高压功率运算放大器
PA90
M I C R T E C H N 0 1 摹
HTTP://WWW.APEXMICROTECH.COM
（ 800 ） 546 - APEX
(800) 546-2739
特点
高电压 - 400V （ ± 200V ）
低静态电流 - 10毫安
高输出电流 - 200毫安
可编程电流限制
高压摆率 - 300V / μs的
应用
压电定位
高电压测量仪器
静电传感器
可编程电源高达390V
典型用途
R
F
+V
S
描述
该PA90是一种高电压，低静态电流MOSFET
运算放大器呃设计为用于驱动一个低成本的解决方案
连续输出电流高达200mA的脉冲电流高达
至350mA 。安全工作区（SOA ）无二次
击穿限制，可以为所有类型的负载可以观察到
通过选择适当的限流电阻。该
MOSFET输出级的偏置AB线性工作。
外部补偿提供了灵活性地选择频带 -
宽度和压摆率的应用程序。 APEX的Power SIP
封装采用的是最小的电路板空间，可用于高
密度电路板。
R
IN
1
11,12
压电驱动
PA90
6
V
OUT
2
电脑
焦点
命令
电压
9,10
7,8
R
CL
–V
S
低功耗，压电定位
压电定位可以被应用到的段的聚焦
mented镜系统。该复合镜可以的COM
提出了几百个元素，每个要求下聚焦
计算机控制。在这样复杂的系统的PA90减少
电源的成本，并与它的优点的冷却
低成本和低静态功耗，同时increas-
ING电路密度的SIP封装。
等效原理图
12
11
+V
S
R1 R2
C1
R3
Q1
Q6
Q5
Q2
5
CC2
Q3
R4
Q4
ILIM
9
Q8
Q11
R7
10
6
OUT
Q12
3
I
Q
Q16
Q13
相位补偿
收益
≥1
≥5
≥10
≥30
Cc*
68pF
10pF
4.7pF
无
Rc
100
100
0
0
4
CC1
1
In
R5
R8
R9
R6
* cc到堪称为整个电源电压
+ V将-Vs 。使用NPO陶瓷（ COG ）型。
外部连接
Q14
R10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
包装： SIP03
10
11
12
2
+ IN
Q15
Rc
Cc
R
CL
R11
–V
S
7
8
R12
In
+ IN
*
*
-VS
+ VS
I
Q
（见正文）。
加载
与反馈
*为必填旁路。
APEX微技术有限公司
电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
PA90
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流源，汇，峰值
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10S最大
温度，结
2
温度，贮藏
工作温度范围，案例
绝对最大额定值
特定网络阳离子
400V
350mA，可在SOA
30W
±20V
±V
S
220°C
150°C
-65到+ 150°C
-55到+ 125°C
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压，与电源
失调电压，随时间变化
偏置电流，初始
偏置电流与电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
3
共模抑制， DC
噪音
收益
开环， @ 15Hz的
增益带宽积1MHz时
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
3
当前，连续
压摆率，
V
= 100
容性负载，A
V
= +1
建立时间0.1 ％
性，空载
电源
电压
5
当前，静止的，
热
电阻，交流，结到管壳
4
电阻，直流，结到管壳
电阻，结到空气
温度范围内的情况下
注：1 。
2.
3.
4.
5.
整个温度范围内，女> 60Hz的
整个温度范围内，女< 60Hz的
整个温度范围
满足全方位的特定网络阳离子
2.5
4.2
30
–25
+85
° C / W
° C / W
° C / W
°C
见注5
±40
±150
10
±200
14
V
mA
I
O
= 200毫安
C
C
=打开
整个温度范围
C
C
= OPEN ， 2V阶跃
R
L
=为2kΩ ，C
C
=打开
R
L
=为2kΩ ，C
C
=打开
R
L
=为2kΩ ，C
C
=打开
整个温度范围
94
111
100
470
60
±V
S
10
300
1
50
dB
兆赫
千赫
°
V
mA
V / μs的
pF
s
整个温度范围
.5
15
10
75
200
4
50
10
11
4
98
1
2
50
25
2000
500
mV
μV/°C
V/V
μV / √kh
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
μVRMS
测试条件
1
民
典型值
最大
单位
V
CM
=
±90V
100kHz的带宽，R
S
= 1kΩ的，C
C
=打开
±V
S
15
80
除非另有说明：T已
C
= 25 ° C，DC输入规格
±
值给出。电源电压是典型评级。
C
= 100
C
C
= 68pF的。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。
+V
S
和-V
S
表示的正和负电源轨分别。
等级的情况发生的速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替大于60Hz的速度更快。
减额最大供应评分0.625 V / ℃，低于25 ℃的情况下。没有必要降额高于25 ℃的情况下。
该PA90是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
小心
APEX微技术有限公司
