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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过PBF493RS / D
高电压晶体管
PNP硅
集热器
1
2
BASE
3
辐射源
PBF493RS
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
价值
–300
–300
–5.0
–500
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ,风格17
TO-92 (TO- 226AA )
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = -1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
( IC = -10
m
的adc ,IE = 0)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = -100
m
ADC , IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = -200伏, IE = 0 )
发射Cuto FF电流
( VEB = -3.0 V直流)
收藏家Cuto FF电流
( VCE = -10伏直流)
V( BR ) CEO
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
ICBO
IEBO
ICEO
–300
–300
–5.0
–0.25
–20
–250
VDC
VDC
VDC
μAdc
NADC
NADC
(替换PBF493R / D )
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
PBF493RS
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = -0.1 MADC , VCE = -1.0 V直流)
( IC = -1.0 MADC , VCE = -10伏直流)
( IC = -30 MADC , VCE = -10伏直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = -20 MADC , IB = -2.0 MADC )
基地 - 发射极饱和电压
( IC = -20 MADC , IB = -2.0 MADC )
的hFE
PBF493RS
所有类型
所有类型
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
40
40
25
–0.5
–0.9
VDC
VDC
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
( IC = -10 MADC , VCE = -20伏直流, F = 20兆赫)
输出电容
( VCB = -20伏直流, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
fT
科博
50
6.0
兆赫
pF
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
PBF493RS
200
VCE = 10 VDC
的hFE , DC电流增益
TJ = + 125°C
100
25°C
50
–55°C
30
20
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
IC ,集电极电流(毫安)
20
30
50
70
100
图1.直流电流增益
100
50
C,电容(pF )
20
10
5.0
建行
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
50
VR ,反向电压(伏)
CEB
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
100
70
50
TJ = 25°C
VCE = 20 V
F = 20MHz的
30
20
2.0
1.0
0.2
100
200
10
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ,集电极电流(毫安)
50
70 100
图2的电容
图3.电流增益 - 带宽积
1.4
IC ,集电极电流(毫安)
1.2
V,电压(V )
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ,集电极电流(毫安)
50
70 100
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
VBE ( ON) @ VCE = 10 V
TJ = 25°C
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.5
电流限制
热限制
(PULSE曲线@ TC = 25 ° C)
第二击穿极限
曲线适用
低于额定VCEO
1.0
2.0
5.0
10
20
PBF493RS
50
100
200
500
TA = 25°C
TC = 25°C
100毫秒
100
s
10
s
1.0毫秒
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
图4. “开”电压
图5.最大正向偏置
安全工作区
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
PBF493RS
包装尺寸
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
D
X X
G
H
V
1
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
风格17 :
PIN 1.集热器
2.基
3.辐射源
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并
具体来说不承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他
应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称,
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲/点未列出:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城,亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC , 6F西武Butsuryu中心,
3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
*PBF493RS/D*
PBF493RS/D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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