PBLS4003Y ; PBLS4003V
40 V PNP BISS loadswitch
牧师02 - 2005年7月14日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）晶体管和NPN电阻 -
配晶体管（ RET）在一个封装中。
表1：
产品概述
包
飞利浦
PBLS4003Y
PBLS4003V
SOT363
SOT666
JEITA
SC-88
-
类型编号
1.2产品特点
s
s
s
s
s
低V
CESAT
（ BISS ），并在一个封装电阻配备晶体管
低阈值电压（ < 1伏）相比， MOSFET的
要求低驱动功率
节省空间的解决方案
减少元件数量
1.3应用
s
s
s
s
供电线路开关
电池充电器的开关
高边开关的LED ，驱动器和背光
便携式设备
1.4快速参考数据
表2：
符号
V
首席执行官
I
C
R
CESAT
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（DC）的
集电极 - 发射极饱和
阻力
集电极 - 发射极电压
I
C
=
500
毫安;
I
B
=
50
mA
开基
[1]
条件
开基
民
-
-
-
典型值
-
-
440
最大
40
500
700
单位
V
mA
m
TR1 ; PNP低V
CESAT
晶体管
TR2 ; NPN电阻配备晶体管
V
首席执行官
-
-
50
V
飞利浦半导体
PBLS4003Y ; PBLS4003V
40 V PNP BISS loadswitch
5.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
峰值电流基地
总功耗
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;吨
p
≤
1毫秒
单脉冲;吨
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
发射极开路
开基
集电极开路
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
40
6
500
1
50
100
200
50
50
10
+40
10
100
100
200
300
+150
150
+150
单位
V
V
V
mA
A
mA
mA
mW
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
TR1 ; PNP低V
CESAT
晶体管
TR2 ; NPN电阻配备晶体管
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
总功耗
储存温度
结温
环境温度
单脉冲;吨
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
-
-
-
65
-
65
每个器件
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
6.热特性
表7：
符号
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
SOT363
SOT666
[1]
[2]
热特性
参数
条件
在自由空气
[1]
[1] [2]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
416
416
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
9397 750 15222
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
牧师02 - 2005年7月14日
3 11
飞利浦半导体
PBLS4003Y ; PBLS4003V
40 V PNP BISS loadswitch
600
(1)
006aaa388
1
006aaa390
h
FE
V
CESAT
（毫伏）
400
(2)
10
1
(3)
(1)
(2)
(3)
200
0
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
V
CE
=
2
V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
55 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
55 °C
图1的TR1 （PNP） ：直流电流增益的一个函数
集电极电流;典型值
1100
V
BE
（毫伏）
900
006aaa389
图2. TR1 （ PNP ） ：集电极 - 发射极饱和电压
作为集电极电流的函数;典型值
1.1
V
BESAT
(V)
0.9
006aaa392
(1)
(1)
(2)
700
(2)
0.7
(3)
(3)
500
0.5
300
0.3
100
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
0.1
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
V
CE
=
2
V
(1) T
AMB
=
55 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
=
55 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
图3. TR1 （PNP） ：基极 - 发射极电压的函数
集电极电流;典型值
图4. TR1 （ PNP ） ：基射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
9397 750 15222
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牧师02 - 2005年7月14日
5 11
PBLS4003Y ; PBLS4003V
40 V PNP BISS loadswitch
牧师03 - 2009年2月13日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）晶体管和NPN电阻 -
配晶体管（ RET）在一个封装中。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PBLS4003Y
PBLS4003V
SOT363
SOT666
JEITA
SC-88
-
类型编号
1.2产品特点
I
I
I
I
I
低V
CESAT
（ BISS ），并在一个封装电阻配备晶体管
低阈值电压（ <1 Ⅴ）相比， MOSFET的
要求低驱动功率
节省空间的解决方案
减少元件数量
1.3应用
I
I
I
I
供电线路开关
电池充电器的开关
高边开关的LED ，驱动器和背光
便携式设备
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
R
CESAT
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极 - 发射极饱和
阻力
集电极 - 发射极电压
I
C
=
500
毫安;
I
B
=
50
mA
开基
[1]
条件
开基
民
-
-
-
典型值
-
-
440
最大
40
500
700
单位
V
mA
m
TR1 ; PNP低V
CESAT
晶体管
TR2 ; NPN电阻配备晶体管
V
首席执行官
-
-
50
V
恩智浦半导体
PBLS4003Y ; PBLS4003V
40 V PNP BISS loadswitch
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
每个器件
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;吨
p
≤
1毫秒
单脉冲;吨
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
发射极开路
开基
集电极开路
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
40
6
500
1
50
100
200
50
50
10
+40
10
100
100
200
300
150
+150
+150
单位
V
V
V
mA
A
mA
mA
mW
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
TR1 ; PNP低V
CESAT
晶体管
TR2 ; NPN电阻配备晶体管
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
总功耗
结温
环境温度
储存温度
单脉冲;吨
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
-
-
-
-
65
65
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
6.热特性
表7中。
符号
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
SOT363
SOT666
[1]
[2]
热特性
参数
条件
在自由空气
[1]
[1][2]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
416
416
K / W
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
PBLS4003Y_PBLS4003V_3
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年2月13日
3 11
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