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PAM2306D
双路高效率PWM降压型DC- DC Coverter
特点
n
转换效率高达96 %
n
仅40μA (典型值每通道)静态
当前
n
输出电流:每通道高达1A
n
内部同步整流器器
n
1.5MHz的开关频率
n
软启动
n
欠压锁定
n
短路保护
n
热关断
n
小12L WDFN3x3套餐
n
无铅封装并符合RoHS标准
概述
该PAM2306D是一个双通道降压型电流 -
模式下,直流 - 直流转换器。在重负载时,该
恒-FR equency PWM控制执行
优异的稳定性和瞬态响应。对
确保最长的电池寿命的便携式
应用中, PAM2306D提供了加电
节能跳脉冲调制( PSM )模式
版UC EQ UI ê SC鄂西北CURR EN吨非德李GH TL OA
操作。
该PAM2306D支持多种输入
从2.5V至5.5V的电压,从而允许使用的
单节锂离子/锂聚合物电池,多个碱性/镍氢电池
细胞,USB及其它标准电源。该
双输出电压,可用于调适吨。
所有版本采用内部电源开关和
同步整流,以减少外部元件
countandrealizehighe FF icienc年。 ü R I N G -
关断时,输入从断开
输出和关断电流小于
0.1
μ
A.其他主要功能包括欠压
闭锁,以防止电池深度放电。
应用
n
n
n
n
n
手机
便携式电子产品
个人信息设备
无线和DSL调制解调器
MP3播放器
典型用途
L2
C
OUT2
10
μ
F
V
OUT2
V
IN2
1 V IN2
C
IN2
4.7μF
R12
2
3
4
5
C
Fw1
100 pF的
V
OUT1
C
OUT1
10
μ
F
R11
6
LX2
摹ND
FB1
NC1
ê N1
L1
PAM2306D
EN2 12
NC2
FB2
摹ND
LX1
V IN1
11
10
9
8
7
R22
C
IN1
4.7
μF
V
IN1
R21
C
FW2
100 pF的
V
的OUTx
=
V
REF
1
+
Rx1
Rx2
(
)
龙鼎微电子
,
INC。
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1
02/2012 Rev1.1起
PAM2306D
双路高效率PWM降压型DC- DC Coverter
框图
VINX
1
.
5M
OSC
COMP
+
IAMP
-
OSC
FBX
频率
S Q
-
EA
+
R1
R2
COMP
VIN
开关
逻辑
RS锁存器
消隐
电路
开关
(
PCH
)
ANTI
-
SHOOT
-
THRU
R Q
L XX
同步
整流器器
(
NCH
)
ê NX
0
.
6VREF
关闭
+
IRCMP
GND
-
龙鼎微电子
,
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2
02/2012 Rev1.1起
PAM2306D
双路高效率PWM降压型DC- DC Coverter
引脚配置和标识信息
顶视图
WDFN -12L 3x3的
VIN2
LX2
GND
F B1
n个C1
1
2
3
4
5
12
11
10
9
8
7
GND
ê N2
C2
F B2
GND
LX1
VIN1
v
1
:输出电压1
v
2
:输出电压2
(参见“
订购
信息“
)
X :内部代码
Y:年
W:周
EN 1 6
(裸露焊盘)
PIN号
1
2
3,9,
裸露焊盘
4
5,11
6
7
8
10
12
引脚名称
VIN2
LX2
GND
FB1
NC1,NC2
EN1
VIN1
LX1
FB2
EN2
引脚功能
通道2的电源输入。
销F或通道2的切换。
Ground.The暴露焊盘必须焊接到一个大的印刷电路板和连接到
GND F或最大功耗。
反馈通道1 。
无连接
芯片使能通道1
(活动
高) .V
EN1
≤V
IN1.
通道1的电源输入。
端子的切换,通道1 。
反馈通道2 。
芯片使能通道2
(活动
高) .V
EN2
≤V
IN2.
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,
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3
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PAM2306D
双路高效率PWM降压型DC- DC Coverter
绝对最大额定值
这些仅仅是极限参数和功能操作不暗示
.
暴露在绝对
对于延长的时间段可能会影响器件的可靠性最大额定值
.
所有的电压都是
对于地面
.
输入电压...................................- 0.3V至6.5V
ê N1 , FB1 , LX1 , EN2 , FB 2和LX2引脚电压.......
-0.3V到(V
IN
+0.3V)
最高结温.................. 150 °
C
存储温度范围...........- 65 ° 150 °
C
C
焊接温度..................... 260 ° 10秒
C,
推荐工作条件
电源电压.................................. 2.5V至5.5V
环境温度范围............- 40 °至85°
C
C
结温范围..........- 40 °至125 °
C
C
热信息
参数
热RESIS tance (结到环境)
热RES istance ( JUNC重刑的情况下)
功耗
符号
θ
JA
θ
J·C
P
D
WDFN 3x3-12
WDFN 3x3-12
WDFN 3x3-12
最大
60
8.5
1.66
单位
°
C / W
°
C / W
W
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4
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PAM2306D
双路高效率PWM降压型DC- DC Coverter
电气特性
T
A
= 25℃ ,V
IN
=3.6V, V
O
= 1.8V ,C
IN
= 10μF ,C
O
= 10μF ,L = 2.2μH ,除非另有说明。
参数
输入电压范围
监管的反馈电压
参考电压线路调整
稳压输出电压Accuary
峰值电感电流
输出电压线路调整
输出电压负载调整
静态电流(每通道)
关断电流(每通道)
振荡器频率Standard
漏源码, e在导通电阻
SW漏电流(每通道)
EN阈值高
EN阈值低
EN泄漏电流的年龄
过温保护
OTP
HYS teresis
符号
V
IN
V
FB
ΔV
F B
V
O
I
PK
LNR
LDR
I
Q
I
SD
f
OSC
R
DS (O N)
I
LSW
V
EH
V
EL
I
EN
OTP
OTH
±
0.01
150
30
1.5
0.3
I
O
= 100毫安
V
IN
=3V ,V
FB
= 0.5V或V
O
=90%
V
IN
= 2.5V至5V ,我
O
=10mA
I
O
= 1mA至1A
空载
V
EN
= 0V
V
O
= 100%
V
FB
= 0V或V
O
= 0V
I
DS
=100mA
P MOSFET
MOSFET
1.2
-3
1.5
0.2
1.5
40
0.1
1.5
500
0.3
0.35
±
0.01
0.45
0.5
1
70
1
1.8
0.5
测试条件
2.5
0.588
0.6
0.3
+3
典型值
最大
5.5
0.612
单位
V
V
% /V
%
A
% /V
%
A
A
兆赫
千赫
Ω
Ω
A
V
V
A
°
C
°
C
O
龙鼎微电子
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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