5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
±
±V
S
12
200
240
470
±
±
典型性能
图的
PA90
相位响应
90
内部功耗， P（ W）
40
32
24
16
8
0
0
功率降额
归一化静态电流，我
Q
(X)
归一化QUIES 。 CURRENT
1.3
135
相，
Φ
(°)
1.2
180
CC = 68 pF的
CC = 10 pF的
CC = 4.7 pF的
CC = OPEN
1M
10M
频率f（赫兹）
1.1
225
25
50
75 100 125 150
外壳温度，T
C
(°C)
270
100k
1.0
25
50
100
75
125
外壳温度TC （ ℃）
小信号响应
50
电压降从供给，V
S
– V
O
(V)
输出电压摆幅
6
400
功率响应
输出电压V
O
(V )
P-P
300
开环增益， A（分贝）
40
30
20
10
5.5
5
4.5
4
3.5
0
0.15
.05
0.1
输出电流，I
O
(A)
0.2
C
C
=
200
C
C
=
N
OPE
C
C
=
F
4.7p
C
C
=
F
10p
100
80
70
60
50
F
68p
CC = 68 pF的
0 CC = 10 pF的
CC = 4.7 pF的
-10 CC = OPEN
1M
10M
100K
频率f （ HZ）
10K
100K
1M
频率f （ HZ）
1K
700
500
1
R
L
= 1K
V
S
=
±200V
A
V
= 63
.1
P
O
= 17.6W
输入噪声电压，V
N
（NV赫兹）
压摆率
谐波失真
20
15
10
7
5
输入噪声电压
压摆率（V /
S)
100
70
50
40
30
20
10
0.1
1
10
100
EXT 。补偿电容C
C
（PF ）
失真， （％）
300
200
.01
P
O
= 1W
P
O
= 5W
3
2
10
.001
10
100
1K
10K
频率f （ HZ）
100K
100
1K
10K
频率f （ HZ）
100K
电流限制
.2
电流限制， II
LIM
(A)
.15
.1
.05
0
0
4
8
12 16 20 24
电阻值，R
CL
(
)
APEX微技术有限公司
电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
PA90
一般
请阅读“一般操作注意事项”节
化，其中包括稳定性，耗材，散热，安装，
限流， SOA的解释，和特异性阳离子interpreta-
化。附加信息可以在应用程序中找到
注释。有关封装外形信息，散热片，并
安装硬件，请参阅“附件和包装
机械数据“手册的部分。
操作
注意事项
输入保护
虽然PA90能承受高达差分电压为
±20V,
建议额外的外部保护。低
漏，连接成二极管低电容JFET的是
推荐（例如2N4416 ， Q1-Q4中的图2）。该differen-
TiAl金属的输入电压将被钳位到
±1.4V.
这是足够
过载产生的最大功率带宽。
电流限制
为了正常工作，限流电阻（R
CL
）必须是
所示连接在外部连接图。为
最佳的可靠性，电阻值应设置为高
可能。的值计算如下：具有最大
32欧姆的实用价值。
.65
R
CL
=
I
LIM
电源保护
单向稳压二极管瞬态抑制器是recom-
谁料作为保护的电源引脚。参见图2。
齐纳二极管钳位瞬变电压范围内的电源
评级也钳制电源逆转接地。
是否该齐纳二极管被用于或没有，系统电源
瞬态性能，包括加电应评估
上冲和断电极性反转以及线
调节。
条件可能会导致开路或极性rever-
应避免或受保护的或者电源轨的SAL
对。逆转或打开在负电源轨是
已知诱导输入级故障。单向transzorbs
防止这种情况，这是可取的，它们是在电气上和
物理上尽可能靠近放大器越好。
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性：
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
注：输出级进行保护，防止瞬态反激式。
但是，为了防止持续的，高能量的反激式，
外部快速恢复二极管应使用。
稳定性
PA90的外部补偿和性能
可以针对该应用程序。用小信号的图形
响应和功率响应作为指导。补偿
电容C
C
必须在额定500V工作电压。一个非营利组织
电容。补偿网络C
C
R
C
必须紧密地安装到扩增fi er引脚4和5 ，以避免
寄生振荡。
安全工作曲线
安全工作区曲线定义的最大额外
tional内部功耗放大器可以接受
当它产生所需的输出来驱动外部
负载。
静态电流降低
当引脚3（I
Q
）短路引脚5 （ CC2 ）的AB偏置
输出级被禁用。这降低了静态功耗，但
还提出了失真，因为输出级则C类
失之偏颇。输出级的偏置电流名义上被定为为1mA。
3脚可悬空，如果不使用。
500
输出电流+ V
S
或-v
S
（毫安）
300
200
20
0m
S
DC
DC
,T
10
,T
0m
S
+V
S
Z1
C
=
100
DC
,T
25
°C
In
Q1
Q2
+ IN
Q3
PA90
Q4
2
7, 8
Z2
–V
S
1
11, 12
6
C
=
85
°C
50
30
20
C
=
12
5°
C
图2中。
过压
保护
10
25
PULSE曲线@ 10 ％占空比MAX
50
75 100 125
250
500
供应输出差分，V
S
–V
O
(V)
此数据表已经被仔细检查，被认为是可靠的，但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。所有规格如有变更，恕不另行通知。
PA90U REV 。 1999年9月1999顶点微技术公司
只读存储器
P ，R 0 ü （C T）
I
I
N N 0伏
v
a
T I
N·
由于F R M
NNO一
PA90
PA90
