垫系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX垫系列
反向击穿电压
反向电容
绝对最大额定值
1
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（ PAD）
连续功率耗散（J / SSTPAD ）
最大电流
正向电流（ PAD）
正向电流（J / SSTPAD ）
50mA
10mA
*阴极绑案
300mW
350mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
JPAD
TO-92
底部视图
A
1
3
PICO安培二极管
BV
R
≥
-30V
C
RSS
≤
2.0pF
PAD1,2,5
TO-72
底部视图
2
PAD *
TO-72
底部视图
2
K
K*
C
A
1
SSTPAD
SOT-23
顶视图
K
1
3
K
1
A
2
A
K
2
常用的电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
R
V
F
C
RSS
特征
反向击穿
电压
正向电压
总的反向电容
PAD1,5
所有其他
ALL PAD
ALL SSTPAD
ALL JPAD
民
-45
-30
-35
0.8
0.5
1.5
1.5
0.8
2
pF
V
I
R
= -1A
I
F
= 5毫安
V
R
= -5V,
f
= 1MHz的
典型值
最大单位
条件
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
(SST/J)PAD1
(SST/J)PAD2
(SST/J)PAD5
I
R
最大反向
2
漏电流
(SST/J)PAD10
(SST/J)PAD20
(SST/J)PAD50
(SST/J)PAD100
(SST/J)PAD200
(SST/J)PAD500
PAD
2
-1
-2
-5
-10
-20
-50
-100
-5
-10
-20
-50
-100
-200
-500
-5
-10
-20
-50
pA
V
R
= -20V
JPAD
2
SSTPAD
2
单位
条件
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
图1.运算放大器保护
输入差分电压限制在0.8V （典型值）由JPADS
1
和D
2
。常见
模输入电压限制的JPADS
3
和D
4
至±15V 。
图2.采样保持电路
典型的采样保持电路与剪裁。 JPAD二极管降低失调
电压从JFET开关栅极电容供电。
图1
图2
+V
JPAD20
D1
D3
D2
D4
-
OP-27
+
-V
D2
+V
JPAD5
D1
2N4117A
2N4393
C
e
in
+15V -15V
控制
信号
R
V
OUT
TO-72
三导
0.195 DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
0.170
0.195
0.175
0.195
TO-92
0.130
0.155
0.045
0.060
0.89
1.03
SOT-23
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
3
2
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
2.80
3.04
3 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.016
0.022
0.500
0.610
0.014
0.020
0.89
1.12
0.050
0.013
0.100
1
2
0.55
尺寸
MILLIMETERS
1
2
3
0.095
0.105
尺寸
英寸。
45°
0.046
0.036
0.048
0.028
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
PAD的类型号表示在微微安培的最大反向电流值。与我的设备
R
值的中间所示的那些
可根据要求提供。
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
低漏
微微安培二极管
公司
PAD1 / PAD2 / PAD 5 / PAD10 / PAD20 / PAD50
特点
描述
Calogic的一系列微微安培二极管是一个很好的选择
保护装置，其中超低泄漏是非常关键的，并且必须
在一个最小的测量。这些器件具有宽的工作
电压范围内，并且用于高速开关的低电容
要求。装在一个密封的TO- 18封装
产品线也为混合用途的芯片形式提供。
订购信息
部分
包
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
PAD1-100密封的TO- 18
在运营商XPAD1-100排序芯片
低漏。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1 PA（ PAD1 ）
高.Breakdown.Range V分钟 - 120 V MAX（ PAD1 ， 2,5）
. . . . . . . . . . . . . . . . . -45
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -35V分钟（ PAD10 ，20，50 ，100）
低电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8 PF （ PAD1 ， 2,5）
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0粉煤（ PAD10 ，20，50 ，100）
高阻抗保护器件
快速开关二极管
削波电路
应用
引脚配置
阳极
例
（ CLIPPED ）
阴极
底部视图
5007
原理图
阳极
阴极
A
C
PAD1 / PAD2 / PAD 5 / PAD10 / PAD20 / PAD50
公司
绝对最大额定值（ 25
o
C)
正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
器件总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫瓦
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
焊接温度（ 16"分之1案件从10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
电气特性
(25
o
C除非另有说明）
符号
STATIC
-1
-2
-5
I
R
反向电流
-10
-20
-50
-100
BV
R
V
F
动态
C
R
电容
0.8
2
pF
V
R
= -5 V ， F = 1兆赫
PAD1 ， 2 ， 5
PAD10 ， 20 ，50，100
击穿电压（反向）
正向电压降
-45
-35
0.8
1.5
-120
V
I
R
= -1A
PAD10 ， 20 ，50，100
I
F
= 5毫安
PAD1 ，2，5 ，10，20 ，50，100
pA
VR = -20 V
PAD1
PAD2
PAD5
PAD10
PAD20
PAD50
PAD100
PAD1 ， 2 ， 5
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
I
R
＆ LT ; 1帕
PAD10
_
D
1
D
3
+15V
D
2
D
4
-15V
1
+
+V
-V
PAD1
+
PAD1
J110
e
in
控制信号
J210
V
OUT
C
应用
运算放大器的保护。输入差分电压
仅限于0.8 V（典型值）由PADS
1
和D
2
共模
输入电压限制了PADS
3
和D
4
to
±15
V.
