BASE
北卡罗来纳州
集热器
辐射源
描述
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
导通电阻的等效
MAX 。 UNIT
40
1
2
<500
V
A
A
m
手册， halfpage
6
5
4
1, 2, 5
3
6
2
3
MAM458
Fig.1
简化外形（ SC- 74 ; SOT457 ）和
符号。
极限值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
2001年11月15日
2
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
40
40
5
1
2
1
460
+150
150
+150
V
V
V
A
A
A
mW
°C
°C
°C
单位
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气中;注1
价值
272
PBSS5140D
单位
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
=
40
V ;我
C
= 0
V
CB
=
40
V ;我
C
= 0; T
j
= 150
°C
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V
I
C
=
1
mA
I
C
=
100
mA
I
C
=
500
mA
I
C
=
1
A
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
=
100
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
1
A;我
B
=
100
mA
R
CESAT
V
BESAT
V
BEON
f
T
C
c
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
导通电阻的等效
基射极饱和电压
基极 - 发射极导通电压
跃迁频率
集电极电容
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
I
C
=
1
A;我
B
=
50
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V;
F = 100 MHz的
V
CB
=
10
V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
300
300
250
160
150
300
800
200
250
500
<500
1.1
1
12
mV
mV
mV
m
V
V
兆赫
pF
分钟。
典型值。
马克斯。
100
50
100
100
单位
nA
A
nA
nA
2001年11月15日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
PBSS5140D
手册， halfpage
1200
MHC088
的hFE
1000
(1)
手册， halfpage
10
MHC089
VBE
(V)
800
600
(2)
1
(1)
(2)
400
(3)
(3)
200
10
1
10
1
0
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.2
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.3
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
3
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
2
MHC090
10
2
手册， halfpage
RCEsat
()
MHC091
10
(1)
10
(2)
(3)
1
(1)
(2)
(3)
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
10
4
10
1
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
等效导通电阻的函数
集电极电流;典型值。
2001年11月15日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
PBSS5140D
手册， halfpage
300
MHC092
fT
（兆赫）
250
200
150
100
50
0
0
200
400
600
800
1000
IC （MA ）
V
CE
= 10 V.
Fig.6
过渡频率的函数
集电极电流。
2001年11月15日
5
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