【PBLS4005Y ; PBLS4005V40 V PNP BISS loadswitch牧师03 】,IC型号PBLS4005V,PBLS4005V PDF资料,PBLS4005V经销商,ic,电子元器件-51电子网

PBLS4005Y ; PBLS4005V

40 V PNP BISS loadswitch

牧师03 - 2009年2月16日

产品数据表

1.产品廓

1.1概述

PNP低V

CESAT

突破性小信号（ BISS ）晶体管和NPN电阻 -

配晶体管（ RET）在一个封装中。

表1中。

产品概述

包

恩智浦

PBLS4005Y

PBLS4005V

SOT363

SOT666

JEITA

SC-88

-

类型编号

1.2产品特点

I

低V

CESAT

（ BISS ），并在一个封装电阻配备晶体管

低阈值电压（ <1 Ⅴ）相比， MOSFET的

要求低驱动功率

节省空间的解决方案

减少元件数量

1.3应用

I

供电线路开关

电池充电器的开关

高边开关的LED ，驱动器和背光

便携式设备

1.4快速参考数据

表2中。

符号

V

首席执行官

I

C

R

CESAT

快速参考数据

参数

集电极 - 发射极电压

集电极电流

集电极 - 发射极饱和

阻力

集电极 - 发射极电压

I

C

=

500

毫安;

I

B

=

50

mA

开基

[1]

条件

开基

民

-

典型值

-

440

最大

40

500

700

单位

V

mA

m

TR1 ; PNP低V

CESAT

晶体管

TR2 ; NPN电阻配备晶体管

V

首席执行官

-

50

V

恩智浦半导体

PBLS4005Y ; PBLS4005V

40 V PNP BISS loadswitch

快速参考数据

- 续

参数

输出电流

偏置电阻器1 （输入）

偏置电阻率

条件

民

-

33

0.8

典型值

-

47

1

最大

100

61

1.2

单位

mA

k

表2中。

符号

I

O

R1

R2/R1

[1]

脉冲测试：吨

p

≤

300

s; δ ≤

0.02.

2.管脚信息

表3中。

针

1

2

3

4

5

6

钉扎

描述

发射TR1

基地TR1

输出（集电极） TR2

GND （发射器） TR2

输入端（基极） TR2

收藏家TR1

1

2

3

001aab555

R1

R2

TR2

TR1

简化的轮廓

6

5

4

图形符号

6

5

4

1

2

3

sym036

3.订购信息

表4 。

订购信息

包

名字

PBLS4005Y

PBLS4005V

SC-88

-

描述

塑料表面贴装封装; 6引线

VERSION

SOT363

SOT666

类型编号

4.标记

表5 。

标记代码

标识代码

[1]

S5*

K5

类型编号

PBLS4005Y

PBLS4005V

[1]

* = - ：香港制造

* = P ：香港制造

* = T：在马来西亚

* = W ：中国制造

PBLS4005Y_PBLS4005V_3

产品数据表

牧师03 - 2009年2月16日

2 11

恩智浦半导体

PBLS4005Y ; PBLS4005V

40 V PNP BISS loadswitch

5.极限值

表6 。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

V

I

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

积极

负

I

O

I

CM

P

合计

每个器件

P

合计

T

j

T

AMB

T

英镑

[1]

条件

发射极开路

开基

集电极开路

单脉冲;吨

p

≤

1毫秒

单脉冲;吨

p

≤

1毫秒

T

AMB

≤

25

°C

发射极开路

开基

集电极开路

[1]

民

-

最大

40

6

500

1

50

100

200

50

10

+40

10

100

200

300

150

+150

单位

V

mA

A

mA

mW

V

mA

mW

°C

TR1 ; PNP低V

CESAT

晶体管

TR2 ; NPN电阻配备晶体管

输出电流

峰值集电极电流

总功耗

结温

环境温度

储存温度

单脉冲;吨

p

≤

1毫秒

T

AMB

≤

25

°C

T

AMB

≤

25

°C

[1]

-

65

设备安装在一FR4印刷电路板（PCB），单面铜，镀锡和标准

足迹。

6.热特性

表7中。

符号

每个器件

R

号（j -a）的

从热阻

结到环境

SOT363

SOT666

[1]

[2]

热特性

参数

条件

在自由空气

[1]

[1][2]

民

典型值

最大

单位

-

416

K / W

设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。

再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。

PBLS4005Y_PBLS4005V_3

产品数据表

牧师03 - 2009年2月16日

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恩智浦半导体

PBLS4005Y ; PBLS4005V

40 V PNP BISS loadswitch

7.特点

表8 。

特征

T

AMB

= 25

°

C除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

参数

集电极 - 基极截止

当前

发射极 - 基极截止

当前

直流电流增益

条件

V

CB

=

40

V ;我

E

= 0 A

V

CB

=

40

V ;我

E

= 0 A;

