【½½½½½½&f】,IC型号PA89,PA89 PDF资料,PA89经销商,ic,电子元器件-51电子网

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特点

1140V P-P信号输出

宽电源范围 - ± 75V到± 600V

可编程电流限制

75毫安连续输出电流

密封封装

输入保护

PATENTED

应用

压电定位

高电压测量仪器

静电偏转

半导体测试

典型用途

高压MO- 127

封装类型DC

描述

该PA89是一种超高电压MOSFET运算

扩增fi er专为输出电流高达75 mA的电流。产量

电压摆幅可超过1000V的P-P 。安全工作区

（ SOA）无二次击穿限制，可以是

与所有类型的负载通过选择适当的观察

限流电阻。高精确度达到了

级联输入电路CON组fi guration和120dB开环增益。

所有内部偏置都参考自举zener-

MOSFET电流源，给PA89宽电源电压范围

和出色的电源抑制性能。 MOSFET输出级是

偏颇的A / B类线性操作。外部补偿

为用户提供了灵活性。该PA89是100 ％的总泄漏测试

军用标准的长期可靠性。

这种混合集成电路采用氧化铍（氧化铍）子

施特拉特，厚液膜电阻，陶瓷电容和semiconduc-

器芯片，以最大限度地提高可靠性和减小尺寸，并获得最佳

性能。超声粘合铝导线提供

可靠的互连，在所有工作温度。该

MO- 127高电压，功率浸封装密封性

密封和电绝缘。使用可压缩的

热垫圈将导致产品的保修。

超高电压能力结合扩增桥

连接器CON组fi guration能够开发+/- 1000伏

整个压电元件的峰值波动。高增益为-50

A1确保稳定性与容性负载，而“噪声增益”

补偿Rn和道道通的A2 A2保险由稳定

在50噪声增益操作。

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外部连接

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简化的原理图

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相位补偿

收益

100

470pF

68pF

33pF

15pF

470Ω

220Ω

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注：C

必须适用于全电压-Vs至+ VS 。

请参阅“外部设备”的详细信息。

APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com

绝对最大额定值

特定网络阳离子

PA89 PA89A

电源电压+ V

为±V

输出电流，内部SOA

功耗，内置在T

= 25°C

输入电压，差分

输入电压，共模

温度，焊针 - 10S最大

温度，结

温度，贮藏

工作温度范围，案例

PA89

典型值

.01

110

120

1200V

100mA

40W

±25V

±V

25V

300°C

150°C

-65 125°C

-55到125°C

PA89A

典型值

.25

绝对最大额定值

特定网络阳离子

参数

输入

失调电压，初始

失调电压与温度

失调电压，与电源

失调电压，随时间变化

偏置电流，初始

偏置电流， VS 。供应

偏置电流，初始

输入阻抗，直流

输入电容

共模电压范围

共模抑制， DC

输入噪声

收益

开环增益为10Hz

增益带宽积

功率带宽

相位裕度

产量

电压摆幅

当前，连续

压摆率

容性负载， V = 10

容性负载， Av>10

建立时间0.1 ％

电源

电压，V

目前，静态

热

电阻，交流，结到管壳

电阻，直流，结到管壳

电阻，结到空气

温度范围内的情况下

测试条件

民

最大

民

最大

单位

μV/°C

V/V

μV / KH

PA / V

MΩ

μV RMS

兆赫

千赫

V / μs的

° C / W

°C

整个温度范围

±V

整个温度范围内，V

= ±90V

10KHz的带宽，R

= 10K ，C

= 15pF的

= 10K ，C

= 15pF的

= 10K ，C

= 15pF的，A

= 100

= 10K ，C

= 15pF的，V

= 500V P-P

整个温度范围内，A

= 10

= 75毫安

整个温度范围内，我

= 20mA下

整个温度范围

= 15pF的，A

= 100

整个温度范围

= 10KΩ ， 10V一步， Av = 10

整个温度范围

108

±V

45 ±V

±V

20 ±V

±75

±500

4.8

2.1

3.3

SOA

±600

6.0

2.3

3.5

+85

整个温度范围内，女> 60Hz的

整个温度范围内，女< 60Hz的

整个温度范围

满足全方位的特定网络阳离子

–25

注： * PA89A的特定网络连接的阳离子是相同的特定网络连接的阳离子为PA89在适用列于左边。

1.除非另有说明：T已

= 25°C, C

= 68pF的，R

= 220Ω ，和V

= ± 500V 。输入参数偏置电流和偏置电压

年龄是给定的±值。

在最大结温2.长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗来

实现高平均无故障时间。

对于温度每增加10 ℃， 3张双人床。

4. +V

和-V

表示的正和负电源轨分别。

5.评分仅适用于在一个速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替大于60Hz的速度更快。

小心

该PA89是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。

内部基材中含有氧化铍（ BeO的）。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或

受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。

APEX微技术公司 5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739

PA89 PA89A

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典型性能

图的

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APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com