该PA90是一种高电压，低静态电流
MOSFET运算放大器，作为一种低成本
用于驱动的连续输出电流高达解决方案
200mA and pulse currents up to 350mA. The safe oper-
阿婷区（SOA ）无二次击穿限制
并且可以通过选择可观察到所有类型的负载
适当的限流电阻。该MOSFET
输出级的偏置AB线性工作。克斯特
最终补偿提供了选择的灵活性频带 -
宽度和压摆率的应用程序。先端精密
电源的Power SIP封装采用的是最小的板
space allowing for high density circuit boards. The 12-
针Power封装与电力绝缘。
高压功率运算放大器
特点
高电压 - 400V （ ± 200V ）
低静态电流 - 10毫安
高输出电流 - 200毫安
可编程电流限制
高压摆率 - 300V / μs的
描述
应用
压电定位
高电压测量仪器
静电传感器
可编程电源高达
TO 390V
等效原理图
12
11
+V
S
R1 R2
C1
R3
Q1
Q6
Q5
Q14A
1
In
R5
R8
2
+ IN
Q15
R11
Q2
5
CC2
Q3
R4
Q4
ILIM
9
4
CC1
Q14B
R6
R9
Q8
Q11
R7
10
6
OUT
Q12
3
I
Q
Q16
Q13
R10
Q17
–V
S
7
8
R12
PA90U
http://www.cirrus.com
版权所有 Cirrus Logic公司， 2009年公司
（版权所有）
2009年6月
1
APEX - PA90UREVJ
PA90
外部连接
1
2
3
Rc
In
+ IN
4
5
Cc
R
CL
6
7
8
9
10
11
12
P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米
*
I
Q
加载
与反馈
-VS
+ VS
*
（见正文）。
*为必填旁路。
形成提供线索
见包EE
12引脚SIP
包
DP风格
1.特性和规范
绝对最大额定值
参数
电源电压+ V
S
到-V
S
输出电流源，汇，高峰，在SOA
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
TEMPERATURE, pin solder, 10s max.
TEMPERATURE, junction (Note 2)
温度范围存储
工作温度范围，案例
40
25
-20
-V
S
符号
民
最大
400
350
30
20
V
S
260
150
85
85
单位
V
mA
W
V
V
°C
°C
°C
°C
小心
The PA90 is constructed from MOSFET transistors. ESD handling procedures must be observed.
暴露的基板含有氧化铍（ BeO的） 。请勿挤压，机，或受温度
in excess of 850°C to avoid generating toxic fumes.
特定网络阳离子
参数
放大器的输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压与电源
失调电压与时间
偏置电流，初始
偏置电流随电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
（注3）
共模抑制， DC
噪音
V
CM
= ±90V
100KHz bandwidth, R
S
= 1K,
C
C
=打开
±V
S
15
80
98
1
整个温度范围
0.5
15
10
75
200
4
50
10
11
4
500
2000
2
50
25
mV
μV/°C
V/V
μV /千赫
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
μV RMS
测试条件
1
民
典型值
最大
单位
2
PA90U
P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米
PA90
测试条件
1
民
94
参数
收益
OPEN LOOP @ 15Hz
GAIN BANDWIDTH PRODUCT @ 1MHz
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
当前，连续
压摆率，
V
= 100
容性负载，A
V
= +1
SETTLING TIME to 0.1%
性，空载
电源
VOLTAGE (Note 5)
目前，静态
热
（注3）
典型值
111
100
470
60
最大
单位
dB
兆赫
千赫
°
V
mA
V / μs的
pF
S
R
L
= 2K, C
C
=打开
R
L
= 2K, C
C
=打开
R
L
= 2K, C
C
=打开
整个温度范围
I
O
= 200毫安
C
C
=打开
整个温度范围
C
C
= OPEN, 2V step
±V
S
12
200
240
470
±V
S
10
300
1
50
±40
±150
10
±200
14
2.5
4.2
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
电阻，交流，结到外壳（注4 ）全温度范围内，女> 60Hz的
电阻，直流，结到管壳
电阻，结到空气
温度范围内的情况下
Full temp range, F < 60Hz
全温度范围
会见规格品种齐全
-25
30
+85
注意事项：
1. （所有最小值/最大值特性和规格都保证在额定工作条件
系统蒸发散。典型的性能特点和规格都取自测量得到的
在典型的电源电压和T
C
= 25°C).
在最大结温2.长期运行会导致降低产品寿命。减额
功耗实现高平均无故障时间。
3. +V
S
和-V
S
表示的正和负电源轨分别。
4.适用于额定如果两个输出晶体管之间的输出电流交替的速度比快
60Hz.
