0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2007年9月 - 修订版9月28日 - 07
CFS0303-SB
特点
AIGaAs /砷化铟镓/ AIGaAs赝
高电子迁移率晶体管（ pHEMT制）
高动态范围
低电流和电压
偏置点3V和60毫安
0.3分贝噪声系数在2GHz
17 dBm的P1dB为2 GHz的
33 dBm的OIP3在2 GHz
600米门宽度：50输出阻抗
优良的均匀性
低成本，表面贴装封装（ SOT- 343 ）
RO- HS标准建设
低热阻： 98℃ / W
应用
低噪声放大器和振荡器工作
在射频和微波频率范围
蜂窝/ PCS / GSM / W -CDMA
手机，基站接收机和
塔顶放大器
WIMAX， WLAN ， LEO ， GEO ， WLL / RLL ， GPS和
MMDS应用
通用离散的pHEMT对于其他超
低噪声和中等功率应用
功能框图（ SOT
-343)
来源
门
漏
来源
描述
MIMIX的pHEMT技术进行测试和验证
在军事，空间和商业应用。 MIMIX的
成熟的重负荷时， CF003-03 ，已经制造了
公司内部代工超过19年，现在是
提供包装形式为CFS0303 -SB 。
该CFS0303 -SB是一种高动态范围，低
噪音， pHEMT制封装在一个4引脚SOT- 343表面贴装
塑料封装。它被用于许多应用的操作
在0.1GHz至10GHz的频率范围。
MIMIX的高性能封装pHEMTs是
非常适合于所有应用中使用，其中的低噪声系数，高
增益，中等功率和良好的拦截是必需的。该
CFS0303 -SB是用于第一或第二的最佳解决方案
由于基站LNA阶段的完美结合
低噪声系数和线性度。它也非常适合作为
在极顶放大器和其他中等功率驱动级
发送的功能，特别是作为低热阻
可扩展的功耗时，电压和电流
调整可以提高输出功率和线性度。
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第17页1
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2007年9月 - 修订版9月28日 - 07
CFS0303-SB
电气特性
参数
TA = 25℃ ，在测试系统测得的典型设备的射频参数。
测试条件
民
典型值
最大
单位
饱和漏极当前1
夹断电压1
没有RF ，静态偏置电流
Transconductance1
栅漏漏电流
栅极漏电流
噪声系数
相关的增益2
输出三阶截点
1分贝增益压缩点2
VDS = 1.5V ， VGS = 0V
智能决策支持系统VDS = 1.5V ， IDS = 10 ％
VGS = 0.45V ， VDS = 2V
VDS = 2.5V 。通用汽车公司的Idss = / VP
VGD = 5
VGD = VGS = -4V
f=1000MHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=2GHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=1000MHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=2GHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=1000MHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=2GHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=1000MHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=2GHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
120
-0.8
190
165
-0.65
60
250
10
0.3
0.35
0.3
0.18
0.4
0.37
0.4
0.26
19.7
20.8
21.1
22.4
14.6
15.5
15.7
16.8
22.5
24.5
26.5
32.0
23.0
25.5
27.0
32.5
12.5
12.5
16.0
17.0
12.5
12.5
16.0
17.0
200
-0.5
250
150
0.7
0.53
0.8
0.61
13.1
16.1
15.3
18.3
24.0
24.5
14.0
14.0
mA
V
mA
mmho
A
A
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
注意事项：
1.保证在晶圆探针。
在固定调谐系统获得2.测量。
绝对最大额定值
1
参数
等级
参数
等级
参数
等级
漏源电压2
栅源电压2
栅极 - 漏极电压2
+5.5 V
-5.0 V
-5.0 V
漏电流2
RF输入功率
智能决策支持系统[3] A
17 dBm的
通道温度
储存温度
热阻
+175C
-65 ° C至+ 160°C
98C/W
总压水堆耗散560毫瓦
注意事项：
1.操作此设备的上面这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损害
2.假设DC静态条件。 RF OFF 。
3. VGS = 0V
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第17页2
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2007年9月 - 修订版9月28日 - 07
CFS0303-SB
典型的脉冲I- V性能
2.0 GHz的生产测试板框图用于噪声系数，相关的增益，P1dB和OIP3测量。
电路损耗已解嵌，从实际测量。
50 OHM
输电线路
包括栅极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
输入匹配电路
头 - 马格= 0.54
T-昂= 15
（ 0.4分贝损失）
50 OHM
输电线路
包括漏极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
输入
产量
DUT
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第17页3
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2007年9月 - 修订版9月28日 - 07
CFS0303-SB
典型性能
OIP3和P
1dB
与偏置在2GHz
35
OIP3
30
30
OIP3
1,2
35
OIP3和P
1dB
与我
DSQ
为1GHz
1,2
25
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
25
20
20
15
P
1dB
10
4V
3V
5
2V
0
0
10
20
30
I
DSQ
（MA ）
40
50
60
15
P
1dB
10
4V
3V
2V
0
0
10
20
30
I
DSQ
（MA ）
40
50
60
5
NF和Ga与偏置在2GHz
1.6
2
22
1.6
NF和Ga与偏置为1GHz
2
22
1.4
3V
2V
4V
20
??
