【分立半导体数据表M3D744PBSS4240V40 V低VCESATNPN晶体管产品speci fi】,IC型号PBSS4240V,PBSS4240V PDF资料,PBSS4240V经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

M3D744

PBSS4240V

40 V低V

CESAT

NPN晶体管

产品speci fi cation

2003年01月30

飞利浦半导体

产品speci fi cation

40 V低V

CESAT

NPN晶体管

特点

低集电极 - 发射极饱和电压V

CESAT

高集电极电流能力我

我

高集电极电流增益（H

）在高I

高效率从而降低了热量的产生

减少印刷电路板的面积要求。

应用

电源管理：

- DC-DC变换器

- 供电线路开关

- 电池充电器

- LCD背光照明。

外围设备驱动程序：

- 驾驶员在低电源电压应用（如灯

和LED ）

- 感性负载的驱动程序（如继电器，蜂鸣器和

电机）。

描述

NPN晶体管提供低V

CESAT

和高电流

能力在SOT666塑料包装。

PNP补充： PBSS5240V 。

PBSS4240V

快速参考数据

符号

首席执行官

CRP

CESAT

钉扎

针

集热器

BASE

辐射源

集热器

描述

参数

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

导通电阻的等效

马克斯。

<190

单位

手册， halfpage

1, 2, 5, 6

记号

类型编号

PBSS4240V

标识代码

顶视图

MAM444

Fig.1简化外形（ SOT666 ）和符号。

2003年01月30

飞利浦半导体

产品speci fi cation

40 V低V

CESAT

NPN晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

CRP

合计

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

重复峰值集电极电流

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

峰值电流基地

总功耗

AMB

≤

°C;

注3

AMB

≤

°C;

注4

AMB

≤

°C;

注1

AMB

≤

°C;

注意到图2和3

英镑

AMB

笔记

1.装置安装在陶瓷电路板，铝

，标准的足迹。

脉冲条件下2.操作：占空比

δ ≤

20％时，脉冲宽度t

≤

30毫秒。

3.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡，标准的足迹。

储存温度

结温

工作环境温度

条件

发射极开路

开基

集电极开路

注1

注2

分钟。

PBSS4240V

马克斯。

300

500

900

1.2

+150

150

+150

单位

°C

4.设备安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米

热特性

符号

日J-一

参数

热阻结到

环境

注1

注2

注3

注1和4

笔记

1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，标准的足迹。

2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米

3.设备安装在陶瓷电路板，铝

，标准的足迹。

脉冲条件下4.操作：占空比

δ ≤

20％时，脉冲宽度t

≤

30毫秒。

焊接

唯一推荐的焊接方法是回流焊。

条件

价值

410

215

140

110

单位

K / W

2003年01月30

飞利浦半导体

产品speci fi cation

40 V低V

CESAT

NPN晶体管

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

首席执行官

EBO

参数

集电极 - 基极截止电流

集电极 - 发射极截止电流

发射极 - 基极截止电流

直流电流增益

条件

= 40 V ;我

= 0

= 40 V ;我

= 0; T

AMB

= 150

°C

= 30 V ;我

= 0

= 5 V ;我

= 0

= 5 V ;我

= 1毫安

= 5 V ;我

= 500毫安

= 5 V ;我

= 1 A

= 5 V ;我

= 2 A;注1

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

= 100毫安;我

= 1毫安

= 500毫安;我

= 50毫安

= 1 ;我

= 100毫安;注1

= 2 A;我

= 200毫安;注1

CESAT

BESAT

BEON

记

1.脉冲测试：吨

≤

300

s; δ ≤

0.02.

导通电阻的等效

基射极饱和电压

基射极导通电压

跃迁频率

集电极电容

= 1 ;我

= 100毫安;注1

= 1 ;我

= 100毫安

= 5 V ;我

= 1 A

= 50毫安; V

= 10 V;

F = 100 MHz的

= 10 V ;我

= I

= 0; F = 1 MHz的

分钟。

300

200

150

PBSS4240V

典型值。

150

300

150

马克斯。

100

900

100

190

400

<190

1.2

1.1

单位

兆赫

2003年01月30

飞利浦半导体

产品speci fi cation

40 V低V

CESAT

NPN晶体管

PBSS4240V

手册， halfpage

800

MHC471

手册， halfpage

1.2

MHC472

的hFE

(1)

VBE

(V)

(1)

600

0.8

(2)

400

(3)

0.4

200

IC （MA ）

= 5 V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

= 5 V.

(1) T

AMB

55 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 150

°C.

Fig.2

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.3

基极 - 发射极间电压的一个函数

集电极电流;典型值。

手册， halfpage

VCEsat晶体管

（毫伏）

MHC473

手册， halfpage

1.2

MHC474

VBEsat

(V)

(1)

0.8

(1)

(2)

(3)

(2)

0.6

0.4

IC （MA ）

0.2

IC （MA ）

= 20.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

= 20.

(1) T

AMB

55 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 150

°C.