典型的采样和保持电路具有限幅。 PAD二极管
减少偏移电压电容性地从FET开关送入
门。
垫系列
线性集成系统
特点
直接替代SILICONIX垫系列
反向击穿电压
反向电容
绝对最大额定值
1
@ 25 ° C（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（ PAD）
连续功率耗散（J / SSTPAD ）
最大电流
正向电流（ PAD）
正向电流（J / SSTPAD ）
50mA
10mA
*阴极绑案
300mW
350mW
-65至+150°C
-55至+135 ℃，
JPAD
TO-92
底部视图
A
1
3
PICO安培二极管
BV
R
≥
-30V
C
RSS
≤
2.0pF
PAD1,2,5
TO-72
底部视图
2
PAD *
TO-72
底部视图
2
K
K*
C
A
1
SSTPAD
SOT-23
顶视图
K
1
3
K
1
A
2
A
K
2
常用的电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
BV
R
V
F
C
RSS
特征
反向击穿
电压
正向电压
总的反向电容
PAD1,5
所有其他
ALL PAD
ALL SSTPAD
ALL JPAD
民
-45
-30
-35
0.8
0.5
1.5
1.5
0.8
2
pF
V
I
R
= -1A
I
F
= 5毫安
V
R
= -5V,
f
= 1MHz的
典型值
最大单位
条件
特定电气特性@ 25 ° C（除非另有说明）
符号
特征
(SST/J)PAD1
(SST/J)PAD2
(SST/J)PAD5
I
R
最大反向
2
漏电流
(SST/J)PAD10
(SST/J)PAD20
(SST/J)PAD50
(SST/J)PAD100
(SST/J)PAD200
(SST/J)PAD500
PAD
2
-1
-2
-5
-10
-20
-50
-100
-5
-10
-20
-50
-100
-200
-500
-5
-10
-20
-50
pA
V
R
= -20V
JPAD
2
SSTPAD
2
单位
条件
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
图1.运算放大器保护
输入差分电压限制在0.8V （典型值）由JPADS
1
和D
2
。常见
模输入电压限制的JPADS
3
和D
4
至±15V 。
图2.采样保持电路
典型的采样保持电路与剪裁。 JPAD二极管降低失调
电压从JFET开关栅极电容供电。
图1
图2
+V
JPAD20
D1
D3
D2
D4
-
OP-27
+
-V
D2
+V
JPAD5
D1
2N4117A
2N4393
C
e
in
+15V -15V
控制
信号
R
V
OUT
TO-72
三导
0.195 DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
0.170
0.195
0.175
0.195
TO-92
0.130
0.155
0.045
0.060
0.89
1.03
SOT-23
1
1.78
2.05
0.37
0.51
LS XXX
YYWW
3
2
1.20
1.40
2.10
2.64
0.085
0.180
2.80
3.04
3 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.016
0.022
0.500
0.610
0.014
0.020
0.89
1.12
0.050
0.013
0.100
1
2
0.55
尺寸
MILLIMETERS
1
2
3
0.095
0.105
尺寸
英寸。
45°
0.046
0.036
0.048
0.028
1.
2.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
PAD的类型号表示在微微安培的最大反向电流值。与我的设备
R
值的中间所示的那些
可根据要求提供。
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则，根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特，加利福尼亚州94538 电话： 510 490-9160 传真： 510 353-0261
PAD2
低漏
PICO -AMP二极管
线性系统替换停产Siliconix公司PAD2
该PAD2是低漏电微微安培二极管封装在密封
TO-72
该PAD2非常低漏电二极管提供了一个
高级替代传统的二极管
技术时，反向电流（漏）必须
最小化。的PAD2提供的泄漏电流的
-2 pA的并且很适合于使用在诸如
对运算放大器的输入保护。
特点是什么？
DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIXPAD2
反向击穿电压
超低漏
REVERSE电容
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
ForwardCurrent(Note1)
BV
R
≥‐45V
≤2pA
C
RSS
≤2.0pF
PAD2优点：
可以忽略不计电路漏电贡献
电路“透明”除了分流
高频尖峰
操作简单
‐65°Cto+150°C
‐55°Cto+135°C
300mW
50mA
PAD2应用：
运算放大器的输入保护
多路复用过压保护
PAD2ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
（典型值） *
BV
R
反向击穿电压
‐45
‐‐
V
F
正向电压
‐‐
0.8
C
RSS
总的反向电容
‐‐
1.5
I
R
最大反向漏电流
‐‐
‐‐
点击购买
马克斯。
‐‐
1.5
2
‐2
单位“
V
V
pF
pA
TO- 72 （底视图）
条件“
I
R
=‐1A
I
F
=5mA
V
R
=‐5V,f=1MHz
V
R
=‐20V
注意事项：
1.绝对最大额定值的限制值，超过该PAD2适用性可能受到损害。
可用的软件包：
PAD2在TO- 72
PAD2可作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸
A
2
Micross组件欧洲
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
http://www.micross.com/distribution.com
1
3
C
C
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
Micross组件有限公司，英国，电话： +44 1603 788967 ，传真： +44 1603788920 ，邮箱：
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网址：
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