1.4
20
Ga
1.2
18
1.2
18
1.0
NFmin （ dB）的
NFmin （ dB）的
Ga
16
嘎（分贝）
1.0
2V
3V
4V
16
嘎（分贝）
0.8
14
0.8
14
0.6
12
0.6
12
0.4
10
0.4
10
NFmin
0.2
8
0.2
NFmin
8
0
0
0
10
20
30
IDSQ （毫安）
40
50
60
?
6
?
6
0
10
20
IDSQ （毫安）
30
40
50
60
注意事项：
1. P1dB的OIP3和测量无源偏置执行。 Idsq设置为零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近，漏电流可能
增加或减少取决于频率和直流偏置点。在Idsq的较低值的设备运行在AB类模式和电流趋于上升
作为P1dB的逼近。作为一个例子，在一个的Vds = 3.0V和Idsq = 10毫安，标识增加到30毫安为16.5 P1dB的逼近。这增加电流不
不再表现为Idsq接近60毫安。
2.测量就固定调测试系统，以获得最佳噪声匹配设置。电路损耗已解嵌的实际测量值。
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第17页4
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2007年9月 - 修订版9月28日 - 07
CFS0303-SB
典型性能
Nfmin与频率和电流， VD = 3V
1.4
2
25
相关增益与频率和电流， VD = 3V
2
5mA
1.2
20
1
NFmin （ dB）的
10毫安
15mA
20mA
增益（dB ）
0.8
15
40mA
60mA
0.6
5mA
10毫安
0.4
10
15mA
20mA
5
0.2
40mA
60mA
0
10
0
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
7
8
9
10
Nfmin和相关增益与频率和温度， VD = 3V ，IDS = 20mA下
1
22
20
18
16
嘎？
25deg
85deg
40deg
NFmin
1.05
0.9
0.75
0.6
0.45
0.3
1.5
1.35
1.2
OIP3和P1dB为与频率和温度， VDS = 3V ，IDS = 20mA下
30
1,2
25
OIP3
14
12
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
OIP3 ， P1dB为（ DBM）
嘎（分贝）
NFmin （ dB）的
20
15
P
1dB
25deg
10
-40deg
85deg
5
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0.15
0
注意事项：
1. P1dB的OIP3和测量无源偏置执行。 Idsq设置为零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近，漏电流可能
增加或减少取决于频率和直流偏置点。在Idsq的较低值的设备运行在AB类模式和电流趋于上升
作为P1dB的逼近。作为一个例子，在一个的Vds = 3.0V和Idsq = 10毫安，标识增加到30毫安为16.5 P1dB的逼近。这增加电流不
不再表现为Idsq接近60毫安。
2.测量就固定调测试系统，以获得最佳噪声匹配设置。电路损耗已解嵌的实际测量值。
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第17页5
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2006年5月 - 修订版23月-06
CFS0303-SB
特点
AIGaAs /砷化铟镓/ AIGaAs赝
高电子迁移率晶体管（ pHEMT制）
高动态范围
低电流和电压
偏置点3V和60毫安
0.3分贝噪声系数在2GHz
17 dBm的P1dB为2 GHz的
33 dBm的OIP3在2 GHz
600米门宽度：50输出阻抗
优良的均匀性
低成本，表面贴装封装（ SOT- 343 ）
RO- HS标准建设
低热阻： 98℃ / W
应用
低噪声放大器和振荡器工作
在射频和微波频率范围
蜂窝/ PCS / GSM / W -CDMA
手机，基站接收机和
塔顶放大器
WIMAX， WLAN ， LEO ， GEO ， WLL / RLL ， GPS和
MMDS应用
通用离散的pHEMT对于其他超
低噪声和中等功率应用
功能框图（ SOT
-343)
来源
门
漏
来源
描述
MIMIX的pHEMT技术进行测试和验证
在军事，空间和商业应用。 MIMIX的
成熟的重负荷时， CF003-03 ，已经制造了
公司内部代工超过19年，现在是
提供包装形式为CFS0303 -SB 。
该CFS0303 -SB是一种高动态范围，低
噪音， pHEMT制封装在一个4引脚SOT- 343表面贴装
塑料封装。它被用于许多应用的操作
在0.1GHz至10GHz的频率范围。
MIMIX的高性能封装pHEMTs是
非常适合于所有应用中使用，其中的低噪声系数，高
增益，中等功率和良好的拦截是必需的。该
CFS0303 -SB是用于第一或第二的最佳解决方案
由于基站LNA阶段的完美结合
低噪声系数和线性度。它也非常适合作为
在极顶放大器和其他中等功率驱动级