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

Fig.5

基极 - 发射极饱和电压作为

集电极电流的函数;典型值。

2003年01月30

分立半导体

数据表

M3D744

PBSS4240V

40 V低V

CESAT

NPN晶体管

产品数据表

2003年01月30

恩智浦半导体

产品数据表

40 V低V

CESAT

NPN晶体管

特点

低集电极 - 发射极饱和电压V

CESAT

高集电极电流能力我

我

高集电极电流增益（H

）在高I

高效率从而降低了热量的产生

减少印刷电路板的面积要求。

应用

电源管理：

- DC-DC变换器

- 供电线路开关

- 电池充电器

- LCD背光照明。

外围设备驱动程序：

- 驾驶员在低电源电压应用（如灯

和LED ）

- 感性负载的驱动程序（如继电器，蜂鸣器和

电机）。

描述

NPN晶体管提供低V

CESAT

和高电流

能力在SOT666塑料包装。

PNP补充： PBSS5240V 。

PBSS4240V

快速参考数据

符号

首席执行官

CRP

CESAT

钉扎

针

集热器

BASE

辐射源

集热器

描述

参数

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

导通电阻的等效

马克斯。

<190

单位

mΩ

手册， halfpage

1, 2, 5, 6

记号

类型编号

PBSS4240V

标识代码

顶视图

MAM444

Fig.1简化外形（ SOT666 ）和符号。

2003年01月30

恩智浦半导体

产品数据表

40 V低V

CESAT

NPN晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

CRP

合计

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

重复峰值集电极电流

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

峰值电流基地

总功耗

AMB

≤

°C;

注3

AMB

≤

°C;

注4

AMB

≤

°C;

注1

AMB

≤

°C;

注意到图2和3

英镑

AMB

笔记

1.装置安装在陶瓷电路板，铝

，标准的足迹。

脉冲条件下2.操作：占空比

δ ≤

20％时，脉冲宽度t

≤

30毫秒。

3.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡，标准的足迹。

储存温度

结温

工作环境温度

条件

发射极开路

开基

集电极开路

注1

注2

分钟。

PBSS4240V

马克斯。

300

500

900

1.2

+150

150

+150

单位

°C

4.设备安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米

热特性

符号

日J-一

参数

热阻结到

环境

注1

注2

注3

注1和4

笔记

1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，标准的足迹。

2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米

3.设备安装在陶瓷电路板，铝

，标准的足迹。

脉冲条件下4.操作：占空比

δ ≤

20％时，脉冲宽度t

≤

30毫秒。

焊接

唯一推荐的焊接方法是回流焊。

条件

价值

410

215

140

110

单位

K / W

2003年01月30

恩智浦半导体

产品数据表

40 V低V

CESAT

NPN晶体管

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

首席执行官

EBO

参数

集电极 - 基极截止电流

集电极 - 发射极截止电流

发射极 - 基极截止电流

直流电流增益

条件

= 40 V ;我

= 0

= 40 V ;我

= 0; T

AMB

= 150

°C

= 30 V ;我

= 0

= 5 V ;我

= 0

= 5 V ;我

= 1毫安

= 5 V ;我

= 500毫安

= 5 V ;我

= 1 A

= 5 V ;我

= 2 A;注1

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

= 100毫安;我

= 1毫安

= 500毫安;我

= 50毫安

= 1 ;我

= 100毫安;注1

= 2 A;我

= 200毫安;注1

CESAT

BESAT

BEON

记

1.脉冲测试：吨

≤

300

μs; δ ≤

0.02.

导通电阻的等效

基射极饱和电压

基射极导通电压

跃迁频率

集电极电容

= 1 ;我

= 100毫安;注1

= 1 ;我

= 100毫安

= 5 V ;我

= 1 A

= 50毫安; V

= 10 V;

F = 100 MHz的

= 10 V ;我

= I

= 0; F = 1 MHz的

分钟。

300

200

150

PBSS4240V

典型值。

150

300

150

马克斯。

100

900

100

190

400

<190

1.2

1.1

单位

μA

mΩ

兆赫

2003年01月30

恩智浦半导体

产品数据表

40 V低V

CESAT

NPN晶体管

PBSS4240V

手册， halfpage

800

MHC471

手册， halfpage

1.2

MHC472

的hFE

(1)

VBE

(V)

(1)

600

0.8

(2)

400

(3)

0.4

200

IC （MA ）

= 5 V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

= 5 V.

(1) T

AMB

55 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 150

°C.

Fig.2

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.3

基极 - 发射极间电压的一个函数

集电极电流;典型值。

手册， halfpage

VCEsat晶体管

（毫伏）

MHC473

手册， halfpage

1.2

MHC474

VBEsat

(V)

(1)

0.8

(1)

(2)

0.6

(3)

0.4

IC （MA ）

0.2

IC （MA ）

= 20.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

55 °C.

= 20.

(1) T

AMB

55 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 150

°C.

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

Fig.5

基极 - 发射极饱和电压作为

集电极电流的函数;典型值。

2003年01月30