操作

注意事项

PA89 PA89A

欧洲核子研究中心建设运放电路：额定电压和电压

COEF网络cient 。

补偿电容C

必须额定为

整个电源电压范围。例如，在电源电压

± 500V C两端的电压可能挥杆

为1000V 。在

此外，电压COEF网络cient小于100PPM是中建议

修补保持电容变化到小于

在这个例子中的5％。我们强烈推荐使用

最高质量的电容器可以在额定的至少两倍的总

电源电压范围。

同样重要的是在额定电压和电压coef-

增益设置电阻连接cient 。典型额定电压

低瓦数的电阻为150 250V 。在上面的例子

1000V可以出现在反馈电阻。这将

需要多个串联电阻，以获得正确的电压

投资评级。低压COEF网络cient电阻将保证良好的增益

线性度。反馈电阻器的额定功率也是

关注。 A 1兆欧姆的反馈电阻器可以很容易地开发

1瓦的功耗。

虽然高电压额定电阻器，可以得到

1兆欧姆的反馈电阻组成的网络已经200Kohm ，

1/4瓦的金属液膜串联电阻会产生正确的

额定电压，电压COEF连接古老而额定功率。

一般

请仔细阅读使用说明1 "General工作CON-

siderations"覆盖稳定，耗材，散热，

安装，限流， SOA的解释，和特异性阳离子

解释。访问www.apexmicrotech.com设计工具

这有助于自动化任务，如计算的稳定性，

内部功耗，电流限制;散热器的选择;

Apex公司完整的应用笔记库;技术研讨会

工作簿;及评估工具包。

稳定性

虽然PA89可在单位增益下工作，最大

压摆率和带宽性能被设计为

在10个或更多的收益所得。用小信号响应

及相位响应曲线图，作为一个指南。在应用中

小于10增益被需要，可以使用噪声增益补偿

化，以增加应用电路的相位裕度

典型应用图中所示。

安全工作区（ SOA ）

这种权力运作扩增的MOSFET输出级

网络连接器具有两个不同的限制：

1. MOSFET的几何形状的电流处理能力

与引线键合。

2.输出MOSFET的结温。

注：输出级进行保护，防止瞬态反激式。

但是，为了防止持续的，高能量的反激式，

外部快速恢复二极管应使用。

½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½

½½½½½½

½½½½½

½½½

电流限制

为了正常工作的电流限制电阻（R

）必须是

所示连接在外部连接图。该

最小值为3.5欧姆，但是最佳的可靠性

电阻值应设置得尽可能高。值

计算用的最大实际值如下

150欧姆。

LIM

当设定的R值

允许的负载电流作为

以及在所述反馈电阻的电流。还允许在

目前的极限温度COEF网络cient是近似

三方共同-0.3 ％/℃的情况下，温度上升。

½½½

½½½½

½½½½½

½½

½½½½½

½½½½

注意事项

在PA89的工作电压是可能致命的。

在电路设计中，开发出功能电路最低

可能的电压。夹测试线应使用“手

关闭“测量时排除故障。

½½½

½½½ ½½½½ ½½½½

½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½

½½½½

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½½½½

电源保护

单向稳压二极管瞬态吸收器recom-

谁料作为保护的电源引脚。该齐纳二极管钳位

内的电源等级和还瞬变电压

钳位电源逆转到地面。无论是齐纳二极管

使用与否，在系统电源应该被评估

瞬态性能，包括上电过冲和

关闭电源极性反转以及行规。

条件可能会导致开路或极性反转

在任何电源应避免或保护轨道

对。逆转或打开在负电源轨是

已知诱导输入级故障。单向transzorbs

防止这种情况，这是可取的，它们是两个电

上和物理上尽可能靠近扩增fi er越好。

安全工作曲线

安全工作区曲线去连接东北最大AD-

ditional内部功耗的放大器器可以容忍

当它产生所需的输出来驱动外部

负载。这是不一样的绝对最大内部

因为在特定网络阳离子其他地方上市的功耗

静态功耗显着的比较

的总和。

外部元件

在PA89需求非常高工作电压

考虑双组份特定网络阳离子很少CON组

此数据表已经被仔细检查，被认为是可靠的，

香农路

假设

亚利桑那州85741 美国应用

受

1 (800) 546-2739

APEX微技术公司 5980北

但是，没有责任

TUCSON ，

可能的错误或遗漏承担责任。所有特定网络阳离子

热线：

更改，恕不另行通知。

PA89U REV 2005年5月

2005顶点微技术公司

高压功率运算放大器

PA89 PA89A

M I C R T E C H N 0 1 摹

HTTP://WWW.APEXMICROTECH.COM

（ 800 ） 546 - APEX

(800) 546-2739

特点

1140V P-P信号输出

宽电源电压范围 -

±75V

±600V

可编程电流限制

75毫安连续输出电流

密封封装

输入保护

PATENTED

应用

压电定位

高电压测量仪器

静电偏转

半导体测试

典型用途

超高电压能力结合的桥梁上午

plifier配置能够开发+/- 1000伏

整个压电元件的峰值波动。高增益-50为A1

确保稳定性与容性负载，而“噪声增益”