发送的功能，特别是作为低热阻
可扩展的功耗时，电压和电流
调整可以提高输出功率和线性度。
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第17页1
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2006年5月 - 修订版23月-06
CFS0303-SB
电气特性
参数
TA = 25℃ ，在测试系统测得的典型设备的射频参数。
测试条件
民
典型值
最大
单位
饱和漏极当前1
夹断电压1
没有RF ，静态偏置电流
Transconductance1
栅漏漏电流
栅极漏电流
噪声系数
相关的增益2
输出三阶截点
1分贝增益压缩点2
VDS = 1.5V ， VGS = 0V
智能决策支持系统VDS = 1.5V ， IDS = 10 ％
VGS = 0.45V ， VDS = 2V
VDS = 2.5V 。通用汽车公司的Idss = / VP
VGD = 5
VGD = VGS = -4V
f=1000MHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=2GHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=1000MHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=2GHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=1000MHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=2GHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=1000MHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=2GHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
120
-0.8
190
165
-0.65
60
250
10
0.3
0.35
0.3
0.18
0.4
0.37
0.4
0.26
19.7
20.8
21.1
22.4
14.6
15.5
15.7
16.8
22.5
24.5
26.5
32.0
23.0
25.5
27.0
32.5
12.5
12.5
16.0
17.0
12.5
12.5
16.0
17.0
200
-0.5
250
150
0.7
0.53
0.8
0.61
13.1
16.1
15.3
18.3
24.0
24.5
14.0
14.0
mA
V
mA
mmho
A
A
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
注意事项：
1.保证在晶圆探针。
在固定调谐系统获得2.测量。
绝对最大额定值
1
参数
等级
参数
等级
参数
等级
漏源电压2
栅源电压2
栅极 - 漏极电压2
+5.5 V
-5.0 V
-5.0 V
漏电流2
RF输入功率
智能决策支持系统[3] A
17 dBm的
通道温度
储存温度
热阻
+175C
-65 ° C至+ 160°C
98C/W
总压水堆耗散560毫瓦
注意事项：
1.操作此设备的上面这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损害
2.假设DC静态条件。 RF OFF 。
3. VGS = 0V
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第17页2
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2006年5月 - 修订版23月-06
CFS0303-SB
典型的脉冲I- V性能
2.0 GHz的生产测试板框图用于噪声系数，相关的增益，P1dB和OIP3测量。
电路损耗已解嵌，从实际测量。
50 OHM
输电线路
包括栅极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
输入匹配电路
头 - 马格= 0.54
T-昂= 15
（ 0.4分贝损失）
50 OHM
输电线路
包括漏极偏置牛逼
（0.5 dB损耗）
输入
产量
DUT
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第17页3
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2006年5月 - 修订版23月-06
CFS0303-SB
典型性能
OIP3和P
1dB
与偏置在2GHz
35
OIP3
30
30
OIP3
1,2
35
OIP3和P
1dB
与我
DSQ
为1GHz
1,2
25
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
25
20
20
15
P
1dB
10
4V
3V
5
2V
0
0
10
20
30
I
DSQ
（MA ）
40
50
60
15
P
1dB
10
4V
3V
2V
0
0
10
20
30
I
DSQ
（MA ）
40
50
60
5
NF和Ga与偏置在2GHz
1.6
2
22
1.6
NF和Ga与偏置为1GHz
2
22
1.4
?
