【2.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC低噪声放大器2007年4月 - 修订版30 -APR- 07】,IC型号PB-CMM1100-BD-0000,PB-CMM1100-BD-0000 PDF资料,PB-CMM1100-BD-0000经销商,ic,电子元器件-51电子网

2.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC

低噪声放大器

2007年4月 - 修订版30 -APR- 07

CMM1100-BD

芯片设备布局

特点

自偏压架构

16.0分贝小信号增益

3.8分贝噪声系数

15.0 dBm的P1dB压缩点

100 ％目视检查，以MIL -STD- 883

方法2010

概述

MIMIX宽带的二级2.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC

低噪声放大器具有16.0 dB的小信号增益

随着3.8分贝整个频带的噪声系数。这MMIC

采用MIMIX宽带公司的0.3微米的GaAs PHEMT器件

模型的技术，并且是基于光学

光刻技术，以保证高可重复性和均匀性。

该芯片具有表面钝化保护和提供

通孔和黄金坚固的部分与背面

金属化，以允许任一导电环氧树脂或

共晶焊料芯片粘接工艺。此设备是井

适用于光纤，微波无线电，军用，太空，

电信基础设施，检验仪器和VSAT

应用程序。

绝对最大额定值

电源电压（ VD）

电源电流（ID）

输入功率（Pin ）

存储温度（ TSTG ）

工作温度（Ta ）

通道温度（ TCH）

8.0伏

180毫安

+10 dBm的

-65 + 165

-55到MTTF表

MTTF表

（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是

建议保持通道温度低至

可能的最大生命值。

电气特性（环境温度T = 25

参数

频率范围（ F）

输入回波损耗（ S11 ）

输出回波损耗（ S22 ）

小信号增益（ S21 ）

增益平坦度（ S21 ）

反向隔离（ S12 ）

噪声系数（ NF）

为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）

输出二阶截取点（ OIP2 ）

输出三阶截点（ OIP3 ）

漏极偏置电压（ Vd1,2 ）

电源电流（ ID）（ Vd1,2 = 5.0V ）

单位

GHz的

DBM

VDC

分钟。

2.0

典型值。

9.0

17.0

16.0

+/-1.0

40.0

3.8

+15.0

+41.0

+25.0

+5.0

100

马克斯。

18.0

+7.0

120

100 ％的晶片直流测试和100％的RF晶片资格。晶圆资格包括来自每个象限测试样品

有80 ％的合格率要求。

MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099

电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com

第1页5

特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。

2007

MIMIX宽带公司

出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受

他们有义务要符合美国的出口法律。

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低噪声放大器

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CMM1100-BD

低噪声放大器测量

CMM1100 -BD VD = 5.0 V ，ID = 100毫安

6.0

5.5

5.0

4.5

噪声系数（dB ）

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

增益（dB ）

1.0

2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0

频率（GHz ）

0.5

0.0

2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0

频率（GHz ）

CMM1100 -BD VD = 5.0 V ，ID = 100毫安

-5

输出回波损耗（dB ）

2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0

频率（GHz ）

-10

-15

-20

-25

-30

-35

输入回波损耗（dB ）

-10

-15

-20

-25

-40

2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0

频率（GHz ）

CMM1100 -BD VD = 5.0 V ，ID = 100毫安

输出功率的P1dB （ dBm的）

2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 11.0 12.0 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0

频率（GHz ）

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CMM1100-BD

0.215

(0.009)

0.843

(0.033)

1.508

(0.059)

1.550

(0.061)

1.460

(0.058)

机械制图

2 3

0.418

(0.017)

0.418

(0.017)

14 13 12 11 10

0.0

0.356 0.599 0.838

(0.014) (0.024) (0.033)

0.484 0.714

(0.019) (0.028)

9 8 7

1.245 1.480

(0.049) (0.058)

1.360 1.600

(0.054) (0.063)

（注：工程代号为M425 ）

单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。

厚度： 0.076 +/- 0.010 （ 0.003 +/- 0.0004 ），背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金

所有的DC接合焊盘是0.080 X 0.080 （ 0.003 X 0.003 ）。所有RF接合焊盘是0.180 X 0.080 （ 0.007 X 0.003 ）。

接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。

切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ）。大约重量： 1.538毫克

焊盘＃ 1 （ RF输入）

焊盘＃ 2 （ Vg1A ）

焊盘＃ 3 （ Vg1b ）

焊盘＃ 4 （ Vd1的）

焊盘＃ 5 （ Vd2的）

焊盘＃ 6 （ RF输出）

焊盘＃ 7 （ Rs2-9.0 ）

焊盘＃ 8 （ Rs2-12.5 ）

焊盘＃ 9 （ Rs2-12.5 ）

焊盘＃ 10 （ RS2 -片外）

焊盘＃ 11 （ Rs1-29.0 ）

焊盘＃ 12 （ Rs1-29.0 ）

焊盘＃ 13 （ Rs1-16.6 ）

焊盘＃ 14 （ RS1 -片外）

偏置安排

Vd1,2

旁路电容

- 参见应用笔记[ 2 ]