补偿Rn和道道通的A2 A2保险由稳定

在50噪声增益操作。

50R

+600V

PA89

压电

传感器

–600V

PA89

+600V

描述

该PA89是一种超高电压MOSFET运算

扩增fi er专为输出电流高达75 mA的电流。产量

电压摆幅可超过1000V的P-P 。安全工作区

（ SOA）无二次击穿限制，可以是

与所有类型的负载通过选择适当的观察

限流电阻。高精确度达到了

级联输入电路CON组fi guration和120dB开环增益。

所有内部偏置都参考自举zener-

MOSFET电流源，给PA89宽电源电压范围

和出色的电源抑制性能。 MOSFET输出级是

偏颇的A / B类线性操作。外部补偿

为用户提供了灵活性。该PA89是100 ％的总泄漏测试

军用标准的长期可靠性。

这种混合集成电路采用氧化铍（氧化铍）子

施特拉特，厚膜电阻，陶瓷电容和semicon-

导体芯片，以最大限度地提高可靠性和减小尺寸，并获得最佳

性能。超声粘合铝导线提供

可靠的互连，在所有工作温度。该

MO- 127高电压，功率浸封装密封性

密封和电绝缘。

单轴微定位

外部连接*

+ IN

N / C

顶部

意见

COMP

LIM

COMP

简化的原理图

D57

COMP

9 10

Q22

Q25A

Q23

Q25B

+ IN

Q19

Q20

Q26

N / C

–V

OUT

Q29

Q36

OUT

相位补偿

收益

100

470pF

68pF

33pF

15pF

470

220

D30

D35

Q45

D34

D31

Q44

Q42

–V

注：C

必须适用于全电压-Vs至+ VS 。

请参阅“外部设备”的详细信息。

APEX微技术有限公司

电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com

PA89 PA89A

绝对最大额定值

电源电压+ V

为±V

输出电流，内部SOA

功耗，内置在T

= 25°C

输入电压，差分

输入电压，共模

温度，焊针 - 10S最大

温度，结

温度，贮藏

工作温度范围，案例

PA89

测试条件

民

典型值

绝对最大额定值

特定网络阳离子

1200V

100mA

40W

±25V

±V

25V

300°C

150°C

-65 125°C

-55到125°C

PA89A

最大

民

典型值

最大

单位

特定网络阳离子

参数

输入

失调电压，初始

失调电压与温度

失调电压，与电源

失调电压，随时间变化

偏置电流，初始

偏置电流， VS 。供应

偏置电流，初始

输入阻抗，直流

输入电容

共模电压范围

共模抑制， DC

输入噪声

收益

开环增益为10Hz

增益带宽积

功率带宽

相位裕度

产量

电压摆幅

当前，连续

压摆率

容性负载， V = 10

容性负载， Av>10

建立时间0.1 ％

电源

电压，V

目前，静态

热

电阻，交流，结到管壳

电阻，直流，结到管壳

电阻，结到空气

温度范围内的情况下

注意事项：

整个温度范围内，女> 60Hz的

整个温度范围内，女< 60Hz的

整个温度范围

满足全方位的特定网络阳离子

整个温度范围

±75

= 75毫安

整个温度范围内，我

= 20mA下

整个温度范围

= 15pF的，A

= 100

整个温度范围

= 10KΩ ， 10V一步， Av = 10

= 10K ，C

= 15pF的

= 10K ，C

= 15pF的，A

= 100

= 10K ，C

= 15pF的，V

= 500V P-P

整个温度范围内，A

= 10

108

整个温度范围

整个温度范围内，V

±90V

10KHz的带宽，R

= 10K ，C

= 15pF的

±V

.01

110

120

.25

μV/°C

V/V

μV / KH

PA / V

RMS

兆赫

千赫

V / μs的

° C / W

°C

±V

SOA

±500

4.8

2.1

3.3

–25

±600

6.0

2.3

3.5

+85

PA89A的规格是相同的向左在适用柱规格为PA89 。

除非另有说明：T已

= 25°C, C

= 68pF的，R

= 220Ω ，和V

±500V.

输入参数的偏置电流和偏置

电压是

值给出。

在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗

实现高平均无故障时间。

双打的温度每增加10 ℃。

和-V

表示的正和负电源轨分别。

评级仅适用于在一个速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替大于60Hz的速度更快。

该PA89是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。

内部基材中含有氧化铍（ BeO的）。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或

受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。

小心

APEX微技术有限公司

5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739

典型性能

图的

PA89 PA89A

–45

相，

(°)

输出级

内部功耗， P（ W）

功率降额

相位响应

33PF ， 220

归一化静态电流，我

(X)

1.10

静态电流

1.05

–90

–135

68pF的， 220

15pF的， 220

, R

10 100 1K 10K 100K的1M 10M

频率f（赫兹）

1.00

–180

–225

–270

.95

200 400 600 800 1000 1200

总电源电压，V

(V)

