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加利福尼亚微设备公司
PAC DN002
应用
??并行打印机端口保护
??对于敏感的ESD保护
电子设备
??简易替换的PDN 002
17通道ESD保护阵列
特点
?? 17信道的ESD保护
??每8kV接触放电ESD保护
IEC 61000-4-2
?? 15KV ESD保护( HBM )
??低负载电容5.5pF (典型值) 。
?? 20引脚SOIC或QSOP封装
产品说明
在PAC DN002 ?被二极管阵列设计为提供17个频道的ESD保护的用于电子部件或
子系统。每个信道由一对二极管,其中拨转ESD电流脉冲或者到正(Ⅴ
P
)或
负(V
N
)供应。该委员会DN002将防止ESD脉冲高达15kV人体模式。
此设备尤其适合于提供用于并行打印机端口的额外的ESD保护。它具有低
负载电容为所有的信号线。
绝对最大额定值
概略结构
二极管的正向直流电流
(注1 )
20mA
°
储存温度
-65℃至150
°
C
工作温度范围
-20 ° C至85°C
在任何通道输入V直流电压
N
-0.5V到V
P
+0.5V
注1 :只有一个二极管导通的时间。
标准规格
标准SPECIFICATI
Mi
NS
O
n.
参数
PARA
ATI
ETER
upply电压(V - V)
分钟。
OPER
m
吴S
P
N
Op
pp
a
y
ING
r
S
耳鼻喉科
p
(
l
V
Vo
V
年龄(V
P
2 0.0 V,T = 25°C
Su
er
l
t
P
-
lt
N
) = 1
- V
N
)
Su
ODE
y
F
Cu
w
ENT (V
P
踏歌,我
=
= 20
0 V,
,
T
T =
5°C
0.65 V
Di
PPL
or
rr
ARD卷
- V
N
)
F
1 2 .
mA
=2
2
C
0.65 V
IODE正向电压,I
F
= 20mA下,T = 25°C
ESD保护
ESD保护
电压在任何通道输入
电压在任何通道输入
人体模型,方法3015
(见注2,3)
±15KV
人体模型,方法3015
(见注2,3)
±15KV
±8KV
符合IEC 1000-4-2 (接触放电
见注4 )
±8KV
符合IEC 1000-4-2 D连接器ischarge (
见注4 )
通道钳位电压下, ESD测试条件
通道钳位电压下, ESD测试条件
上述规定,T = 25°C (
注2,3,4)
上述规定,T = 25°C (
注2,3,4)
积极瞬变
积极瞬变
00
负瞬态
00
负瞬态
道泄漏电流,T = 25°C
道泄漏电流,T = 25°C
通道输入电容(测量@ 1兆赫)
V
P
= 12V, V
N
= 0V, V
IN
= 6 V (
见注4 )
封装额定功率
注2 :
注3 :
注4 :
典型值。
典型值。
马克斯。
M
.0
.
12
ax
V
12 0 V
10
.
A
10
0
V
1.
A
1.0 V
±0.1 A
±0.1 A
5.5pF
V
P
+ 13.0 V
V
P
+ 13.0 V
V
N
- 13.0 V
V
N
- 13.0 V
±1.0 A
±1.0 A
12pF
1.00W
从I / O引脚V
P
或V
N
只。 V
P
旁路到V
N
0.2
F的陶瓷电容。
每个人体模型MIL -STD -883方法3015 ,C
放电
= 100pF电容,R
放电
=1.5K
, V
P
=12V, V
N
≥GND 。
此参数是通过特性保证。
1999加利福尼亚微设备公司保留所有权利。 P /主动?和PAC ?是加利福尼亚微设备公司的商标。
11/99
C0270498D
215黄玉街, Milpitas,加利福尼亚95035
联系电话: ( 408 ) 263-3214
传真: ( 408 ) 263-7846
www.calmicro.com
1
加利福尼亚微设备公司
输入电容与输入电压
12
11
PAC DN002
输入电容(pF )
10
9
8
7
6
5
4
3
2
0
2
4
6
8
10
12
输入电压( V)
的C典型变化
IN
随着V
IN
(V
P
= 12V, V
N
V之间= 0V , 0.1μF的贴片电容
P
&放大器; V
N
)
标准件奥德环信息
订货型号
风格
最热
SOIC
QSOP
PACD N002S
PACD N002Q
引脚
20
20
订货时请注明所需运费:管或磁带&卷轴。
应用信息
另请参阅加利福尼亚微设备公司的应用笔记AP209 , ??设计考虑ESD保护。 ??
为了实现对ESD脉冲的最大的保护,必须注意在PCB布局,以减少
寄生串联电感在电源和地轨。参阅图1 ,其示出了一个正的情况下
输入通道和底盘接地之间的ESD脉冲应用。的寄生串联电感回功率
供应用L表示
1
。电压V
Z
在被保护线路:
V
Z
= D的正向电压降
1
+ L
1
x厚(I
ESD
) / DT + V
供应
在那里我
ESD
是ESD电流脉冲,和V
供应
是正电源电压。
图1
在ESD电流脉冲可以从零上升到其峰值在很短的时间。作为一个例子,一个4级的接触放电
每次在上升,从零到30安培1ns的电流脉冲的IEC 61000-4-2标准的结果。在这里, D(我
ESD
) / DT可
通过近似
I
ESD
/ΔT ,或30 / ( 1×10
-9
) 。因此,只要10nH到串联电感(L
1
)将导致300V增量V
Z
!
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PAC DN002
同样,对于负ESD脉冲,寄生串联电感从V
N
脚在地上轨道会导致显着
上线增加负电压的保护。
另一个要考虑的是用于快速瞬态电流的电源的输出阻抗。大多数电源
表现出相当高的输出阻抗,以快速瞬态电流尖峰。在V
Z
上述等式中,V
供应
来看,在
现实中,是通过(Ⅴ给出
DC
+ I
ESD
个R
OUT
) ,其中V
DC
和R
OUT
是标称电源的DC输出电压和有效输出
电源分别阻抗。作为一个例子,其特征
OUT
1欧姆将导致一个10V增量V中
Z
峰值I
ESD
的10A 。
为了减轻这些影响,高频旁路电容应连接在V之间
P
该ESD保护引脚
阵列和所述接地平面。这个旁路电容的值的选择应使得其会吸收电荷
在V微小转移的ESD脉冲
P
。通常在0.1 μF至0.2 μF范围内的值是足够的
IEC - 61000-4-2第4级接触放电保护( 8KV ) 。对于更高的ESD电压,旁路电容应
相应增加。安装短的印刷电路板走线的陶瓷贴片电容是本不错的选择
应用程序。应避免使用电解电容,因为它们具有差的高频特性。对于额外的保护,
平行于旁路电容器连接一个齐纳二极管,以减轻寄生串联电感的影响
固有的电容器。齐纳二极管的击穿电压应比最大供应略高
电压。
作为一般规则,预计将ESD保护阵列应尽可能靠近尽可能入口点
静电放电。上面提到的电源旁路电容应尽量靠近V
P
的销
保护阵列成为可能,以最小的PCB走线长度的电源层和接地层,以减少杂散
串联电感。
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