5.减额最大供应评分0.625 V / ℃，低于25 ℃的情况下。没有必要降额高于25 ℃的情况下。
典型用途
R
F
+V
S
低功耗，压电定位
压电定位可以被应用到的segment-聚焦
ED镜系统。该复合反射镜也可以由
数百个元素，每个要求下的COM重点
计算机控制。在这样复杂的系统的PA90减少
电源的成本，并与它的优点冷却
成本低和低静态功耗，同时IN-
压痕与SIP封装的电路密度。
R
IN
1
11,12
压电驱动
PA90
6
V
OUT
2
电脑
焦点
命令
电压
7,8
9,10
R
CL
–V
S
PA90U
3
PA90
功率降额
90
P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米
内部功耗， P（ W）
归一化静态电流，我
Q
(X)
40
32
24
16
8
0
相位响应
归一化QUIES 。 CURRENT
1.3
135
相， Ф （ ° ）
1.2
180
C
C
= 68 pF的
C
C
= 10 pF的
C
C
= 4.7 pF的
C
C
=打开
1M
10M
频率f（赫兹）
1.1
225
0
25
50
75 100 125 150
外壳温度，T
C
(°C)
270
100k
1.0
25
50
100
75
125
外壳温度，T
C
(°C)
小信号响应
50
开环增益， A（分贝）
电压降从供给，V
S
– V
O
(V)
6
5.5
5
4.5
4
3.5
输出电压摆幅
400
输出电压V
O
(V
P-P
)
功率响应
300
40
30
20
10
C
C
=
200
C
C
=
OPE
C
C
=
4.7p
C
C
=
N
10p
F
100
80
70
60
50
F
68p
C
C
= 68 pF的
0 C
C
= 10 pF的
C
C
= 4.7 pF的
–10 C
C
=打开
100K
1M
10M
频率f （ HZ）
F
0
0.1
.05
0.15
输出电流，I
O
(A)
0.2
10K
1M
100K
频率f （ HZ）
压摆率（V /μs的）
失真， （％）
300
200
100
70
50
40
30
20
10
0.1
10
100
1
EXT 。补偿电容C
C
（PF ）
R
L
= 1KΩ
V
S
= 200V
A
V
= 63
.1
P
O
= 17.6W
.01
P
O
= 1W
P
O
= 5W
输入噪声电压，V （ nV√Hz ）
1K
700
500
压摆率
1
谐波失真
20
15
10
7
5
输入噪声电压
3
2
10
.001
10
100
1K
10K
频率f （ HZ）
100K
100
1K
10K
频率f （ HZ）
100K
电流限制
.2
电流限制，我
LIM
(A)
.15
.1
.05
0
0
4
16 20
8
12
24
电阻值，R
CL
(Ω)
4
PA90U
P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米
PA90
相位补偿
收益
≥1
≥5
≥10
≥30
C
C
*
68pF
10pF
4.7pF
无
R
C
100Ω
100Ω
0Ω
0Ω
*C
C
被评为为整个电源电压+ V
S
到-V
S
。使用NPO陶瓷（ COG ）型。
Please read Application Note 1 "General Operating Considerations" which covers stability, supplies, heat sinking,
安装，限流， SOA的解释和说明解释。访问www.cirrus.com设计工具
这有助于自动化任务，如计算的稳定性，内部功耗，电流限制;散热器selec-
化;先端精密电源的完整应用笔记库;技术研讨会工作簿;及评估工具包。
为了正常工作，限流电阻（R
CL
）必须连接如图所示的外部连接图
克。为最佳可靠性的电阻值应设置得尽可能高。的值计算如下：
with the maximum practical value of 32 ohms.