75 100 125 150

外壳温度T（ ℃）

120

开环增益， A（分贝）

小信号响应

15pF的， 220

33PF ， 220

电压降从供给，V

– V

(V)

输出电压摆幅

100

, R

68pF的， 220

输出电压V

)

1200

1000

800

600

500

300

功率响应

= 15pF的

= 33pF的

= 68pF的

100

= 220

30K

10K

频率f （ HZ）

100K

–20

10 100 1K 10K 100K的1M 10M

频率f （ HZ）

100

输出电流，I

（MA ）

输入噪声电压，电子

（NV /

√

赫兹）

压摆率与COMP

失真， THD （％）

谐波失真

= ±500V

= 15pF的，R

= 220

= 11K

= 100

= 800Vpp

= 600Vpp

= 400Vpp

输入噪声电压

压摆率（V /

.01

50.

100

EXT 。补偿电容C

（PF ）

共模抑制， CMR （分贝）

= 100Vpp

.001

30 100 300 1K 3K 10K 30K 100K

频率f （ HZ）

电源抑制PSR （分贝）

100

10K

频率f （ HZ）

100K

100

共模抑制

100

电源抑制

100

电流限制，我

LIM

（MA ）

电流限制

10 100 1K 10K 100K的1M 10M

频率f （ HZ）

10 100 1K 10K 100K的1M 10M

频率f （ HZ）

100

电阻值，R

(

)

APEX微技术有限公司

电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com

PA89 PA89A

一般

请阅读“一般操作注意事项”节

化，其中包括稳定性，耗材，散热，安装，

限流， SOA的解释，和特异性阳离子interpreta-

化。附加信息可以在应用程序中找到

注释。有关封装外形信息，散热片，并

安装硬件，请参阅“附件和包装

机械数据“手册的部分。

操作

注意事项

稳定性

虽然PA89可在单位增益下工作，最大

压摆率和带宽性能被设计为

在10个或更多的收益所得。用小信号响应

及相位响应曲线图，作为一个指南。在应用中

小于10增益被需要，可以使用噪声增益补偿

化，以增加应用电路的相位裕度

典型应用图中所示。

安全工作区（ SOA ）

这种权力运作扩增的MOSFET输出级

费里有两个明显的局限性：

1. MOSFET的几何形状的电流处理能力

与引线键合。

2.输出MOSFET的结温。

注：输出级进行保护，防止瞬态反激式。

但是，为了防止持续的，高能量的反激式，

外部快速恢复二极管应使用。

补偿电容C

必须额定满

电源电压范围。例如，用电源电压

±500V

C两端尽可能电压摆幅

为1000V 。在

此外，电压COEF网络cient小于100PPM是中建议

修补保持电容变化到小于5％

对于这个例子。强烈建议使用最高

质量电容器可以在额定的至少两倍的总供给

电压范围。

同样重要的是在额定电压和电压

增益设置电阻系数。典型的电压

低功率电阻额定值150至250V 。另外，在上述

例如1000V可以出现在反馈电阻。

这将需要几个串联电阻，得到的

适当的电压等级。低电压系数电阻会

保证良好的增益线性度。反馈的额定功率

电阻也备受关注。 A 1兆欧姆的反馈电阻

可以很容易地开发1瓦特功耗。

虽然高电压额定电阻器，可以得到

一个1兆欧姆的反馈电阻由五个200Kohm ， 1 /

4瓦特金属膜电阻器串联会产生正确的

额定电压，电压COEF连接古老而额定功率。

电流限制

为了正常工作的电流限制电阻（R

）必须是

所示连接在外部连接图。该

最小值为3.5欧姆，但是最佳的可靠性

电阻值应设置得尽可能高。该值是

计算150的最大实际值如下

欧姆。

LIM

安全工作曲线

安全工作区曲线定义的最大额外

tional内部功耗的放大器器可以忍受的时候

它产生所需的输出来驱动外部负载。这

是不一样的绝对最大内部功率

由于quies-耗散别处列出在本说明书中

相比总百分之功耗是显著。

当设定的R值

允许的负载电流作为

以及在所述反馈电阻的电流。还允许在

目前的极限温度COEF网络cient是近似

三方共同-0.3 ％/℃的情况下，温度上升。

外部元件

在PA89需求非常高工作电压

考虑双组份特定网络阳离子很少CON组

欧洲核子研究中心建设运放电路：额定电压和电压

系数。

输出电流+ V

或-v

（MA ）

注意事项

在PA89的工作电压是可能致命的。

在电路设计中，开发出功能电路最低

可能的电压。夹测试线应使用“手

关闭“测量时排除故障。

100

10mS

125°C

25°C

100mS

电源保护

单向稳压二极管瞬态吸收器recom-

谁料作为保护的电源引脚。该齐纳二极管钳位

内的电源等级和还瞬变电压

钳位电源逆转到地面。无论是齐纳二极管

使用与否，在系统电源应该被评估

瞬态性能，包括上电过冲和

关闭电源极性反转以及行规。

条件可能会导致开路或极性rever-

应避免或受保护的或者电源轨的SAL

对。逆转或打开在负电源轨是

已知诱导输入级故障。单向transzorbs

防止这种情况，这是可取的，它们是在电气上和

物理上尽可能靠近放大器越好。

85°C

T = T

例

100

200

300

500

800 1000 1200

供应差分输出电压V

– V

(V)

