PBSM5240PFH
')
1
40 V ，2 A PNP低V
CESAT
（ BISS ）与N沟道晶体管
沟槽MOSFET
第1版 - 二○一二年六月二十○日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
对PNP低V组合
CESAT
突破性小信号（ BISS ）晶体管
N沟道沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET） 。该
器件采用无铅中等功率DFN2020-6 （ SOT1118 ）表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。
1.2特点和优点
极低的集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
我
CM
由于较少的热量产生高能量效率
较小的所需的印刷电路板（ PCB）面积比传统的晶体管
1.3应用
负荷开关
电源管理
电源开关（如电机，风机）
电池驱动设备
充电电路
1.4快速参考数据
表1中。
快速参考数据
条件
开基
[1]
[1][5]
符号参数
PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
V
首席执行官
I
C
I
CRM
I
CM
R
CESAT
集电极 - 发射极电压
集电极电流
重复峰值集电极
当前
峰值集电极电流
集电极 - 发射极
饱和电阻
民
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
240
最大
40
1.8
2
3
340
单位
V
A
A
A
m
单脉冲;吨
p
1毫秒
I
C
=
500
毫安;
I
B
=
50
mA
[1]
[2]
恩智浦半导体
PBSM5240PFH
40 V ，2 A PNP BISS / MOSFET沟道模块
快速参考数据
- 续
条件
T
AMB
= 25
C
T
AMB
= 25
C
T
AMB
= 25
C;
V
GS
= 10 V
T
j
= 25
C;
V
GS
= 4.5 V;
I
D
= 0.2 A
[3]
表1中。
符号参数
N沟道MOSFET的沟道
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
370
最大
30
8
0.66
580
单位
V
V
A
m
[4]
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
脉冲测试：吨
p
300
s;
0.02.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米
2
.
脉冲测试：吨
p
300
s;
0.01.
脉冲测试：吨
p
20毫秒;
0.10.
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
7
8
钉扎
描述
辐射源
BASE
漏
来源
门
集热器
集热器
漏
1
2
3
1
2
3, 8
017aaa079
简化的轮廓
6
5
4
图形符号
6, 7
5
4
7
8
透明的顶视图
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
描述
VERSION
类型编号
PBSM5240PFH DFN2020-6塑料的热增强型超薄小外形
SOT1118
包;没有线索; 6终端;体2
2
0.65 mm
4.标记
表4 。
标识代码
标识代码
1T
类型编号
PBSM5240PFH
PBSM5240PFH
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恩智浦半导体
PBSM5240PFH
40 V ，2 A PNP BISS / MOSFET沟道模块
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CRM
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
重复峰值集电极
当前
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
C
单脉冲;
t
p
1毫秒
条件
发射极开路
开基
集电极开路
[1]
[1][4]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[3]
最大
40
40
5
1.8
2
3
300
1
1.1
1.25
30
30
8
660
420
3.56
单位
V
V
V
A
A
A
mA
A
W
W
V
V
V
mA
mA
A
PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
[1]
[1]
[1]
[1]
[2]
N沟道MOSFET的沟道
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
AMB
= 25
C
T
AMB
= 25
C;
R
GS
= 20 k
T
AMB
= 25
C
V
GS
= 10 V
T
AMB
= 25
C
T
AMB
= 100
C
I
DM
峰值漏极电流
T
AMB
= 25
C;
单脉冲;
t
p
10
s
T
AMB
= 25
C
T
AMB
= 25
C
[3]
-
-
-
P
合计
I
S
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
总功耗
源出电流
结温
环境温度
储存温度
-
-
-
55
65
760
660
150
+150
+150
mW
mA
C
C
C
源极 - 漏极二极管
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫排水1厘米
2
.
脉冲测试：吨
p
20毫秒;
0.10.
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恩智浦半导体
PBSM5240PFH
40 V ，2 A PNP BISS / MOSFET沟道模块
P
合计
(W)
1.2
1.0
1.4
(1)
(2)
006aac608
(3)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
–75
(4)
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4 PCB ， 4层铜垫安装集热1厘米
2
（ 2 ） FR4 PCB ，单面铜，安装垫集热6厘米
2
（3）的FR4印刷电路板，单面铜，集电极安装焊盘1厘米
2
（ 4 ） FR4 PCB ，单面铜，标准的足迹
图1 。
120
P
DER
(%)
80
BISS晶体管：功率降额曲线
03aa17
120
I
DER
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
T
sp
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
sp
(°C)
200
P
合计
-
P
DER
=
-----------------------
100
%
P
合计
25C
图2 。
MOSFET ：归一化总功耗
作为焊接点温度的函数
图3 。
I
D
-
I
DER
=
-------------------
100
%
I
D
25C
MOSFET ：归连续漏极电流
作为焊接点温度的函数
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40 V ，2 A PNP BISS / MOSFET沟道模块
10
I
D
(A)
1
(1)
(2)
(3)
(4)
006aac609
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
10
–1
(5)
10
–2
10
–1
1
10
V
DS
(V)
10
2
I
DM
- 单脉冲
(1) t
p
= 1毫秒
（ 2）直流;牛逼
sp
= 25
C
(3) t
p
= 10毫秒
(4) t
p
= 100毫秒
（ 5 ）直流;牛逼
AMB
= 25
C;
漏装垫片1厘米
2
图4 。
MOSFET ：安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流的一个函数
漏源电压
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