DF
N1
01
PBSS4160QA
2013年8月23日
0D
-3
60 V ，1 A的NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管
产品数据表
1.概述
NPN低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）晶体管采用了无引线的超小型
DFN1010D - 3 （ SOT1215 ）表面贴装器件（ SMD）塑料封装可见
和可焊性侧焊盘。
PNP补充： PBSS5160QA 。
2.特点和好处科幻TS
极低的集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
我
CM
高集电极电流增益
FE
在高I
C
由于较少的热量产生高能量效率
减少印刷电路板（ PCB）面积要求
可焊性侧焊盘
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
3.应用
Loadswitch
电池驱动设备
电源管理
充电电路
电源开关（如电机，风机）
4.快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极
电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 发射极
饱和电阻
单脉冲;吨
p
= 1毫秒
I
C
= 1 ;我
B
= 0.1 A;脉冲;吨
p
≤ 300 s;
δ ≤ 0.02 ; T
AMB
= 25 °C
条件
开基
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
170
最大
60
1
1.5
235
单位
V
A
A
mΩ
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恩智浦半导体
PBSS4160QA
60 V ，1 A的NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管
5.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
管脚信息
符号说明
B
E
C
C
BASE
辐射源
集热器
集热器
2
透明的顶视图
简化的轮廓
1
图形符号
C
B
4
3
E
sym123
DFN1010D -3（ SOT1215 ）
6.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PBSS4160QA
DFN1010D-3
描述
塑料的热增强型超薄小外形封装;没有
导致; 3终端
VERSION
SOT1215
类型编号
7，打标
表4 。
标记代码
标识代码
11 00 10
阅读
方向
类型编号
PBSS4160QA
标识代码
（例）
年日期
CODE
供应商代码
销1
指示标记
MARK-免费资源
阅读示范：
11
01
10
aaa-008041
图。 1 。
PBSS4160QA
DFN1010D - 3 （ SOT1215 ）的二进制代码标记说明
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恩智浦半导体
PBSS4160QA
60 V ，1 A的NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
单脉冲;吨
p
= 1毫秒
T
AMB
≤ 25 °C
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
最大
60
60
7
1
1.5
0.3
1
325
600
740
540
1000
150
150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
单脉冲;吨
p
= 1毫秒
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-65
T
j
T
AMB
T
英镑
结温
环境温度
储存温度
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
设备安装在一FR4 PCB单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡的集电极安装焊盘1厘米。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡安装垫体6公分。
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板， 4层铜，镀锡的集电极安装焊盘1厘米。
2
2
2
PBSS4160QA
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PBSS4160QA
60 V ，1 A的NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管
1.25
P
合计
(W)
1.00
(1)
aaa-007844
0.75
(2)
(3)
0.50
(4)
(5)
0.25
0
-75
-25
2
2
2
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4 PCB ， 4层铜， 1厘米
（2）的FR4印刷电路板，单面铜， 6厘米
（3）的FR4印刷电路板，单面铜， 1厘米
（ 4 ） FR4 PCB ， 4层铜，标准的足迹
（ 5 ） FR4 PCB ，单面铜，标准的足迹
图。 2 。
功率降额曲线
9.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
最大
385
209
169
232
125
2
2
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板，单面铜，镀锡的集电极安装焊盘1厘米。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡安装垫体6公分。
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板， 4层铜，镀锡的集电极安装焊盘1厘米。
2
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恩智浦半导体
PBSS4160QA
60 V ，1 A的NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
0.1
0.05
10
0.02
0.01
0.5
aaa-007845
0
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，单面铜，标准的足迹
图。 3 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.33
0.1
10
0.02
0.05
0.01
0.5
0.2
aaa-007846
1
0
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
2
10
-2
10
-1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
的FR4印刷电路板，单面铜， 1厘米
图。 4 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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