3V
?
2V
?
4V
20
??
1.4
20
Ga
??
1.2
18
1.2
18
1.0
NFmin （ dB）的
NFmin （ dB）的
Ga
16
嘎（分贝）
1.0
?
2V
?
3V
?
4V
16
嘎（分贝）
0.8
14
0.8
14
??
0.6
12
0.6
12
0.4
10
0.4
10
NFmin
0.2
8
0.2
NFmin
8
0
0
0
10
20
30
IDSQ （毫安）
40
50
60
?
6
?
6
0
10
20
IDSQ （毫安）
30
40
50
60
注意事项：
1. P1dB的OIP3和测量无源偏置执行。 Idsq设置为零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近，漏电流可能
增加或减少取决于频率和直流偏置点。在Idsq的较低值的设备运行在AB类模式和电流趋于上升
作为P1dB的逼近。作为一个例子，在一个的Vds = 3.0V和Idsq = 10毫安，标识增加到30毫安为16.5 P1dB的逼近。这增加电流不
不再表现为Idsq接近60毫安。
2.测量就固定调测试系统，以获得最佳噪声匹配设置。电路损耗已解嵌的实际测量值。
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第17页4
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2006年5月 - 修订版23月-06
CFS0303-SB
典型性能
Nfmin与频率和电流， VD = 3V
1.4
2
25
相关增益与频率和电流， VD = 3V
2
5mA
1.2
20
1
NFmin （ dB）的
10毫安
15mA
20mA
????
增益（dB ）
0.8
15
40mA
????
60mA?
????
0.6
5mA
10毫安
0.4
10
???
???
5
15mA
????
20mA
0.2
????
40mA
????
60mA?
0
10
0
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
7
8
9
10
Nfmin和相关增益与频率和温度， VD = 3V ，IDS = 20mA下
1
22
20
18
16
嘎？
25deg
85deg
40deg
NFmin
1.05
0.9
0.75
0.6
0.45
0.3
1.5
1.35
1.2
OIP3和P1dB为与频率和温度， VDS = 3V ，IDS = 20mA下
30
1,2
25
OIP3
14
12
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
OIP3 ， P1dB为（ DBM）
嘎（分贝）
NFmin （ dB）的
20
15
P
1dB
25deg
10
-40deg
85deg
5
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0.15
0
注意事项：
1. P1dB的OIP3和测量无源偏置执行。 Idsq设置为零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近，漏电流可能
增加或减少取决于频率和直流偏置点。在Idsq的较低值的设备运行在AB类模式和电流趋于上升
作为P1dB的逼近。作为一个例子，在一个的Vds = 3.0V和Idsq = 10毫安，标识增加到30毫安为16.5 P1dB的逼近。这增加电流不
不再表现为Idsq接近60毫安。
2.测量就固定调测试系统，以获得最佳噪声匹配设置。电路损耗已解嵌的实际测量值。
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第17页5
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
QQ：2880707522 复制