T

j

= 150

°C

V

EB

=

5

V ;我

C

= 0 A

V

CE

=

2

V ;我

C

=

10

mA

V

CE

=

2

V ;我

C

=

100

mA

V

CE

=

2

V ;我

C

=

500

mA

V

CESAT

集电极 - 发射极

饱和电压

I

C

=

10

毫安;我

B

=

0.5

mA

I

C

=

100

毫安;我

B

=

5

mA

I

C

=

200

毫安;我

B

=

10

mA

I

C

=

500

毫安;我

B

=

50

mA

R

CESAT

V

BESAT

V

BEON

f

T

C

c

集电极 - 发射极

饱和电阻

基射

饱和电压

基射

导通电压

跃迁频率

集电极电容

I

C

=

500

毫安;我

B

=

50

mA

I

C

=

500

毫安;我

B

=

50

mA

V

CE

=

2

V ;我

C

=

100

mA

I

C

=

100

毫安; V

CE

=

5

V;

F = 100 MHz的

V

CB

=

10

V ;我

E

= i

e

= 0 A;

F = 1 MHz的

V

CB

= 50 V ;我

E

= 0 A

V

CE

= 30 V ;我

B

= 0 A

V

CE

= 30 V ;我

B

= 0 A;

T

j

= 150

°C

V

EB

= 5 V ;我

C

= 0 A

V

CE

= 5 V ;我

C

= 5毫安

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

V

CE

= 5 V ;我

C

= 100

A

V

CE

= 0.3 V ;我

C

= 5毫安

[1]

民

-

200

150

40

-

100

-

典型值

-

440

-

300

-

最大

100

50

100

-

50

130

200

350

700

1.2

1.1

-

10

单位

nA

A

nA

TR1 ; PNP低V

CESAT

晶体管

I

EBO

h

FE

mV

m

V

兆赫

pF

[1]

TR2 ; NPN电阻配备晶体管

I

CBO

I

首席执行官

集电极 - 基极截止

当前

集电极 - 发射极

截止电流

发射极 - 基极截止

当前

直流电流增益

集电极 - 发射极

饱和电压

断态电压输入

通态输入电压

偏置电阻器1 （输入）

偏置电阻率

集电极电容

脉冲测试：吨

p

≤

300

s; δ ≤

0.02.

-

80

-

3

33

0.8

-

1.2

1.6

47

1

-

100

1

50

90

-

150

0.8

-

61

1.2

2.5

nA

A

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

V

我（上）

R1

R2/R1

C

c

[1]

PBLS4005Y_PBLS4005V_3

mV

V

k

pF

V

CB

= 10 V ;我

E

= i

e

= 0 A;

F = 1 MHz的

-

产品数据表

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恩智浦半导体

PBLS4005Y ; PBLS4005V

40 V PNP BISS loadswitch

600

(1)

006aaa388

h

FE

I

C

(A)

I

B

（毫安） =

30

27

24

21

0.8

18

0.6

1

006aaa394

15

12

9

6

400

(2)

200

(3)

0.4

3

0.2

0

10

1

10

2

I

C

（MA ）

10

3

0

1

2

3

4

5

V

CE

(V)

V

CE

=

2

V

(1) T

AMB

= 100

°C

(2) T

AMB

= 25

°C

(3) T

AMB

=

55 °C

T

AMB

= 25

°C

图1 。

TR1 （PNP）：直流电流增益的函数

集电极电流;典型值

006aaa389

图2 。

TR1 （PNP）：集电极电流的函数

集电极 - 发射极电压;典型值

006aaa392

1.1

V

BE

(V)

0.9

1.1

V

BESAT

(V)

0.9

(1)

(2)

0.7

(2)

0.7

(3)

0.5

0.3

0.1

10

1

10

2

I

C

（MA ）

10

3

0.1

10

1

10

2

I

C

（MA ）

10

3

V

CE

=

2

V

(1) T

AMB

=

55 °C

(2) T

AMB

= 25

°C

(3) T

AMB

= 100

°C

I

C

/I

B

= 20

(1) T

AMB

=

55 °C

(2) T

AMB

= 25

°C

(3) T

AMB

= 100

°C

图3 。

TR1 （PNP）：基极 - 发射极电压的函数

集电极电流;典型值

图4 。

TR1 （ PNP ）：基射极饱和电压

集电极电流的函数;典型值

PBLS4005Y_PBLS4005V_3

产品数据表

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