PBSS301PZ
12 V ， 5.7 PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
牧师02 - 2009年11月17日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）晶体管在SOT223 （ SC- 73 ）
小型表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
NPN补充： PBSS301NZ 。
1.2产品特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
我
CM
高集电极电流增益（H
FE
）在高I
C
高英法fi效率由于较少的热量产生
较小的所需的印刷电路板（ PCB）面积比传统的晶体管
1.3应用
直流 - 直流转换
MOSFET栅极驱动
电机控制
充电电路
电源开关（如电机，风机）
1.4快速参考数据
表1中。
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
[1]
快速参考数据
条件
开基
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
I
C
=
4
A;
I
B
=
200
mA
[1]
符号参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 发射极
饱和电阻
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
32.5
最大
12
5.7
11.4
45
单位
V
A
A
mΩ
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
恩智浦半导体
PBSS301PZ
12 V ， 5.7 PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
65
65
最大
12
12
5
5.7
11.4
0.7
1.7
2
150
+150
+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
W
°C
°C
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
2.5
P
合计
(W)
2.0
(1)
(2)
006aaa560
1.5
1.0
(3)
0.5
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1）陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线
PBSS301PZ_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年11月17日
3 14
恩智浦半导体
PBSS301PZ
12 V ， 5.7 PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
179
74
63
15
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
从热阻
结点到焊点
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
006aaa561
δ
=1
0.75
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
PBSS301PZ_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年11月17日
4 14
恩智浦半导体
PBSS301PZ
12 V ， 5.7 PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
10
2
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
006aaa562
δ
=1
0.75
0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.33
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
图3 。
10
2
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
006aaa563
δ
=1
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
0
0.75
0.50
0.20
0.33
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
图4 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
PBSS301PZ_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师02 - 2009年11月17日
5 14
QQ：2881677436 复制