.65
R
CL
=
I
LIM感度
SOA
这种权力运作的MOSFET输出级
放大器具有两个明显的局限性：
1.在MOSFET GE-的电流处理能力
ometry和引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
注：输出级进行保护，防止瞬态
反激式。然而，对于防止持续，高
反激能量，外部快速恢复二极管应
使用。
安全工作区曲线定义最大
额外的内部功耗放大器可以
容忍当它产生所需的输出来驱动
外部负载。
一般
电流限制
安全工作区（ SOA ）
500
输出电流+ V
S
或-V
S
（MA ）
300
200
20
0m
S
DC
10
0m
S
100
,T
DC
DC
C
=
,T
25
C
=
°C
85
50
30
20
,T
°C
安全工作曲线
C
=
12
5°
C
PULSE曲线@ 10 ％占空比最大。
10
25
50
75
100 125
250
500
输入保护
供应输出差分，V
S
- V
O
(V)
虽然PA90能承受的电压差
高达± 20V ，额外的外部保护是中建议
mended. Low leakage, low capacitance JFETs connected as diodes are recommended (e.g. 2N4416, Q1-Q4 in
Figure 2). The differential input voltage will be clamped to ±1.4V. This is sufficient overdrive to produce maximum
功率带宽。
PA90U
5
产品
从创新
PA90
PA90
PA90
描述
该PA90是一种高电压，低静态电流
MOSFET运算放大器，作为一种低成本
用于驱动的连续输出电流高达解决方案
200mA and pulse currents up to 350mA. The safe oper-
阿婷区（SOA ）无二次击穿限制
并且可以通过选择可观察到所有类型的负载
适当的限流电阻。该MOSFET
输出级的偏置AB线性工作。克斯特
最终补偿提供了选择的灵活性频带 -
宽度和压摆率的应用程序。先端精密
电源的Power SIP封装采用的是最小的板
space allowing for high density circuit boards. The 12-
针Power封装与电力绝缘。
高压功率运算放大器
特点
高电压 - 400V （ ± 200V ）
低静态电流 - 10毫安
高输出电流 - 200毫安
可编程电流限制
高压摆率 - 300V / μs的
应用
压电定位
高电压测量仪器
静电传感器
可编程电源高达
TO 390V
12
11
+V
S
等效原理图
R1 R2
C1
R3
Q1
Q6
Q5
Q14A
1
In
R5
R8
2
+ IN
Q15
R11
Q2
5
CC2
Q3
R4
Q4
ILIM
9
4
CC1
Q14B
R6
R9
Q8
Q11
R7
10
6
OUT
Q12
3
I
Q
Q16
Q13
R10
Q17
–V
S
7
8
R12
外部连接
1
2
3
Rc
In
+ IN
4
5
Cc
R
CL
6
7
8
9
10
11
12
*
I
Q
加载
与反馈
-VS
+ VS
*
形成提供线索
见包EE
12引脚SIP
包
DP风格
（见正文）。
*为必填旁路。
PA90U
www.cirrus.com
版权所有 Cirrus Logic公司，公司2010
（版权所有）
2010年3月
1
APEX - PA90UREVK
PA90
产品创新从
1.特性和规范
绝对最大额定值
参数
电源电压+ V
S
到-V
S
输出电流源，汇，高峰，在SOA
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
TEMPERATURE, pin solder, 10s max.
TEMPERATURE, junction (Note 2)
温度范围存储
工作温度范围，案例
40
25
-20
-V
S
符号
民
最大
400
350
30
20
V
S
260
150
85
85
单位
V
mA
W
V
V
°C
°C
°C
°C
小心
The PA90 is constructed from MOSFET transistors. ESD handling procedures must be observed.
暴露的基板含有氧化铍（ BeO的） 。请勿挤压，机，或受温度
in excess of 850°C to avoid generating toxic fumes.
特定网络阳离子
参数
放大器的输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压与电源
失调电压与时间
偏置电流，初始
偏置电流随电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
(Note 3)
共模抑制， DC
噪音
收益
OPEN LOOP @ 15Hz
GAIN BANDWIDTH PRODUCT @ 1MHz
功率带宽
相位裕度
产量
VOLTAGE SWING (Note 3)
当前，连续
压摆率，
V
= 100
容性负载，A
V
= +1
2
C
C
または开放
整个温度范围
I
O
= 200mA
±V
S
12
200
240
470
300
±V
S
10
V
mA
V / μs的
pF
PA90U
R
L
= 2K, C
C
または开放
R
L
= 2K, C
C
または开放
R
L
= 2K, C
C
または开放
整个温度范围
94
111
100
470
60
dB
兆赫
千赫
°
V
CM
= ±90V
100KHz bandwidth, R
S
= 1K,
C
C
または开放
±V
S
15
80
98
1
整个温度范围
0.5
15
10
75
200
4
50
10
11
4
500
2000
2
50
25
mV
μV/°C
V/V
μV /千赫
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
μV RMS
测试条件
1
民
典型值
最大
单位
产品创新从
PA90
测试条件
1
民
典型值
1
50
±40
±150
10
±200
14
2.5
4.2
30
-25
+85
参数
SETTLING TIME to 0.1%
性，空载
电源
VOLTAGE (Note 5)
当前，静态
热
最大
单位
S
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
C
C
= OPEN, 2V step
电阻，交流，结到外壳（注4 ）全温度范围内，女> 60Hz的
电阻，直流，结到管壳
电阻，结到空气
温度范围内的情况下
Full temp range, F < 60Hz
全温度范围
会见规格品种齐全
注： 1。（所有最小值/最大值特性和规格都保证在额定工作条件
系统蒸发散。典型的性能特点和规格都取自测量得到的
在典型的电源电压和T
C
= 25°C).
在最大结温2.长期运行会导致降低产品寿命。减额
功耗实现高平均无故障时间。
3. +V
S
和-V
S
表示的正和负电源轨分别。
4.适用于额定如果两个输出晶体管之间的输出电流交替的速度比快
60Hz.