此数据表已经仔细

公司

要

北香农路

假设可能不准确或

美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739

APEX显微技术

检查，被认为

5980

可靠的，但是，没有责任

亚利桑那州图森85741

遗漏。所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

PA89U REV 。 F 1998年2月

1998顶点微技术公司

P ，R 0 ú T I

N N 0伏一

T I

nnova

PA89,

PA89A

N·

PA89 PA89A

高压功率运算放大器

特点

1140V P-P信号输出

宽电源范围 - ± 75V到± 600V

可编程电流限制

75毫安

连续输出电流

密封封装

输入保护

PATENTED

应用

压电定位

高电压测量仪器

静电偏转

半导体测试

典型用途

HIGH VOLTAGE mO-127

封装类型DC

描述

该PA89是一种超高电压MOSFET运算扩增

费里设计的输出电流高达75 mA的电流。输出电压

可以荡过1000V P-P 。安全工作区（SOA ）有

无二次击穿限制，可与观察

所有类型的负载通过选择适当的电流限制

电阻器。高精度实现级联输入电路

配置和120dB开环增益。所有内部偏置为

参考自举齐纳MOSFET电流源，

给PA89宽电源电压范围和优越的电源

排斥反应。 MOSFET输出级的偏置为A / B类

线性操作。外部补偿为用户提供灵活性。

该PA89是100 ％的总泄漏测试，以军用标准

长期可靠性。

这种混合集成电路采用氧化铍（氧化铍）子

施特拉特，厚膜电阻，陶瓷电容和semiconduc-

器芯片，以最大限度地提高可靠性和减小尺寸，并获得最佳

性能。超声粘合铝导线提供

可靠的互连，在所有工作温度。该

MO- 127高电压，功率浸封装密封性

密封和电绝缘。使用可压缩的

热垫圈将导致产品的保修。

超高电压能力结合的桥梁上午

plifier配置能够开发+/- 1000伏

整个压电元件的峰值波动。高增益为-50

A1确保稳定性与容性负载，而“噪声增益”

