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PBLS2022D
20 V , 1.8 A PNP BISS loadswitch
牧师02 - 2009年9月6日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
突破性小信号( BISS )晶体管和NPN电阻 -
配备晶体管( RET)在SOT457 ( SC- 74 )小型表面贴装器件( SMD )
塑料封装。
1.2产品特点
I
I
I
I
I
低V
CESAT
( BISS ),并在一个封装电阻配备晶体管
低阈值电压( <1 Ⅴ)相比, MOSFET的
节省空间的解决方案
减少元件数量
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
I
I
I
供电线路开关
电池充电器的开关
高边开关的LED ,驱动器和背光
便携式设备
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 发射极饱和
阻力
集电极 - 发射极电压
输出电流
偏置电阻器1 (输入)
偏置电阻率
单脉冲;
t
p
1毫秒
I
C
=
1.8
A;
I
B
=
100
mA
开基
[1]
条件
开基
-
-
-
-
典型值
-
-
-
78
最大
20
1.8
3
117
单位
V
A
A
m
TR1 ; PNP低V
CESAT
晶体管
TR2 ; NPN电阻配备晶体管
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
[1]
-
-
3.3
0.8
-
-
4.7
1
50
100
6.1
1.2
V
mA
k
脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
恩智浦半导体
PBLS2022D
20 V , 1.8 A PNP BISS loadswitch
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
基地TR1
输入端(基极) TR2
输出(集电极) TR2
R2
简化的轮廓
6
5
4
图形符号
6
5
4
GND (发射器) TR2
收藏家TR1
发射TR1
1
2
3
TR1
TR2
R1
1
2
3
006aab506
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PBLS2022D
SC-74
描述
塑料表面贴装封装( TSOP6 ) ; 6引线
VERSION
SOT457
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
KB
类型编号
PBLS2022D
PBLS2022D_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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2 16
恩智浦半导体
PBLS2022D
20 V , 1.8 A PNP BISS loadswitch
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
°C
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
1毫秒
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
20
20
5
1.8
3
300
1
370
480
630
50
50
10
+30
10
100
100
200
单位
V
V
V
A
A
mA
A
mW
mW
mW
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
TR1 ; PNP低V
CESAT
晶体管
TR2 ; NPN电阻配备晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
I
O
I
CM
P
合计
每个器件
P
合计
总功耗
T
AMB
25
°C
[1]
[2]
[3]
发射极开路
开基
集电极开路
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
°C
[1][2]
[3]
-
-
-
-
-
-
55
65
480
590
760
150
+150
+150
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板,铝
2
O
3
,标准的足迹。
PBLS2022D_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
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20 V , 1.8 A PNP BISS loadswitch
1000
P
合计
( mW)的
800
(1)
006aab507
(2)
600
400
(3)
200
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
( 1)陶瓷电路板,铝
2
O
3
,标准的足迹
( 2 ) FR4印刷电路板,安装板集热1厘米
2
( 3 ) FR4 PCB,标准的足迹
图1 。
每个器件:功率降额曲线
6.热特性
表6 。
符号
每个器件
R
号(j -a)的
从热阻
结到环境
在自由空气
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
条件
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
260
211
165
100
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
R
日(J -SP )
[1]
[2]
[3]
从热阻
结点到焊点
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡,安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板,铝
2
O
3
,标准的足迹。
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恩智浦半导体
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20 V , 1.8 A PNP BISS loadswitch
10
3
Z
号(j -a)的
(K / W)
10
2
δ
=1
0.50
0.20
0.10
0.05
10
0.01
0
0.02
006aab508
0.75
0.33
1
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB,标准的足迹
图2 。
TR1 ( PNP ) :从结点到环境作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗;
典型值
006aab509
10
3
Z
号(j -a)的
(K / W)
10
2
δ
=1
0.50
0.20
0.10
10
0.05
0.02
0.01
1
0
0.75
0.33
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板,安装板集热1厘米
2
图3 。
TR1 ( PNP ) :从结点到环境作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗;
典型值
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PBLS2022D
    -
    -
    -
    -
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SOT-163
进口原装现货
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PBLS2022D
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PBLS2022D
NEXPERIA/安世
2020+
65000
SOT457
全新进口原装正品现货热卖
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PBLS2022D
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PBLS2022D
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