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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第672页 > PBMB75B12
IGBT
模块
电路
H桥75A 1200V
外形绘图
PBMB75B12
１
14
13
３
26
25
20
19
５
32
31
２
8 fasten-标签110号
外形尺寸（mm ）
大约重量： 430克
最大完全评级
(Tc=25°C)
项
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
F
器
PBMB75B12
1200
+/ - 20
75
150
400
-40到+150
-40到+125
2500
2
单位
V
V
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
隔离电压端基AC， 1分钟）
模组基地散热器
安装力矩
母线主接线端子
电气特性
(Tc=25°C)
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
资本投资者入境计划
t
r
t
on
t
f
t
关闭
测试条件
V
CE
=1200V,V
GE
=0V
V
GE
=+/- 20V,V
CE
=0V
I
C
=75A,V
GE
=15V
V
CE
=5V,I
C
=75mA
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
V
CC
= 600V
R
L
= 8欧姆
R
G
= 13欧姆
V
GE
= +/- 15V
分钟。
-
-
-
4.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.9
-
6300
0.25
0.40
0.25
0.80
马克斯。
2.0
1.0
2.4
8.0
-
0.45
0.70
0.35
1.00
单位
mA
A
V
V
pF
s
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
项
符号
额定值
正向电流
DC
1毫秒
I
F
I
FM
75
150
单位
A
典型值。
1.9
0.2
特征
峰值正向电压
反向恢复时间
符号
V
F
t
rr
测试条件
I
F
=75A,V
GE
=0V
I
F
=75A,V
GE
=-10V,di/dt=150A/
s
分钟。
-
-
马克斯。
2.4
0.3
单位
V
s
单位
° C / W
热特性
特征
热阻抗
IGBT
二极管
符号
R
日（J -C ）
测试条件
结到外壳
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.3
0.6
PBMB75B12
Fig.1-输出特性
（典型值）
150
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
（典型值）
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=30A
150A
V
GE
=20V
15V
125
12V
10V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
75A
集电极电流I
C
(A)
100
9V
75
50
8V
25
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
（典型值）
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
（典型值）
800
700
600
500
400
16
T
C
=125℃
I
C
=30A
150A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=8Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
75A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
100
0
0
100
200
300
400
500
600
200V
4
2
0
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
（ NC ）
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
（典型值）
50000
20000
10000
Fig.6-集电极电流与开关时间
（典型值）
1.6
1.4
1.2
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
资本投资者入境计划
V
CC
=600V
R
G
=13Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
（PF ）
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
t
关闭
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
卓越中心
t
f
CRES
t
ON
t
r
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
PBMB75B12
续流二极管的Fig.8-正向特性
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
（典型值）
10
5
（典型值）
150
V
CC
=600V
I
C
=75A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=25℃
T
C
=125℃
花花公子
125
开关时间t
(μs)
正向电流I
F
(A)
2
1
0.5
吨
tr
100
75
tf
0.2
0.1
0.05
50
25
0.02
5
10
20
50
100
200
0
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
（典型值）
500
500
Fig.10-反向偏置安全工作区
（典型值）
R
G
=13Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
（纳秒）
I
F
=75A
T
C
=25℃
200
200
100
TRR
50
集电极电流I
C
(A)
I
RRM
0
150
300
450
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
400
800
1200
1600
20
10
5
2
1
-di / dt的
（ A / μs）内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
fig11 - Tansient热阻抗
5
Tansient热阻抗Rth的
（J -C ）
（ ° C / W）
2
1
5x10
2x10
-1
FRD
IGBT
-1
-1
1x10
5x10
2x10
1x10
5x10
2x10
-2
-2
-2
-3
Tc=25℃
1
单脉冲
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
时间T
（s）
IGBT
模块
电路
H桥75A 1200V
外形绘图
PBMB75B12
１
14
13
３
26
25
20
19
５
32
31
２
8 fasten-标签110号
外形尺寸（mm ）
大约重量： 430克
最大完全评级
(Tc=25°C)
项
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
F
器
PBMB75B12
1200
+/ - 20
75
150
400
-40到+150
-40到+125
2500
2
单位
V
V
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
隔离电压端基AC， 1分钟）
模组基地散热器
安装力矩
母线主接线端子
电气特性
(Tc=25°C)
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
资本投资者入境计划
t
r
t
on
t
f
t
关闭
测试条件
V
CE
=1200V,V
GE
=0V
V
GE
=+/- 20V,V
CE
=0V
I
C
=75A,V
GE
=15V
V
CE
=5V,I
C
=75mA
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
V
CC
= 600V
R
L
= 8欧姆
R
G
= 13欧姆
V
GE
= +/- 15V
分钟。
-
-
-
4.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.9
-
6300
0.25
0.40
0.25
0.80
马克斯。
2.0
1.0
2.4
8.0
-
0.45
0.70
0.35
1.00
单位
mA
A
V
V
pF
s
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
项
符号
额定值
正向电流
DC
1毫秒
I
F
I
FM
75
150
单位
A
典型值。
1.9
0.2
特征
峰值正向电压
反向恢复时间
符号
V
F
t
rr
测试条件
I
F
=75A,V
GE
=0V
I
F
=75A,V
GE
=-10V,di/dt=150A/
s
分钟。
-
-
马克斯。
2.4
0.3
单位
V
s
单位
° C / W
热特性
特征
热阻抗
IGBT
二极管
符号
R
日（J -C ）
测试条件
结到外壳
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.3
0.6
PBMB75B12
Fig.1-输出特性
（典型值）
150
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
（典型值）
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=30A
150A
V
GE
=20V
15V
125
12V
10V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
75A
集电极电流I
C
(A)
100
9V
75
50
8V
25
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
（典型值）
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
（典型值）
800
700
600
500
400
16
T
C
=125℃
I
C
=30A
150A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=8Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
75A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
100
0
0
100
200
300
400
500
600
200V
4
2
0
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
（ NC ）
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
（典型值）
50000
20000
10000
Fig.6-集电极电流与开关时间
（典型值）
1.6
1.4
1.2
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
资本投资者入境计划
V
CC
=600V
R
G
=13Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
（PF ）
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
t
关闭
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
卓越中心
t
f
CRES
t
ON
t
r
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
PBMB75B12
续流二极管的Fig.8-正向特性
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
（典型值）
10
5
（典型值）
150
V
CC
=600V
I
C
=75A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=25℃
T
C
=125℃
花花公子
125
开关时间t
(μs)
正向电流I
F
(A)
2
1
0.5
吨
tr
100
75
tf
0.2
0.1
0.05
50
25
0.02
5
10
20
50
100
200
0
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
（典型值）
500
500
Fig.10-反向偏置安全工作区
（典型值）
R
G
=13Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
（纳秒）
I
F
=75A
T
C
=25℃
200
200
100
TRR
50
集电极电流I
C
(A)
I
RRM
0
150
300
450
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
400
800
1200
1600
20
10
5
2
1
-di / dt的
（ A / μs）内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
fig11 - Tansient热阻抗
5
Tansient热阻抗Rth的
（J -C ）
（ ° C / W）
2
1
5x10
2x10
-1
FRD
IGBT
-1
-1
1x10
5x10
2x10
1x10
5x10
2x10
-2
-2
-2
-3
Tc=25℃
1
单脉冲
-3
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
时间T
（s）
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