补偿Rn和道道通的A2 A2保险由稳定

在50噪声增益操作。

50R

+600V

PA89

压电

传感器

–600V

PA89

+600V

单轴微定位

外部连接

+ IN

N / C

顶部

意见

COMP

简化原理图

D57

COMP

Q22

Q25A

Q23

Q25B

+ IN

Q29

Q36

D30

D35

Q45

D34

D31

Q44

-VS

Q42

OUT

Q19

Q20

Q26

+ VS

N / C

–V

OUT

LIM

相位补偿

收益

100

470pF

68pF

33pF

15pF

470Ω

220Ω

注：C

必须适用于全电压-Vs至+ VS 。

请参阅“外部设备”的详细信息

PA89U

http://www.cirrus.com

2009年5月

APEX - PA89UREVJ

PA89 PA89A

绝对最大额定值

P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米

特定网络阳离子

参数

输入

失调电压，初始

失调电压与温度

失调电压，与电源

失调电压，随时间变化

偏置电流，初始

偏置电流， VS 。供应

偏置电流，初始

输入阻抗，直流

输入电容

共模电压范围

共模抑制， DC

输入噪声

收益

开环增益为10Hz

增益带宽积

功率带宽

相位裕度

产量

电压摆幅

当前，连续

压摆率

容性负载， V = 10

容性负载， Av>10

建立时间0.1 ％

电源

电压，V

目前，静态

热

电阻，交流，结到管壳

电阻，直流，结到管壳

电阻，结到空气

温度范围内的情况下

测试条件

民

PA89

典型值

.01

110

120

最大

民

PA89A

典型值

.25

整个温度范围

= 10K ，C

= 15pF的

= 10K ，C

= 15pF的，A

= 100

= 10K ，C

= 15pF的，V

= 500V P-P

整个温度范围内，A

= 10

= 75毫安

整个温度范围内，我

= 20mA下

整个温度范围

= 15pF的，A

= 100

整个温度范围

= 10KΩ ， 10V一步， Av = 10

整个温度范围

108

±V

45 ±V

±V

20 ±V

±75

±500

4.8

2.1

3.3

整个温度范围内，女> 60Hz的

整个温度范围内，女< 60Hz的

整个温度范围

满足全方位的特定网络阳离子

–25

注： * PA89A的特定网络连接的阳离子是相同的特定网络连接的阳离子为PA89在适用列于左边。

1.除非另有说明：T已

= 25°C, C

= 68pF的，R

= 220Ω ，和V

= ± 500V 。输入参数偏置电流和偏置电压

年龄是给定的±值。

在最大结温2.长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗来

实现高平均无故障时间。

对于温度每增加10 ℃， 3张双人床。

4. +V

和-V

表示的正和负电源轨分别。

5.评分仅适用于在一个速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替大于60Hz的速度更快。

该PA89是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。

内部基材中含有氧化铍（ BeO的）。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或

受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。

小心

整个温度范围

整个温度范围内，V

= ±90V

10KHz的带宽，R

= 10K ，C

= 15pF的

±V

SOA

±600

6.0

2.3

3.5

+85

电源电压+ V

为±V

输出电流，内部SOA

功耗，内置在T

= 25°C

输入电压，差分

输入电压，共模

温度，焊针 - 10S最大

温度，结

温度，贮藏

工作温度范围，案例

1200V

100mA

40W

±25V

±V

25V

300°C

150°C

-65 125°C

-55到125°C

最大

单位

μV/°C

V/V

μV / KH

PA / V

MΩ

μV RMS

兆赫

千赫

V / μs的

° C / W

°C

PA89U

P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米

PA89 PA89A

相位响应

33PF ， 220Ω

输出级

内部功耗， P（ W）

相， Ф （ ° ）

–45

–90

–135

68pF的， 220Ω

–180

–225

–270

归一化静态电流，我

(X)

功率降额

1.10

静态电流

1.05

1.00

.95

15pF的， 220Ω

, R

10 100 1K 10K 100K的1M 10M

频率f（赫兹）

75 100 125 150

外壳温度，T

(°C)

200 400 600 800 1000 1200

总电源电压，V

(V)

120

开环增益， A（分贝）

电压降从供给，V

-V

(V)

小信号响应

15pF的， 220Ω

33PF ， 220Ω

输出电压摆幅

输出电压V

P-P

)

100

, R

68pF的， 220Ω

1200

1000

800

600

500

300

功率响应

= 15pF的

= 33pF的

= 68pF的

100

= 220Ω

30K

10K

频率f （ HZ）

100K

–20

100 1K 10K 100K 1M 10M

频率f （ HZ）

输出电流，I

（毫安）

100

失真， THD （％）

压摆率（V / μS ）

= ±500V

= 15pF的，R

= 220Ω

= 11KΩ

= 100

= 800Vpp

= 600Vpp

= 400Vpp

= 100Vpp

100 300 1K 3K 10K 30K 100K

频率f （ HZ）

输入噪声电压，电子

（NV / √Hz的）

压摆率与COMP

谐波失真

输入噪声电压

.01

50.

100

EXT 。补偿电容C

（PF ）

共模抑制， CMR （分贝）

电源抑制PSR （分贝）

.001

100

10K

频率f （ HZ）

100K

100

共模抑制

100

电源抑制

100

电流限制，我

LIM

（MA ）

电流限制

100 1K 10K 100K 1M 10M

频率f （ HZ）

100 1K 10K 100K 1M 10M

频率f （ HZ）

电阻值，R

(Ω)

