PBSS4420D
20 V ， 4的NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
版本01 - 2005年4月21日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）晶体管在SOT457 （ SC- 74 ） SMD
塑料封装。
PNP补充： PBSS5420D 。
1.2产品特点
s
s
s
s
s
极低的集电极 - 发射极饱和电阻
超低集电极 - 发射极饱和电压
4将连续集电极电流
高达15 A峰值电流
高英法fi效率由于较少的热量产生
1.3应用
s
s
s
s
s
s
电源管理功能
充电电路
直流 - 直流转换
MOSFET栅极驱动
电源开关（如电机，风机）
薄膜晶体管（ TFT ）背光逆变器
1.4快速参考数据
表1：
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
[1]
[2]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
集电极 - 发射极饱和
阻力
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
I
C
= 4 A;
I
B
= 400毫安
[2]
条件
开基
[1]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
50
最大
20
4
15
70
单位
V
A
A
m
设备安装在陶瓷印刷电路板（ PCB ） ，铝
2
O
3
，标准的足迹。
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
飞利浦半导体
PBSS4420D
20 V ， 4的NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
2.管脚信息
表2：
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
集热器
集热器
BASE
辐射源
集热器
集热器
1
2
3
6
5
4
3
4
sym014
简化的轮廓
符号
1, 2, 5, 6
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
PBSS4420D
SC-74
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT457
类型编号
4.标记
表4：
标记代码
标识代码
D4
类型编号
PBSS4420D
5.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
峰值电流基地
总功耗
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[2]
[3]
[4]
[1]
[2] [5]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
20
20
5
4
15
0.8
2
360
600
750
1.1
2.5
单位
V
V
V
A
A
A
A
mW
mW
mW
W
W
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
9397 750 14028
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PBSS4420D
20 V ， 4的NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
表5：
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
参数
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
65
65
最大
150
+150
+150
单位
°C
°C
°C
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
脉冲条件下操作：占空比
δ ≤
10％和脉冲宽度t
p
≤
10毫秒。
1600
P
合计
（ mW）的
1200
(1)
006aaa270
800
(2)
(3)
400
(4)
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1）陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
（ 2 ） FR4印刷电路板; 6厘米
2
集热器安装垫
（ 3 ） FR4印刷电路板; 1厘米
2
集热器安装垫
（ 4 ） FR4印刷电路板;标准尺寸
图1.功率降额曲线
9397 750 14028
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（ BISS ）晶体管
6.热特性
表6：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[2]
[3]
[4]
[1]
[2] [5]
民
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
350
208
160
113
50
45
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
从热阻
结点到焊点
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
脉冲条件下操作：占空比
δ ≤
10％和脉冲宽度t
p
≤
10毫秒。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
006aaa271
10
(8)
(9)
(10)
1
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板;标准尺寸
(1)
δ
= 1
(2)
δ
= 0.75
(3)
δ
= 0.5
(4)
δ
= 0.33
(5)
δ
= 0.2
(6)
δ
= 0.1
(7)
δ
= 0.05
(8)
δ
= 0.02
(9)
δ
= 0.01
(10)
δ
= 0
图2.瞬态结点的热阻抗到环境作为脉冲时间的函数;典型值
9397 750 14028
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20 V ， 4的NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
006aaa272
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
10
1
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板;安装垫集热1厘米
2
(1)
δ
= 1
(2)
δ
= 0.75
(3)
δ
= 0.5
(4)
δ
= 0.33
(5)
δ
= 0.2
(6)
δ
= 0.1
(7)
δ
= 0.05
(8)
δ
= 0.02
(9)
δ
= 0.01
(10)
δ
= 0
图3.瞬态结点的热阻抗到环境作为脉冲时间的函数;典型值
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20 V ， 4的NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
牧师02 - 2008年9月24日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）在一个小的晶体管
SOT457 （ SC - 74 ）表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
PNP补充： PBSS5420D 。
1.2产品特点
I
I
I
I
I
极低的集电极 - 发射极饱和电阻
超低集电极 - 发射极饱和电压
4将连续集电极电流
高达15 A峰值电流
高英法fi效率由于较少的热量产生
1.3应用
I
I
I
I
I
I
电源管理功能
充电电路
直流 - 直流转换
MOSFET栅极驱动
电源开关（如电机，风机）
薄膜晶体管（ TFT ）背光逆变器
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
[1]
[2]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 发射极饱和
阻力
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
I
C
= 4 A;
I
B
= 400毫安
[2]
条件
开基
[1]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
50
最大
20
4
15
70
单位
V
A
A
m
设备安装在陶瓷印刷电路板（ PCB ） ，铝
2
O
3
，标准的足迹。
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
恩智浦半导体
PBSS4420D
20 V ， 4的NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
集热器
集热器
BASE
辐射源
集热器
集热器
1
2
3
6
5
4
3
4
sym014
简化的轮廓
图形符号
1, 2, 5, 6
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PBSS4420D
SC-74
描述
塑料表面贴装封装（ TSOP6 ） ; 6引线
VERSION
SOT457
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
D4
类型编号
PBSS4420D
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[2]
[3]
[4]
[1]
[2][5]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
20
20
5
4
15
0.8
2
360
600
750
1.1
2.5
单位
V
V
V
A
A
A
A
mW
mW
mW
W
W
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
PBSS4420D_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2008年9月24日
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恩智浦半导体
PBSS4420D
20 V ， 4的NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
参数
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
65
65
最大
150
+150
+150
单位
°C
°C
°C
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
脉冲条件下操作：占空比
δ ≤
10％和脉冲宽度t
p
≤
10毫秒。
1600
P
合计
（ mW）的
1200
(1)
006aaa270
800
(2)
(3)
400
(4)
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1）陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 3 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 4 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线
PBSS4420D_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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PBSS4420D
20 V ， 4的NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
[4]
[1][5]
民
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
350
208
160
113
50
45
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
从热阻
结点到焊点
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
脉冲条件下操作：占空比
δ ≤
10％和脉冲宽度t
p
≤
10毫秒。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比=
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
10
0.02
0.01
1
006aaa271
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
PBSS4420D_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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恩智浦半导体
PBSS4420D
20 V ， 4的NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比=
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
10
0.05
0.02
0.01
1
0
10
1
10
5
006aaa272
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
图3 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
006aaa273
占空比=
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
图4 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
PBSS4420D_2
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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5 14
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