5.减额最大供应评分0.625 V / ℃，低于25 ℃的情况下。没有必要降额高于25 ℃的情况下。
典型用途
R
F
+V
S
低功耗，压电定位
压电定位可以被应用到的segment-聚焦
ED镜系统。该复合反射镜也可以由
数百个元素，每个要求下的COM重点
计算机控制。在这样复杂的系统的PA90减少
电源的成本，并与它的优点冷却
成本低和低静态功耗，同时IN-
压痕与SIP封装的电路密度。
R
IN
1
11,12
压电驱动
PA90
6
V
OUT
2
电脑
焦点
命令
电压
7,8
9,10
R
CL
典型性能图
内部功耗， P（ W）
–V
S
90
归一化静态电流，我
Q
(X)
40
32
24
16
8
0
功率降额
相位响应
归一化QUIES 。 CURRENT
1.3
135
相， Ф （ ° ）
1.2
180
C
C
= 68 pF的
C
C
= 10 pF的
C
C
= 4.7 pF的
C
C
=打开
1M
10M
频率f（赫兹）
1.1
225
0
25
50
75 100 125 150
外壳温度，T
C
(°C)
270
100k
1.0
25
50
100
75
125
外壳温度，T
C
(°C)
小信号响应
50
环路增益A（分贝）
P从供给，V
S
– V
O
(V)
6
5.5
5
4.5
输出电压摆幅
400
牛逼电压V
O
(V
P-P
)
功率响应
300
40
30
C
C
=
PA90U
20
10
200
3
C
C
=
OPE
C
C
=
4.7p
C
C
=
68
N
10p
F
F
相， Ф （ ° ）
内部电源DISSI
24
16
8
0
180
C
C
= 68 pF的
C
C
= 10 pF的
C
C
= 4.7 pF的
C
C
=打开
归一化的静态
1.2
1.1
225
PA90
0
25
50
75 100 125 150
外壳温度，T
C
(°C)
产品创新从
270
100k
1M
10M
频率f（赫兹）
1.0
25
50
100
75
125
外壳温度，T
C
(°C)
小信号响应
50
开环增益， A（分贝）
电压降从供给，V
S
– V
O
(V)
6
5.5
5
4.5
4
3.5
输出电压摆幅
400
输出电压V
O
(V
P-P
)
功率响应
300
40
30
20
10
C
C
=
200
C
C
=
OPE
C
C
=
4.7 p
C
C
=
N
10p
F
100
80
70
60
50
F
68p
C
C
= 68 pF的
0 C
C
= 10 pF的
C
C
= 4.7 pF的
–10 C
C
=打开
100K
1M
10M
频率f （ HZ）
F
0
0.1
.05
0.15
输出电流，I
O
(A)
0.2
10K
1M
100K
频率f （ HZ）
压摆率（V /μs的）
失真， （％）
300
200
100
70
50
40
30
20
10
0.1
10
100
1
EXT 。补偿电容C
C
（PF ）
R
L
= 1KΩ
V
S
= 200V
A
V
= 63
.1
P
O
= 17.6W
.01
P
O
= 1W
P
O
= 5W
输入噪声电压，V （ nV√Hz ）
1K
700
500
压摆率
1
谐波失真
20
15
10
7
5
输入噪声电压
3
2
10
.001
10
100
1K
10K
频率f （ HZ）
100K
100
1K
10K
频率f （ HZ）
100K
电流限制
.2
电流限制，我
LIM
(A)
.15
相位补偿
0
4
16 20
8
12
24
电阻值，R
CL
(Ω)
.1
.05
收益
≥1
≥5
≥10
≥30
C
C
*
68pF
10pF
4.7pF
无
R
C
100Ω
100Ω
0Ω
0Ω
0
*C
C
被评为为整个电源电压+ V
S
到-V
S
.
使用NPO陶瓷（ COG ）型。
一般
Please read Application Note 1 "General Operating Considerations" which covers stability, supplies, heat sinking,
安装，限流， SOA的解释和说明解释。访问www.cirrus.com设计工具
这有助于自动化任务，如计算的稳定性，内部功耗，电流限制;散热器selec-
化;先端精密电源的完整应用笔记库;技术研讨会工作簿;及评估工具包。
电流限制
为了正常工作，限流电阻（R
CL
）必须连接如图所示的外部连接图
克。为最佳可靠性的电阻值应设置得尽可能高。的值计算按下列方法
lows; with the maximum practical value of 32 ohms.
.65
R
CL
=
I
LIM感度
4
PA90U
产品创新从
PA90
安全工作区（ SOA ）
这款电源运算放大器MOSFET输出级有两个明显的局限性：
1. MOSFET的几何形状和引线键合的电流处理能力。
2.输出MOSFET的结温。
注：输出级进行保护，防止瞬态反激式。但是，为了防止持续的，高恩
ERGY反激式，外部快速恢复二极管应使用。
安全工作曲线
SOA
500
300
200
输出电流+ V
S
或-V
S
（MA ）
安全工作区曲线定义最大AD-
ditional内部功耗放大器可容
吃时它产生所需的输出来驱动
外部负载。
20
0m
S
DC
10
0m
S
输入保护
Although the PA90 can withstand differential voltages up
to ±20V, additional external protection is recommended.