100

PA89U

PA89 PA89A

一般

P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米

请仔细阅读使用说明1 "General工作CON-

siderations"覆盖稳定，耗材，散热，

安装，限流， SOA的解释，和特异性阳离子

解释。访问www.cirrus.com设计工具，帮助

自动执行任务，如计算的稳定性，内部电源

散热，电流限制;散热器的选择;先端精密

电力公司的完整的应用笔记库;技术研讨会

工作簿;及评估工具包。

稳定性

虽然PA89可在单位增益下工作，最大

压摆率和带宽性能被设计为

在10个或更多的收益所得。用小信号响应

及相位响应曲线图，作为一个指南。在应用中

小于10增益被需要，可以使用噪声增益补偿

化，以增加应用电路的相位裕度

典型应用图中所示。

安全工作区（ SOA ）

这种权力运作扩增的MOSFET输出级

费里有两个明显的局限性：

1. MOSFET的几何形状的电流处理能力

与引线键合。

2.输出MOSFET的结温。

注：输出级进行保护，防止瞬态反激式。

但是，为了防止持续的，高能量的反激式，

外部快速恢复二极管应使用。

输出电流+ V

或-v

（MA ）

100

整个电源电压范围。例如，在电源电压

± 500V C两端的电压可能挥杆

为1000V 。在

此外，电压COEF网络cient小于100PPM是中建议

修补保持电容变化到小于

在这个例子中的5％。我们强烈推荐使用

最高质量的电容器可以在额定的至少两倍的总

电源电压范围。

同样重要的是在额定电压和电压coef-

够的增益设置电阻。典型额定电压

低瓦数的电阻为150 250V 。在上面的例子

1000V可以出现在反馈电阻。这将

需要多个串联电阻，以获得正确的电压

投资评级。低电压系数电阻器将保证良好的增益

线性度。反馈电阻器的额定功率也是

关注。 A 1兆欧姆的反馈电阻器可以很容易地开发

1瓦的功耗。

虽然高电压额定电阻器，可以得到

1兆欧姆的反馈电阻组成的网络已经200Kohm ，

1/4瓦的金属液膜串联电阻会产生正确的

额定电压，电压COEF连接古老而额定功率。

电流限制

为了正常工作的电流限制电阻（R

）必须是

所示连接在外部连接图。该

最小值为3.5欧姆，但是最佳的可靠性

电阻值应设置得尽可能高。值

计算用的最大实际值如下

150欧姆。

LIM

当设定的R值

允许的负载电流作为

以及在所述反馈电阻的电流。还允许在

目前的极限温度COEF网络cient是近似

三方共同-0.3 ％/℃的情况下，温度上升。

SOA

10mS

25°C

100mS

125°C

注意事项

85°C

在PA89的工作电压是可能致命的。

在电路设计中，开发出功能电路最低

可能的电压。夹测试线应使用“手

关闭“测量时排除故障。

T = T

例

电源保护

单向稳压二极管瞬态吸收器recom-

谁料作为保护的电源引脚。该齐纳二极管钳位

内的电源等级和还瞬变电压

钳位电源逆转到地面。无论是齐纳二极管

使用与否，在系统电源应该被评估

瞬态性能，包括上电过冲和

关闭电源极性反转以及行规。

条件可能会导致开路或极性反转

在任何电源应避免或保护轨道

对。逆转或打开在负电源轨是

已知诱导输入级故障。单向transzorbs

防止这种情况，这是可取的，它们是两个电

上和物理上尽可能靠近放大器越好。

200

100

300

500

800 1000 1200

供应差分输出电压V

– V

(V)

安全工作曲线

安全工作区曲线去连接东北最大AD-

ditional内部功耗的放大器器可以容忍

当它产生所需的输出来驱动外部

负载。这是不一样的绝对最大内部

因为在规范中列出的其他地方的功耗

相比于总静态功耗是显著。

外部元件

在PA89需求非常高的工作电压CON-

双组份规格很少关注sideration

建设运放电路：额定电压和电压系数。

补偿电容C

必须额定为

PA89U

P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米

PA89 PA89A

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PA89U

高压功率运算放大器

PA89 PA89A

M I C R T E C H N 0 1 摹

HTTP://WWW.APEXMICROTECH.COM

（ 800 ） 546 - APEX

(800) 546-2739

特点

1140V P-P信号输出

宽电源电压范围 -

±75V

±600V

可编程电流限制

75毫安连续输出电流

密封封装

输入保护

PATENTED

应用

压电定位

高电压测量仪器

静电偏转

半导体测试

典型用途

超高电压能力结合的桥梁上午

plifier配置能够开发+/- 1000伏

整个压电元件的峰值波动。高增益-50为A1

确保稳定性与容性负载，而“噪声增益”