2 3

在RF

RF OUT

14 13 12 11 10

9 8 7

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应用笔记[1]偏置

- 如图中接合图，此设备使用一个自偏置体系结构，只需要一个排水

偏见。偏见是名义上Vd1的= Vd2的= 5V ， I（总） = 105毫安。此外，还有在芯片上一共有6个源电阻。三个电阻对输入

舞台是16.6 ， 29.0和29.0欧姆。三个电阻上的输出级为12.5 ， 12.5和9.0欧姆。其中的一个必须被结合到

地为每一个放大器级，如图达到的性能。结合到一个其他电阻器或任何或所有并联可允许

额外的性能调整。最后额外的稳定性垫＃ 3可以接地，而不是焊垫＃ 2 。

应用笔记[2]偏置安排

- 每个DC垫（ VD）需要有DC旁路电容（ 100200 pF）的尽量靠近器件成为可能。

附加DC旁路电容（ 0.01 UF）还建议。

MTTF图

分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。

CMM1100 -BD VD = 5.0 V ，ID = 105毫安

1.0E+09

1.00E+00

CMM1100 -BD VD = 5.0 V ，ID = 105毫安

1.0E+08

平均无故障时间（小时）

1.00E-01

1.0E+07

FITS

1.00E-02

1.00E-03

1.0E+06

1.0E+05

105

115

125

背板温度（摄氏度）

105

115

125

底板温度（摄氏度）

CMM1100 -BD VD = 5.0 V ，ID = 105毫安

160

150

140

TCH （ ℃）

130

120

110

100

105

115

125

背板温度（摄氏度）

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搬运和装配信息

CMM1100-BD

注意！

- MIMIX宽带MMIC产品含有砷化镓（GaAs ），这是很危险的

人体和环境。为安全起见，请遵循以下步骤：

勿摄取。

不改变本产品通过燃烧的形式转化为气体，粉末或液体，粉碎，或化学

处理这些副产品是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。

遵守政府的法律和丢弃本产品时，公司的规定。该产品必须是

丢弃按照适用的有害废物的程序所指定的方法。

生命支持政策

- MIMIX宽带的产品不得用于生命支持应用的关键组件

设备或系统，而不总裁兼总法律顾问MIMIX宽带的明确书面认可。如

特此说明：（ 1 ）生命支持设备或系统指：（ a）打算通过外科手术移植到设备或系统

人体，或（b ）支持或维持生命，而其不履行时，按照正常使用

在标签规定的使用说明，可合理预期会导致一个显著的伤害到用户。

（ 2 ）关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以是任何组件

合理预期造成生命支持设备或系统故障，或影响其安全性或有效性。

ESD

- 砷化镓（GaAs ）器件易受静电和机械损伤。死在提供

抗静电容器，应在无尘室条件下被打开，在适当的防静电接地与工作

站。设备需要小心处理的正确使用夹头设计，真空或皮卡，小心，锋利的镊子。

芯片连接

- 从MIMIX宽带砷化镓产品有0.076毫米（ 0.003" ）厚，并通过与有孔

擦屁股使接地电路。微带基片应使尽可能靠近模具成为可能。该

安装面应清洁，平整。如果使用导电环氧树脂，环氧树脂建议是田中TS3332LD ，模具

垫DM6030HK或DM6030HK铂固化在按照生产商的固化时间为氮气气氛。适用于环氧树脂

谨慎，以避免对于模具的顶表面上得到任何。环氧角应是总裸片周围可见

外围。有关更多信息，请参见MIMIX "Epoxy规格裸Die"应用笔记。如果

共晶的安装是优选的，然后无焊剂的金 - 锡（金锡）预型件，约0.001

厚，摆放的

模具和固定表面应该被使用。一个贴片机，利用加热夹套，并提供擦洗动作

为了确保总的润湿，以防止空隙形成，在氮气氛被推荐。金 - 锡共晶

（80％的Au 20％ Sn）的具有大约280 ℃的熔点（注：金锗应避免）。工作

台温度应在310C +/- 10℃ 。暴露于这些极端的温度应保持在最低限度。

套爪应加热，并在模具预加热，以避免过度的热冲击。空中桥梁回避和

影响力是在放置过程中是至关重要的。

引线键合

- 窗的表面钝化上面键合焊盘被提供以允许引线接合到

死去的黄金焊垫。推荐使用引线键合过程使用0.076毫米X 0.013毫米（ 0.003" X 0.0005" ） 99.99 ％

纯金丝带0.5-2 ％的伸长率，以减少RF端口债券电感。黄金0.025毫米（ 0.001" ）直径

楔形或债券球是可以接受的直流偏置连接。应避免使用铝线。热压

接合建议虽然热超声键合，可以使用提供所述键的超声波内容是

最小化。粘结力，时间和超声波都是至关重要的参数。键应该从键合焊盘上进行

管芯在封装或基板上。所有键应该是尽可能地短。

如需订购部件号

CMM1100-BD-000V

PB-CMM1100-BD-0000

描述

符合RoHS标准模具装在真空释放凝胶包

CMM1100 -BD评估模块

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