PBSS4032PD
30 V ， 2.7 PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
版本01 - 2010年1月27日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）晶体管在SOT457 （ SC- 74 ）
小型表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
NPN补充： PBSS4032ND 。
1.2产品特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
优化开关时间
高集电极电流能力我
C
我
CM
高集电极电流增益（H
FE
）在高I
C
由于较少的热量产生高能量效率
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
较小的所需的印刷电路板（ PCB）面积比传统的晶体管
1.3应用
直流 - 直流转换
电池驱动设备
电源管理
充电电路
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
[1]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 发射极
饱和电阻
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
I
C
=
3
A;
I
B
=
300
mA
[1]
条件
开基
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
88
最大
30
2.7
5
130
单位
V
A
A
mΩ
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
恩智浦半导体
PBSS4032PD
30 V ， 2.7 PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
集热器
集热器
BASE
辐射源
集热器
集热器
1
2
3
6
5
4
3
4
sym030
简化的轮廓
图形符号
1, 2, 5, 6
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PBSS4032PD
SC-74
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT457
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
ZG
类型编号
PBSS4032PD
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
最大
30
30
5
2.7
5
0.5
单位
V
V
V
A
A
A
PBSS4032PD_1
NXP B.V. 2010保留所有权利。
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30 V ， 2.7 PNP低V
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（ BISS ）晶体管
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
合计
参数
总功耗
条件
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
-
55
65
最大
480
750
1
150
+150
+150
单位
mW
mW
W
°C
°C
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
1200
P
合计
（ mW）的
800
(1)
006aab931
(2)
(3)
400
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1）陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线
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6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
260
160
125
45
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
从热阻
结点到焊点
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
0.1
10
0.02
0.01
1
0
0.05
0.5
006aab932
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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30 V ， 2.7 PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
006aab933
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
0.1
0.5
10
0.02
0.05
0.01
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
图3 。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
006aab934
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
0.5
10
0.1
0.05
0.02
0.01
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
图4 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
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