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分立半导体
数据表
PBSS4140T
40 V ，1 A
NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
产品数据表
取代2005年的数据02月14日
2005年02月24日
恩智浦半导体
产品数据表
40 V ，1 A
NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
特点
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流的能力。
由于减少热量提高设备的可靠性
一代。
应用
通用开关和静音
LCD背光
供电线路开关电路
电池驱动设备（手机，视频
相机和手持设备） 。
描述
NPN低V
CESAT
晶体管在SOT23塑料包装。
PNP补充： PBSS5140T 。
记号
类型编号
PBSS4140T
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
订购信息
TYPE
数
PBSS4140T
包
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
标识代码
(1)
ZT *
顶视图
手册， halfpage
PBSS4140T
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
CM
R
CESAT
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
参数
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
导通电阻的等效
马克斯。
40
2
<500
单位
V
A
mΩ
3
3
1
2
1
2
MAM255
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
VERSION
SOT23
2005年02月24日
2
恩智浦半导体
产品数据表
40 V ，1 A
NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板;单面铜;镀锡;标准的足迹。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
T
AMB
≤
25
°C;
注2
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
PBSS4140T
马克斯。
40
40
5
1
2
1
300
450
+150
150
+150
V
V
V
A
A
A
单位
mW
mW
°C
°C
°C
2.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米
2
.
热特性
符号
R
号（j -a）的
参数
条件
典型
417
278
单位
K / W
K / W
从结点在自由空气的热阻;注1
到环境
在自由空气中;注意2
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
2005年02月24日
3
恩智浦半导体
产品数据表
40 V ，1 A
NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极截止
当前
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
= 40 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 40 V ;我
E
= 0 ;吨
AMB
= 150
°C
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 500毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 1 A
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
= 100毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
R
CESAT
V
BESAT
V
BEON
f
T
C
c
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
导通电阻的等效
基射极饱和
电压
跃迁频率
集电极电容
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
300
300
200
150
分钟。
PBSS4140T
典型值。
260
马克斯。
100
50
100
100
900
200
250
500
<500
1.2
1.1
10
单位
nA
μA
nA
nA
mV
mV
mV
mΩ
V
V
兆赫
pF
基极 - 发射极导通电压V
CE
= 5 V ;我
C
= 1 A
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
E
= I
e
= 0 ; F = 1 MHz的
2005年02月24日
4
恩智浦半导体
产品数据表
40 V ，1 A
NPN低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
PBSS4140T
手册， halfpage
1000
MLD660
手册， halfpage
10
MLD661
的hFE
800
(1)
VBE
(V)
600
(2)
1
400
(3)
(1)
(2)
(3)
200
0
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
10
1
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
IC （MA ）
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.2
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.3
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
3
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
(1)
MLD662
10
2
R
CESAT
(Ω)
10
mld663
10
2
(2)
(3)
10
1
(1)
(2)
(3)
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
10
4
10
1
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
I
C
（MA ）
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
等效导通电阻的函数
集电极电流;典型值。
2005年02月24日
5
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