PAM8302A
2.5W无滤波D类单声道音频放大器
主要特点
n
2.5W输出在10％ THD为4 Ω负载
和5V电源
n
无滤波器，低静态电流和低
EMI
n
高效率高达88％
n
优越的低噪
n
短路保护
n
热关断
n
很少的外部元件，以节省空间
与成本
n
MSOP - 8 ， SOP- 8和DFN3x3套餐
可用的
n
无铅封装
概述
该PAM8302A是一个2.5W的D类单声道音频
放大器。它的低THD + N功能提供了高
品质的声音再现。新滤波器
架构使该器件能够驱动扬声器
代替使用低通滤波器的输出直接
因此，节省了系统成本和PCB面积。
与外部元件的数量相同，
该PAM8302A的效率好得多
比AB类表兄弟。它可以优化
电池寿命因而非常适合便携式应用。
该PAM8302A可在MSOP - 8 ， SOP- 8
和DFN3x3包。
应用
n
n
n
n
n
n
PMP/MP4
全球定位系统
便携音箱
对讲机
免提电话/手机音箱
手机
典型用途
1μF
6
VDD
Ci
IN-
迪FF erential
输入
Ci
IN +
ON
关闭
Ri
Ri
4
IN-
VO-
8
3
1
PAM8302A
IN +
VO +
/ SD
GND
5
7
龙鼎微电子
,
INC。
www.poweranalog.com
1
2008年9月修订版1.2
PAM8302A
2.5W无滤波D类单声道音频放大器
绝对最大额定值
这些仅仅是极限参数和功能操作不暗示
.
暴露在绝对
对于延长的时间段可能会影响器件的可靠性最大额定值
.
所有的电压都是
对于地面
.
电源电压在无输入信号................... 6.6V
输入电压.............................- 0.3V至V
DD
+0.3V
最高结温.................. 150
°
C
储存温度.....................- 65
°
C至150
°
C
焊接温度....................... 300
°
C， 5秒
推荐工作条件
电源电压范围........................ 2.5V至5.5V
马克斯。电源电压（最大持续时间
30分钟） ............................................... .6.0V
工作环境温度
范围......................................... -40
°
C至85
°
C
结温范围.........- 40
°
C至125
°
C
热信息
参数
热阻
（结到环境）
符号
包
SOP-8
最大
115
180
47.9
单位
° C / W
° C / W
° C / W
θ
JA
MSOP-8
DFN 3x3-8
龙鼎微电子
,
INC。
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3
2008年9月修订版1.2
PAM8302A
2.5W无滤波D类单声道音频放大器
电气特性
V
DD
= 5V时，增益= 24分贝，R
L
=4 Ω, T
A
=25
°
C
，
除非另有说明。
参数
电源电压范围
静态电流
关断电流
符号
V
DD
I
Q
I
SHDN
空载
V
SHDN
=0V
F = 1kHz时，R
L
=4Ω
THD+N=10%
F = 1kHz时，R
L
=4Ω
输出功率
P
O
THD+N=1%
F = 1kHz时，R
L
=8Ω
THD+N=10%
F = 1kHz时，R
L
=8Ω
THD+N=1%
峰值效率
总谐波失真加
噪音
收益
电源纹波抑制
η
V
DD
=5V
V
DD
=3.6V
V
DD
=5V
V
DD
=3.6V
V
DD
=5V
V
DD
=3.6V
V
DD
=5V
V
DD
=3.6V
f=1kHz
2.50
1.25
2.00
0.95
1.50
0.80
1.30
0.65
85
88
%
W
条件
民
2.5
4
典型值
最大
5.5
8
1
单位
V
mA
μA
R
L
= 8Ω，P
O
= 0.1W ， F = 1kHz时
THD + N
0.30
0.45
0.35
0.40
24
dB
dB
45
50
%
R
L
= 8Ω，P
O
= 0.5W ， F = 1kHz时
R
L
= 4Ω，P
O
= 0.1W ， F = 1kHz时
R
L
= 4Ω，P
O
= 0.5W ， F = 1kHz时
Gv
PSRR
没有输入， F = 1kHz时， Vpp的= 200mV的
动态范围
信噪比
噪音
振荡器频率
漏极 - 源极导通状态
阻力
SHDN输入高
SHDN输入低
过温保护
在温度迟滞
DYN
SNR
Vn
f
OSC
R
DS （ ON）
V
中文
V
SL
OTP
OTH
F = 20 20KHz的
F = 20 20kHz的
无A加权
A计权
200
I
DS
=100mA
P MOSFET
MOSFET
1.2
90
80
180
120
250
0.45
0.20
0.4
135
30
300
dB
dB
μV
千赫
Ω
V
V
°C
°C
龙鼎微电子
,
INC。
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2008年9月修订版1.2
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