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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1314页 > PBSS2515F
分立半导体
数据表
M3D425
PBSS2515F
15 V低V
CESAT
NPN晶体管
产品speci fi cation
取代2001年的数据1月26日
2001年9月21日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
15 V低V
CESAT
NPN晶体管
特点
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流能力
提高热性能，由于平板线索。
应用
通用开关和静音
低频驱动电路
LCD背光
音频通用放大器应用
电池驱动设备（手机，视频
相机和手持设备） 。
描述
NPN低V
CESAT
晶体管的SC- 89 （ SOT490 ）塑料
封装。
PNP补充： PBSS3515F 。
记号
类型编号
PBSS2515F
2A
标识代码
Fig.1
手册， halfpage
PBSS2515F
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
导通电阻的等效
马克斯。
15
500
1
<500
单位
V
mA
A
m
3
3
1
2
MAM410
1
顶视图
2
简化外形（ SC- 89 ; SOT490 ）和
符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
15
15
6
500
1
100
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°C
°C
°C
单位
2001年9月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
15 V低V
CESAT
NPN晶体管
热特性
符号
R
日J-一
参数
热阻结到
环境
条件
在自由空气
价值
500
PBSS2515F
单位
K / W
特征
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
= 15 V ;我
E
= 0
V
CB
= 15 V ;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 2 V ;我
C
= 10毫安
V
CE
= 2 V ;我
C
= 100毫安;注1
V
CE
= 2 V ;我
C
= 500毫安;注1
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 200毫安;我
B
= 10毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
R
CESAT
V
BESAT
V
BE
f
T
C
c
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
导通电阻的等效
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
集电极电容
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
V
CE
= 2 V ;我
C
= 100毫安;注1
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V;
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
分钟。
200
150
90
250
典型值。
300
420
4.4
马克斯。
100
50
100
25
150
250
<500
1.1
0.9
6
mV
mV
mV
m
V
V
兆赫
pF
单位
nA
A
nA
2001年9月21日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
15 V低V
CESAT
NPN晶体管
PBSS2515F
手册， halfpage
(1)
600
MLD671
1200
手册， halfpage
VBE
（毫伏）
1000
(1)
MLD673
的hFE
400
(2)
800
(2)
600
200
(3)
(3)
400
0
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
200
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
V
CE
= 2 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
V
CE
= 2 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
Fig.2
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.3
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
3
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
2
MLD675
手册， halfpage
1200
MLD674
VBEsat
（毫伏）
1000
(1)
800
(2)
(1)
(2)
600
10
(3)
(3)
400
1
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
200
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
基极 - 发射极饱和电压作为
集电极电流的函数;典型值。
2001年9月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
15 V低V
CESAT
NPN晶体管
PBSS2515F
手册， halfpage
1200
IC
MLD672
手册， halfpage
(4)
(3)
(2)
(1)
10
2
MLD676
（MA ）
800
(5)
(6)
(7)
(8)
RCEsat
()
10
(1)
(2)
(3)
400
(9)
1
(10)
0
0
2
4
6
8
10
VCE （ V）
10
1
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
T
AMB
= 25
°C.
