2通道ESD保护阵列
PACDN004
特点
双通道ESD保护
+
8kV接触，
+
15kV空气的ESD保护
每个通道（ IEC 61000-4-2标准）
+
每通道ESD保护的15千伏（ HBM ）
3 pF的典型的低负载电容
低漏电流非常适用于电池供电
器件
小型4引脚SOT- 143封装
符合RoHS （无铅）整理
产品说明
该PACDN004是二极管阵列设计为提供
两个信道的ESD保护用于电子
部件或子系统。每个通道都包括
一对二极管，其装载机的ESD电流
脉冲无论对正（Ⅴ
P
）或负（Ⅴ
N
)
供应量。该PACDN004将防止ESD
脉冲高达
±15kV
人体模型，并
±8kV
按国际标准IEC接触放电
61000-4-2.
应用
消费类电子产品
手机
掌上电脑
笔记本电脑
台式电脑
数码相机和摄像机
桌面VGA （视频）端口保护
和便携式电脑
此装置具有相同特性的
PACDN006 （ 6通道阵列） 。它们可以用于
一起，以提供一个更大的数
如果需要保护的投入。这种装置特别
非常适合于各种便携式电子设备的
（例如，蜂窝电话，PDA ，笔记本电脑）
因为它的小封装尺寸的高ESD
防护等级和低负载电容。这是
也适合用于保护视频输出线和I / O的
港口在计算机和外围设备。
该PACDN004可使用符合RoHS标准
无铅精加工。
2010 SCILLC 。版权所有。
2010年5月第3版
出版订单号：
PACDN004/D
PACDN004
引脚说明
针
1
2
3
4
名字
V
N
CH1
CH2
V
P
TYPE
GND
I / O
I / O
供应
描述
负电压电源轨或接地基准轨道
ESD通道1
ESD频道2
正电压电源轨
订购信息
品名信息
引脚
4
包
SOT-143
订货型号
1
PACDN004SR
最热
D014
注1 ：部件是运带&卷轴形式，除非另有规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
P
- V
N
)
二极管的正向直流电流（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
任意信道输入的直流电压
封装额定功率
等级
6.0
20
-40至+85
-65到+150
(V
N
- 0.5）至（Ⅴ
P
+ 0.5)
225
单位
V
mA
°C
°C
V
mW
注1 ：只有一个二极管导通的时间。
修订版3 |第9 3 | www.onsemi.com
PACDN004
标准工作条件
参数
工作温度范围
工作电源电压（V
P
- V
N
)
等级
-40至+85
0至5.5
单位
°C
V
电气运行特性
（见注1 ）
符号
I
P
V
F
I
泄漏
C
IN
参数
电源电流
二极管的正向电压
道泄漏电流
通道输入电容
@ 1 MHz时，V
P
=5V,
V
N
=0V, V
IN
=2.5V
条件
(V
P
-V
N
)=5.5V
I
F
= 20mA下
0.65
+0.1
3
民
典型值
最大
10
0.95
+1.0
5
单位
μA
V
μA
pF
V
ESD
ESD保护
峰值放电电压在任何
通道输入，系统
一）人体模型， MIL -STD-
883 ，方法3015
B）每个接触放电
IEC 61000-4-2标准
三）符合IEC 61000-4-2气隙放电
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
注2
注意到图2和3
注意到2,4
注意到2,4
@ 15kV的ESD HBM ;
注意到图2和3
V
P
+ 13.0
V
N
- 13.0
V
V
+15
+8
+15
kV
kV
kV
V
CL
注1 ：在T指定的所有参数
A
= 25℃，除非另有说明。 V
P
= 5V, V
N
= 0V ，除非另有说明。
注2 ：从I / O引脚到V
P
或V
N
只。 V
P
旁路到V
N
一个0.22μF的陶瓷电容（见申请信息
更多详细信息） 。
注3 ：每个人体模型MIL -STD -883方法3015 ，C
放电
= 100pF电容，R
放电
= 1.5KΩ ，V
P
= 5.0V, V
N
接地。
注4 ：标准IEC 61000-4-2用C
放电
= 150pF的，R
放电
= 330Ω, V
P
= 5.0V, V
N
接地。
启示录
3
|第9 4 | www.onsemi.com
PACDN004
演出信息
输入电容与输入电压
修订版3 |第9 5 | www.onsemi.com
加利福尼亚微设备公司
PAC DN004
应用
?? I / O端口：保护手机，
笔记本电脑，PDA等
??对于敏感的ESD保护
电子设备。
??对于应用中的ESD保护
低电容负载是必需的。
2通道ESD保护阵列
特点
?? 2通道ESD保护
?? 15KV ESD保护（ HBM ）
?? 8kV接触放电ESD保护
符合IEC 61000-4-2
??低负载电容， 3 pF的典型。
??小型4引脚SOT- 143封装
产品说明
在PAC ？ DN004是二极管阵列设计提供两个信道的ESD保护的用于电子部件或分
系统。每个信道由一对二极管，其中拨转ESD电流脉冲或者到正（Ⅴ
P
）或负
(V
N
）供应。在PAC ？ DN004将防止ESD脉冲高达15 kV人体模型和8kV接触放电
按国际标准IEC 61000-4-2 。
该器件具有相同特性的PAC ？ DN006 （ 6通道阵列） 。它们可以一起使用，以提供
如果需要的保护输入一个更大的数字。此设备尤其适合于便携式电子设备（例如蜂窝
手机，PDA ，笔记本电脑，因为它的小封装尺寸，高ESD保护水平，低负荷）
电容。它也适合用于保护视频输出线和I / O端口在计算机和外围设备。
绝对最大额定值
二极管的正向直流电流
（注1 ）
20mA