低漏电，接成二低电容JFET的
颂歌建议（如2N4416 ， Q1- Q4的图 -
ure 2). The differential input voltage will be clamped to
±1.4V. This is sufficient overdrive to produce maximum
功率带宽。
100
,T
DC
DC
C
=
,T
25
C
=
°C
85
50
30
20
,T
°C
C
=
12
5°
C
电源保护
单向稳压二极管瞬态抑制器是
PULSE曲线@ 10 ％占空比最大。
推荐保护的电源引脚。看
10
Figure 2. The zeners clamp transients to voltages within
25
75 100 125
250
500
50
电源额定值，并钳制电源
供应输出差分，V
S
- V
O
(V)
逆转到地面。是否该齐纳二极管被用于或不
+V
S
该系统的电源应为瞬态性能进行评估
包括上电过冲和断电的极性反转，以及
Z1
行规。
条件可能会导致在任开路或极性反转
In
1
11, 12
应避免或防止电源轨。转回或
Q1
Q3
6
打开上负电源轨被称为诱导输入级故障。
PA90
单向transzorbs防止这种情况，并且期望的是它们是
Q2
Q4
+ IN
在电气上和物理上尽可能靠近放大器越好。
7, 8
2
稳定性
PA90的外部补偿和性能可定制
过压
–V
S
给应用程序。使用小信号响应和功率曲线图
保护
响应作为指导。补偿电容C
C
must be rated at 500V working voltage. An NPO capacitor
值得推荐。补偿网络C
C
R
C
must be mounted closely to the amplifier pins 4 and 5 to avoid
寄生振荡。
图2中。
Z2
静态电流降低
When pin 3 (I
Q
) is shorted to pin 5 (CC2) the AB biasing of the output stage is disabled. This raises distortion since
the output stage is then class C biased, but reduces the quiescent current by 1mA for a power dissipation savings
of 0.4W. Pin 3 may be left open if not used.
PA90U
5
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½
½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
特点
高电压 - 400V （ ± 200V ）
低静态电流 - 10毫安
高输出电流 - 200毫安
可编程电流限制
高压摆率 - 300V / μs的
应用
压电定位
高电压测量仪器
静电传感器
可编程电源高达390V
12引脚SIP
包装样式DP
形成提供线索
与封装形式ED & EE
典型用途
½
½
½½
½
描述
该PA90是一种高电压，低静态电流MOSFET
运算放大器呃设计为用于驱动一个低成本的解决方案
连续输出电流高达200mA的脉冲电流
高达350mA 。安全工作区（SOA ）无二次
击穿限制，可以为所有类型的负载通过观察
选择适当的电流限制电阻。该MOSFET
输出级的偏置AB线性工作。外部的COM
补偿提供了灵活性地选择带宽和转换
率的应用。 APEX的Power SIP封装使用
最小的电路板空间，可用于高密度电路板。
12针Power封装与电力绝缘。
½
½½
½
½½½½½
½½½½½½½½½½½
½½½½
½
½
½½½
½
½½½½½½½½
½½½½½
½½½½½½½
½½½½½½½
½½½
½½½½
½
½½
½½
½
低功耗，压电定位
压电定位可以被应用到的segment-聚焦
ED镜系统。的复合镜可以由
数以百计的元素，每个都需要在计算机上重点
控制权。在这样复杂的系统中， PA90降低成本
电源，并与它的优点成本低的冷却
和低静态功耗，同时提高线路
密度与SIP包。
等效原理图
½½
½½
½½
½
½½ ½½
½½
½½
½½
½½
½½
½½½½
½
½½½
½½
½½
½
½½½
½½½
½½½
½½
½
½½½
½½
½½
½½
½½½½
½
相位补偿
收益
C
C
*
R
C
≥1
68pF
100Ω
≥5
10pF
100Ω
≥10
4.7pF
0Ω
≥30
无
0Ω
*C
C
被评为为整个电源电压+ V至-Vs 。使用NPO
陶瓷（COG ）型。
½
½½½
½½½½
½½
½½
½½
½½½
½½
½½
½
½½½
½½½
½
½
½
½½½
½½½
外部连接
½½½
½½½
½
½
½
½½
½
½
½½
½
½
½
½
½½
½½
½½
½½
½
½
½
½½½
½½½
½½½
½
½½
½
½
½
½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½
½
½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
1
绝对最大额定值
特定网络阳离子
PA90
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流源，汇，峰值
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10S最大。
温度，结
2
温度范围存储
工作温度范围，案例
400V
350mA，可在SOA
30W
±20V
±V
S
260°C
150°C
-40至+ 85°C
-25至+ 85°C
绝对最大额定值
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压，与电源
失调电压，随时间变化
偏置电流，初始
偏置电流与电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
3
共模抑制， DC
噪音
收益
开环， @ 15Hz的
增益带宽积1MHz时
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
3
当前，连续
压摆率，
V
= 100
容性负载，A
V
= +1
建立时间0.1 ％
性，空载
电源
电压
5
当前，静止的，
热
电阻，交流，结到管壳
4
电阻，直流，结到管壳
电阻，结到空气
温度范围内的情况下
测试条件
1
民
典型值
.5
15
10
75
200
4
50
10
11
4
±V
S
15
