PBLS2003S
20 V PNP BISS loadswitch
牧师02 - 2009年8月24日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）晶体管和NPN电阻 -
配备晶体管（ RET）在SOT96-1 （ SO8 ）小型表面贴装器件（ SMD ）
塑料封装。
1.2产品特点
I
I
I
I
I
低V
CESAT
（ BISS ）晶体管和电阻配备晶体管在一个封装
低阈值电压（ < 1伏）相比， MOSFET的
要求低驱动功率
节省空间的解决方案
减少元件数量
1.3应用
I
I
I
I
供电线路开关
电池充电器的开关
高边开关的LED ，驱动器和背光
便携式设备
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
R
CESAT
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极 - 发射极饱和
阻力
集电极 - 发射极电压
输出电流
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
I
C
=
2
A;
I
B
=
200
mA
开基
[1]
条件
开基
民
-
-
-
典型值
-
-
75
最大
20
3
120
单位
V
A
m
TR1 ; PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
TR2 ; NPN电阻配备晶体管
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
[1]
-
-
7
0.8
-
-
10
1
50
100
13
1.2
V
mA
k
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02
恩智浦半导体
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20 V PNP BISS loadswitch
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
7
8
钉扎
描述
输入端（基极） TR2
GND （发射器） TR2
基地TR1
发射TR1
收藏家TR1
收藏家TR1
输出（集电极） TR2
输出（集电极） TR2
4
TR1
简化的轮廓
8
5
符号
1
R1
R2
8
1
4
2
3
TR2
7
6
5
006aaa813
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PBLS2003S
SO8
描述
VERSION
塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米SOT96-1
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
LS2003S
类型编号
PBLS2003S
PBLS2003S_2
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
20
20
5
3
5
0.5
1
0.55
0.87
1.43
50
50
10
+40
10
100
100
0.2
0.7
1.0
1.5
150
+150
+150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
W
V
V
V
V
V
mA
mA
W
W
W
W
°C
°C
°C
TR1 ; PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
TR2 ; NPN电阻配备晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
每个器件
P
合计
总功耗
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[2]
[3]
发射极开路
开基
集电极开路
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
-
-
-
-
-
-
65
65
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫收藏家1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
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2.0
P
合计
(W)
(1)
006aaa808
1.5
(2)
1.0
(3)
0.5
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1）陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线
6.热特性
表6 。
符号
每个器件
R
号（j -a）的
从热阻
结到环境
在自由空气
[1]
[2]
[3]
热特性
参数
条件
民
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
180
125
85
40
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
TR1 ; PNP低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
[3]
从热阻
结点到焊点
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫收藏家1厘米
2
.
设备安装在陶瓷板，铝
2
O
3
，标准的足迹。
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10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比=
1.0
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
10
0.05
0.02
0.01
0
1
006aaa809
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
TR1 （ PNP ） ：从结点到环境作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗;典型
值
006aaa810
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比=
1.0
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
图3 。
TR1 （ PNP ） ：从结点到环境作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗;典型
值
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