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PBSS4041PT
60 V ， 2.7 PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
牧师02 - 2010年3月9日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）晶体管，SOT23封装（ TO- 236AB ）
小型表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
NPN补充： PBSS4041NT 。
1.2特点和优点
极低的集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
我
CM
高集电极电流增益（H
FE
）在高I
C
由于较少的热量产生高能量效率
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
较小的所需的印刷电路板（ PCB）面积比传统的晶体管
1.3应用
Loadswitch
电池驱动设备
电源管理
充电电路
电源开关（如电机，风机）
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
[1]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 发射极
饱和电阻
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
I
C
=
3
A;
I
B
=
300
mA
[1]
条件
开基
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
80
最大
60
2.7
8
120
单位
V
A
A
mΩ
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
恩智浦半导体
PBSS4041PT
60 V ， 2.7 PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
2
2
sym013
简化的轮廓
3
图形符号
3
1
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PBSS4041PT
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
* BL
类型编号
PBSS4041PT
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
60
60
5
2.7
8
1
单位
V
V
V
A
A
A
PBSS4041PT_2
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产品数据表
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恩智浦半导体
PBSS4041PT
60 V ， 2.7 PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
合计
参数
总功耗
条件
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
-
55
65
最大
390
660
1100
150
+150
+150
单位
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
1.5
P
合计
(W)
1.0
006aab954
(1)
(2)
0.5
(3)
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1）陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线
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恩智浦半导体
PBSS4041PT
60 V ， 2.7 PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
320
190
115
62
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
从热阻
结点到焊点
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
0.1
0.05
10
0.02
0.01
0.5
006aab955
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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60 V ， 2.7 PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
0.1
10
0.02
0.05
0.01
0.5
006aab956
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
图3 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
006aab957
占空比= 1
10
2
0.75
0.33
0.2
10
0.1
0.05
0.02
1
0
0.01
0.5
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
图4 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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P140KH1-Y25BR20K
PD530
PSD914F5-90JIT
PLL602-38OCL
PT2126-F8N-NNM1-F
PHU97NQ03LT
P54PCT373ADM
PMAD1109
PIC18LF14K50
PHE840MK5100MK01R17
PJ-A367C-195.0
PJ-A2980-270.0
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    PBSS4041PT
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PBSS4041PT
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