80
±
98
1
111
100
470
60
±V
S
10
300
1
50
±40
±150
10
±200
14
2.5
4.2
30
–25
+85
±
最大
2
50
25
2000
500
单位
mV
μV/°C
V/V
μV / KH
pA
PA / V
pA
Ω
pF
V
dB
μVRMS
dB
兆赫
千赫
°
V
mA
V / μs的
pF
s
Ω
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
整个温度范围
V
CM
= ±90V
100kHz的带宽，R
S
= 1kΩ的，C
C
=打开
R
L
=为2kΩ ，C
C
=打开
R
L
=为2kΩ ，C
C
=打开
R
L
=为2kΩ ，C
C
=打开
整个温度范围
I
O
= 200毫安
C
C
=打开
整个温度范围
C
C
= OPEN ， 2V阶跃
94
±V
S
12
200
240
470
±
见注5
整个温度范围内，女> 60Hz的
整个温度范围内，女< 60Hz的
整个温度范围
满足全方位的特定网络阳离子
注： 1.除非另有说明：T已
C
= 25 ° C， DC输入特定网络阳离子给予±值。电源电压是典型评级。
C
= 100
C
C
= 68pF的。
在最大结温2.长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗来
实现高平均无故障时间。
3. +V
S
和-V
S
表示的正和负电源轨分别。
4.评分适用于如果在一个速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替大于60Hz的速度更快。
5.减额最大供应评分0.625 V / ℃，低于25 ℃的情况下。没有必要降额高于25 ℃的情况下。
小心
该PA90是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
暴露的基板含有氧化铍（ BeO的） 。请勿挤压，机，或受温度超过850 ° C至
避免产生有毒烟雾。
APEX微技术公司 5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
2
PA90
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
典型性能
图的
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½½½½
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½
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½½
½½ ½½½ ½½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
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½½ ½½
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½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½½½
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
3
操作
注意事项
PA90
输入保护
虽然PA90能承受的差分电压高达
至±20V ，额外的外部保护建议。低
漏，连接成二极管低电容JFET的是
推荐（例如2N4416 ， Q1-Q4中的图2）。存在差
无穷区间的输入电压将被钳位到± 1.4V 。这是苏夫网络cient
过载产生的最大功率带宽。
一般
请仔细阅读使用说明1 "General工作CON-
siderations"覆盖稳定，耗材，散热，
安装，限流， SOA的解释，和特异性阳离子
解释。访问www.apexmicrotech.com设计工具
这有助于自动化任务，如计算的稳定性，
内部功耗，电流限制;散热器的选择;
Apex公司完整的应用笔记库;技术研讨会
工作簿;及评估工具包。
电源保护
单向稳压二极管瞬态抑制器是recom-
谁料作为保护的电源引脚。参见图2。
齐纳二极管钳位瞬变电压范围内的电源
评级也钳制电源逆转接地。
是否该齐纳二极管被用于或没有，系统功率支持
层应为瞬态性能，包括进行评估
电源接通的过冲和断电极性反转，以及
作为行规。
条件可能会导致开路或极性反转
在任何电源应避免或保护轨道
对。逆转或打开在负电源轨是
已知诱导输入级故障。单向transzorbs
防止这种情况，这是可取的，它们是两个电
上和物理上尽可能靠近扩增fi er越好。
电流限制
为了正常工作，限流电阻（R
CL
）必须是
所示连接在外部连接图。为
最佳的可靠性，电阻值应设置为高
可能。的值计算如下：具有最大
32欧姆的实用价值。
.65
R
CL
=
I
LIM
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
网络连接器具有两个不同的限制：
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
注：输出级进行保护，防止瞬态反激式。
但是，为了防止持续的，高能量的反激式，
外部快速恢复二极管应使用。
稳定性
PA90的外部补偿和性能
可以针对该应用程序。用小信号的图形
响应和功率响应作为指导。补偿
电容C
C
必须在额定500V工作电压。一个非营利组织
电容。补偿网络C
C
R
C
必须紧密地安装到扩增fi er引脚4和5 ，以避免
寄生振荡。
安全工作曲线
安全工作区曲线去连接东北最大额外
tional内部功耗的放大器器可以忍受的时候
它产生所需的输出来驱动外部负载。
静态电流降低
当引脚3（I
Q
）短路引脚5 （ CC2 ）的AB偏置
输出级被禁用。这就提出了失真，因为
输出级则是C类偏颇，但降低了静态
通过1毫安电流的功耗节省0.4W的。针
3也可以保持打开状态，如果不使用。
½½½
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此数据表已经被仔细检查，被认为是可靠的，
香农路
假设
亚利桑那州85741 美国应用
受
1 (800) 546-2739
APEX微技术公司 5980北
但是，没有责任
TUCSON ，
可能的错误或遗漏承担责任。所有特定网络阳离子
热线：
更改，恕不另行通知。
4
PA90U REV 2004年10月2004顶点微技术公司
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