PBRP113ZT
PNP 800毫安， 40 V BISS RET ; R 1 = 1千欧，R2 = 10千欧
版本01 - 2008年1月16日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
800毫安PNP低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）电阻设施齐全
晶体管（ RET）采用小型SOT23 （ TO- 236AB ）表面贴装器件（ SMD ）塑料
封装。
NPN补充： PBRN113ZT 。
1.2产品特点
I
800毫安重复峰值输出电流
I
高电流增益
FE
I
内置偏置电阻
I
简化网络连接的ES电路设计
I
低集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
I
减少了元件数量
I
减少取放成本
I
±10
％电阻容差的比例
1.3应用
I
在汽车电子化的应用和
工业领域
I
中等电流外设驱动器
I
负荷开关
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
O
I
ORM
R1
R2/R1
[1]
[2]
[3]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出电流
重复峰值输出电流吨
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.33
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
条件
开基
[1][2]
[3]
民
-
-
-
0.7
9
典型值
-
-
-
1
10
最大
40
600
800
1.3
11
单位
V
mA
mA
k
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫
收藏家1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
恩智浦半导体
PBRP113ZT
PNP 800毫安， 40 V BISS RET ; R 1 = 1千欧，R2 = 10千欧
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
2
3
R1
简化的轮廓
符号
3
1
R2
2
sym003
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PBRP113ZT
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
[1]
*7M
类型编号
PBRP113ZT
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
ORM
输出电流
重复峰值输出电流
t
p
≤
1毫秒;
δ ≤
0.33
[1][2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
40
5
+5
10
600
800
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
PBRP113ZT_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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PNP 800毫安， 40 V BISS RET ; R 1 = 1千欧，R2 = 10千欧
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
P
合计
参数
总功耗
条件
T
AMB
≤
25
°C
[3]
[1]
[2]
民
-
-
-
-
55
65
最大
250
370
570
150
+150
+150
单位
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
600
(1)
006aaa998
P
合计
（ mW）的
400
(2)
(3)
200
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1）陶瓷电路板，铝
2
O
3
标准的足迹
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1.功率降额曲线SOT23封装（ TO- 236AB ）
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6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1]
[2]
[3]
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
500
338
219
105
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
从热阻
结点到焊点
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
δ
=1
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
10
0.02
0.01
0.75
006aab000
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2.瞬态结点的热阻抗到环境的脉冲持续时间的函数
SOT23封装（ TO- 236AB ） ;典型值
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PNP 800毫安， 40 V BISS RET ; R 1 = 1千欧，R2 = 10千欧
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
δ
=1
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
10
0.02
0.01
0
006aab001
0.75
1
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
图3.瞬态结点的热阻抗到环境的脉冲持续时间的函数
SOT23封装（ TO- 236AB ） ;典型值
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
006aab002
δ
=1
0.50
0.75
0.33
0.20
0.10
10
0.05
0.02
0.01
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
陶瓷电路板，铝
2
O
3
标准的足迹
图4.瞬态结点的热阻抗到环境的脉冲持续时间的函数
SOT23封装（ TO- 236AB ） ;典型值
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