(1) I
B
= 4.60 nA的。
(2) I
B
= 4.14 nA的。
(3) I
B
= 3.68 nA的。
(4) I
B
= 3.22 nA的。
(5) I
B
= 2.76 nA的。
(6) I
B
= 2.30 nA的。
(7) I
B
= 1.84 nA的。
(8) I
B
= 1.38 nA的。
(9) I
B
= 0.92 nA的。
(10) I
B
= 0.46 nA的。
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
Fig.7
Fig.6
集电极电流的一个函数
集电极 - 发射极电压;典型值。
集电极 - 发射极等效导通电阻
作为集电极电流的函数;典型
值。
2001年9月21日
5
分立半导体
数据表
M3D425
PBSS2515F
15 V低V
CESAT
NPN晶体管
产品speci fi cation
取代2001年的数据1月26日
2001年9月21日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
15 V低V
CESAT
NPN晶体管
特点
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流能力
提高热性能，由于平板线索。
应用
通用开关和静音
低频驱动电路
LCD背光
音频通用放大器应用
电池驱动设备（手机，视频
相机和手持设备） 。
描述
NPN低V
CESAT
晶体管的SC- 89 （ SOT490 ）塑料
封装。
PNP补充： PBSS3515F 。
记号
类型编号
PBSS2515F
2A
标识代码
Fig.1
手册， halfpage
PBSS2515F
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
导通电阻的等效
马克斯。
15
500
1
<500
单位
V
mA
A
m
3
3
1
2
MAM410
1
顶视图
2
简化外形（ SC- 89 ; SOT490 ）和
符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
15
15
6
500
1
100
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°C
°C
°C
单位
2001年9月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
15 V低V
CESAT
NPN晶体管
热特性
符号
R
日J-一
参数
热阻结到
环境
条件
在自由空气
价值
500
PBSS2515F
单位
K / W
特征
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
= 15 V ;我
E
= 0
V
CB
= 15 V ;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 2 V ;我
C
= 10毫安
V
CE
= 2 V ;我
C
= 100毫安;注1
V
CE
= 2 V ;我
C
= 500毫安;注1
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 200毫安;我
B
= 10毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
R
CESAT
V
BESAT
V
BE
f
T
C
c
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
导通电阻的等效
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
集电极电容
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安;注1
V
CE
= 2 V ;我
C
= 100毫安;注1
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V;
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
分钟。
200
150
90
250
典型值。
300
420
4.4
马克斯。
100
50
100
25
150
250
<500
1.1
0.9
6
mV
mV
mV
m
V
V
兆赫
pF
单位
nA
A
nA
2001年9月21日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
15 V低V
CESAT
NPN晶体管
PBSS2515F
手册， halfpage
(1)
600
MLD671
1200
手册， halfpage
VBE
（毫伏）
1000
(1)
MLD673
的hFE
400
(2)
800
(2)
600
200
(3)
(3)
400
0
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
200
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
V
CE
= 2 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
V
CE
= 2 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
Fig.2
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.3
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
3
手册， halfpage
VCEsat晶体管
（毫伏）
10
2
MLD675
手册， halfpage
1200
MLD674
VBEsat
（毫伏）
1000
(1)
800
(2)
(1)
(2)
600
10
(3)
(3)
400
1
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
200
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
Fig.4
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.5
基极 - 发射极饱和电压作为
集电极电流的函数;典型值。
2001年9月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
15 V低V
CESAT
NPN晶体管
PBSS2515F
手册， halfpage
1200
IC
MLD672
手册， halfpage
(4)
(3)
(2)
(1)
10
2
MLD676
（MA ）
800
(5)
(6)
(7)
(8)
RCEsat
()
10
(1)
(2)
(3)
400
(9)
1
(10)
0
0
2
4
6
8
10
VCE （ V）
10
1
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
T
AMB
= 25
°C.
(1) I
B
= 4.60 nA的。
(2) I
B
= 4.14 nA的。
(3) I
B
= 3.68 nA的。
(4) I
B
= 3.22 nA的。
(5) I
B
= 2.76 nA的。
(6) I
B
= 2.30 nA的。
(7) I
B
= 1.84 nA的。
(8) I
B
= 1.38 nA的。
(9) I
B
= 0.92 nA的。
(10) I
B
= 0.46 nA的。
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
55 °C.
Fig.7
Fig.6
集电极电流的一个函数
集电极 - 发射极电压;典型值。
集电极 - 发射极等效导通电阻
作为集电极电流的函数;典型
值。
2001年9月21日
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PQ025EZ5MZPH
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PIC16LF77TI/SS
PHE450SB5120JR06
PM12645S-2R7M-RC
PST3551NR
P1822D-08TR
PC4SF11YVZA
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    -
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