°
储存温度
-65℃至150
°
C
工作温度范围
-20 ° C至85°C
在任何通道输入V直流电压
N
-0.5V到V
P
+0.5V
注1 ：只有一个二极管导通的时间。
概略结构
4
V
P
I / O 1
2
3
I / O 2
1
V
N
参数
工作电源电压（V
P
- V
N
)
电源电流（ V
P
- V
N
） = 5.5V ， T = 25℃
IODE正向电压，I
F
= 20mA下，T = 25°C
ESD保护
包括峰值D ischarge电压在任何通道输入，在系统
（注2 ）
000
人体模型，方法3015
（注3,4）
000
符合IEC 61000-4-2 D连接器ischarge
（注
5
)
通道钳位电压@ 15KV ESD HBM ， T = 25℃
000
积极瞬变
000
负瞬态
道泄漏电流，T = 25°C
通道输入电容（测量@ 1兆赫）
V
P
= 5V, V
N
= 0V, V
IN
= 2 .5 V
（注4 ）
封装额定功率
记
记
记
记
2:
3:
4:
5:
标准规格
分钟。
0.65 V
± 15千伏
± 8千伏
典型值。
马克斯。
5.5 V
10 A
0.95 V
（注3,4）
±0.1 A
3pF
V
P
+ 13.0 V
V
N
- 13.0 V
±1.0 A
6pF
225mW
从I / O引脚V
P
或V
N
只。 V
P
旁路到V
N
0.2
F
陶瓷电容器。
每个人体模型MIL -STD -883方法3015 ，C
放电
= 100pF电容，R
放电
=1.5K
, V
P
=5.0V, V
N
≥GND 。
此参数是通过特性保证。
标准IEC 61000-4-2用C
放电
= 150pF的，且R
放电
=330
, V
P
=5V, V
N
≥GND 。
1999加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
P / ACTIVE
是一个注册商标， PAC是加利福尼亚微设备公司的商标。
11/99
C0280498D
215黄玉街， Milpitas，加利福尼亚95035
联系电话： （ 408 ） 263-3214
传真： （ 408 ） 263-7846
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1
加利福尼亚微设备公司
输入电容与输入电压
5
PAC DN004
输入电容（pF ）
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
输入电压
的C典型变化
IN
随着V
IN
(V
P
= 5V, V
N
V之间= 0V ， 0.1μF的贴片电容
P
＆放大器; V
N
)
ST
ANDAR
D部分订购信息
包
订货型号
风格
最热
SOT-143
值D N 004
引脚
4
订货时请注明所需运费：管或磁带&卷轴。
应用信息
另请参阅加利福尼亚微设备公司的应用笔记AP209 ， ??设计考虑ESD保护。 ??
为了实现对ESD脉冲的最大的保护，必须注意在PCB布局，以减少
寄生串联电感在电源和地轨。参阅图1 ，其示出了一个正的情况下
输入通道和底盘接地之间的ESD脉冲应用。的寄生串联电感回功率
供应用L表示
1
。电压V
Z
在被保护线路：
V
Z
= D的正向电压降
1
+ L
1
x厚（I
ESD
） / DT + V
供应
在那里我
ESD
是ESD电流脉冲，和V
供应
是正电源电压。
图1
在ESD电流脉冲可以从零上升到其峰值在很短的时间。作为一个例子，一个4级的接触放电
每次在上升，从零到30安培1ns的电流脉冲的IEC 61000-4-2标准的结果。在这里， D（我
ESD
） / DT可
通过近似
I
ESD
/ΔT ，或30 / （ 1×10
-9
） 。因此，只要10nH到串联电感（L
1
）将导致300V增量V
Z
!
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2
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加利福尼亚微设备公司
PAC DN004
同样，对于负ESD脉冲，寄生串联电感从V
N
脚在地上轨道会导致显着
上线增加负电压的保护。
另一个要考虑的是用于快速瞬态电流的电源的输出阻抗。大多数电源
表现出相当高的输出阻抗，以快速瞬态电流尖峰。在V
Z
上述等式中，V
供应
来看，在
现实中，是通过（Ⅴ给出
DC
+ I
ESD
个R
OUT
） ，其中V
DC
和R
OUT
是标称电源的DC输出电压和有效输出
电源分别阻抗。作为一个例子，其特征
OUT
1欧姆将导致一个10V增量V中
Z
一
峰值I
ESD
的10A 。
为了减轻这些影响，高频旁路电容应连接在V之间
P
该ESD保护引脚
阵列和所述接地平面。这个旁路电容的值的选择应使得其会吸收电荷
在V微小转移的ESD脉冲
P
。通常在0.1 μF至0.2 μF范围内的值是足够的
IEC - 61000-4-2第4级接触放电保护（ 8KV ） 。对于更高的ESD电压，旁路电容应
相应增加。安装短的印刷电路板走线的陶瓷贴片电容是本不错的选择
应用程序。应避免使用电解电容，因为它们具有差的高频特性。对于额外的保护，
平行于旁路电容器连接一个齐纳二极管，以减轻寄生串联电感的影响
固有的电容器。齐纳二极管的击穿电压应比最大供应略高
电压。
作为一般规则，预计将ESD保护阵列应尽可能靠近尽可能入口点
静电放电。上面提到的电源旁路电容应尽量靠近V
P
的销
保护阵列成为可能，以最小的PCB走线长度的电源层和接地层，以减少杂散
串联电感。
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