补偿Rn和道道通的A2 A2保险由稳定

在50噪声增益操作。

50R

+600V

PA89

压电

传感器

–600V

PA89

+600V

描述

该PA89是一种超高电压MOSFET运算

扩增fi er专为输出电流高达75 mA的电流。产量

电压摆幅可超过1000V的P-P 。安全工作区

（ SOA）无二次击穿限制，可以是

与所有类型的负载通过选择适当的观察

限流电阻。高精确度达到了

级联输入电路CON组fi guration和120dB开环增益。

所有内部偏置都参考自举zener-

MOSFET电流源，给PA89宽电源电压范围

和出色的电源抑制性能。 MOSFET输出级是

偏颇的A / B类线性操作。外部补偿

为用户提供了灵活性。该PA89是100 ％的总泄漏测试

军用标准的长期可靠性。

这种混合集成电路采用氧化铍（氧化铍）子

施特拉特，厚膜电阻，陶瓷电容和semicon-

导体芯片，以最大限度地提高可靠性和减小尺寸，并获得最佳

性能。超声粘合铝导线提供

可靠的互连，在所有工作温度。该

MO- 127高电压，功率浸封装密封性

密封和电绝缘。

单轴微定位

外部连接*

+ IN

N / C

顶部

意见

COMP

LIM

COMP

简化的原理图

D57

COMP

9 10

Q22

Q25A

Q23

Q25B

+ IN

Q19

Q20

Q26

N / C

–V

OUT

Q29

Q36

OUT

相位补偿

收益

100

470pF

68pF

33pF

15pF

470

220

D30

D35

Q45

D34

D31

Q44

Q42

–V

注：C

必须适用于全电压-Vs至+ VS 。

请参阅“外部设备”的详细信息。

APEX微技术有限公司

电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com

PA89 PA89A

绝对最大额定值

电源电压+ V

为±V

输出电流，内部SOA

功耗，内置在T

= 25°C

输入电压，差分

输入电压，共模

温度，焊针 - 10S最大

温度，结

温度，贮藏

工作温度范围，案例

PA89

测试条件

民

典型值

绝对最大额定值

特定网络阳离子

1200V

100mA

40W

±25V

±V

25V

300°C

150°C

-65 125°C

-55到125°C

PA89A

最大

民

典型值

最大

单位

特定网络阳离子

参数

输入

失调电压，初始

失调电压与温度

失调电压，与电源

失调电压，随时间变化

偏置电流，初始

偏置电流， VS 。供应

偏置电流，初始

输入阻抗，直流

输入电容

共模电压范围

共模抑制， DC

输入噪声

收益

开环增益为10Hz

增益带宽积

功率带宽

相位裕度

产量

电压摆幅

当前，连续

压摆率

容性负载， V = 10

容性负载， Av>10

建立时间0.1 ％

电源

电压，V

目前，静态

热

电阻，交流，结到管壳

电阻，直流，结到管壳

电阻，结到空气

温度范围内的情况下

注意事项：

整个温度范围内，女> 60Hz的

整个温度范围内，女< 60Hz的

整个温度范围

满足全方位的特定网络阳离子

整个温度范围

±75

= 75毫安

整个温度范围内，我

= 20mA下

整个温度范围

= 15pF的，A

= 100

整个温度范围

= 10KΩ ， 10V一步， Av = 10

= 10K ，C

= 15pF的

= 10K ，C

= 15pF的，A

= 100

= 10K ，C

= 15pF的，V

= 500V P-P

整个温度范围内，A

= 10

108

整个温度范围

整个温度范围内，V

±90V

10KHz的带宽，R

= 10K ，C

= 15pF的

±V

.01

110

120

.25

μV/°C

V/V

μV / KH

PA / V

RMS

兆赫

千赫

V / μs的

° C / W

°C

±V

SOA

±500

4.8

2.1

3.3

–25

±600

6.0

2.3

3.5

+85

PA89A的规格是相同的向左在适用柱规格为PA89 。

除非另有说明：T已

= 25°C, C

= 68pF的，R

= 220Ω ，和V

±500V.

输入参数的偏置电流和偏置

电压是

值给出。

在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗

实现高平均无故障时间。

双打的温度每增加10 ℃。

和-V

表示的正和负电源轨分别。

评级仅适用于在一个速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替大于60Hz的速度更快。

该PA89是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。

内部基材中含有氧化铍（ BeO的）。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或

受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。

小心

APEX微技术有限公司

5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739

典型性能

图的

PA89 PA89A

–45

相，

(°)

输出级

内部功耗， P（ W）

功率降额

相位响应

33PF ， 220

归一化静态电流，我

(X)

1.10

静态电流

1.05

–90

–135

68pF的， 220

15pF的， 220

, R

10 100 1K 10K 100K的1M 10M

频率f（赫兹）

1.00

–180

–225

–270

.95

200 400 600 800 1000 1200

总电源电压，V

(V)

75 100 125 150

外壳温度T（ ℃）

120

开环增益， A（分贝）

小信号响应

15pF的， 220

33PF ， 220

电压降从供给，V

– V

(V)

输出电压摆幅

100

, R

68pF的， 220

输出电压V

)

1200

1000

800

600

500

300

功率响应

= 15pF的

= 33pF的

= 68pF的

100

= 220

30K

10K

频率f （ HZ）

100K

–20

10 100 1K 10K 100K的1M 10M

频率f （ HZ）

100

输出电流，I

（MA ）

输入噪声电压，电子

（NV /

√

赫兹）

压摆率与COMP

失真， THD （％）

谐波失真

= ±500V

= 15pF的，R

= 220

= 11K

= 100

= 800Vpp

= 600Vpp

= 400Vpp

输入噪声电压

压摆率（V /

.01

50.

100

EXT 。补偿电容C

（PF ）

共模抑制， CMR （分贝）

= 100Vpp

.001

30 100 300 1K 3K 10K 30K 100K

频率f （ HZ）

电源抑制PSR （分贝）

100

10K

频率f （ HZ）

100K

100

共模抑制

100

电源抑制

100

电流限制，我

LIM

（MA ）

电流限制

10 100 1K 10K 100K的1M 10M

频率f （ HZ）

10 100 1K 10K 100K的1M 10M

频率f （ HZ）

100

电阻值，R

(

)

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电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com

PA89 PA89A

一般

请阅读“一般操作注意事项”节

化，其中包括稳定性，耗材，散热，安装，

限流， SOA的解释，和特异性阳离子interpreta-

化。附加信息可以在应用程序中找到

注释。有关封装外形信息，散热片，并

安装硬件，请参阅“附件和包装

机械数据“手册的部分。

操作

注意事项

稳定性

虽然PA89可在单位增益下工作，最大

压摆率和带宽性能被设计为

在10个或更多的收益所得。用小信号响应

及相位响应曲线图，作为一个指南。在应用中

小于10增益被需要，可以使用噪声增益补偿

化，以增加应用电路的相位裕度

典型应用图中所示。

安全工作区（ SOA ）

这种权力运作扩增的MOSFET输出级

费里有两个明显的局限性：

1. MOSFET的几何形状的电流处理能力

与引线键合。

2.输出MOSFET的结温。

注：输出级进行保护，防止瞬态反激式。

但是，为了防止持续的，高能量的反激式，

外部快速恢复二极管应使用。

补偿电容C

必须额定满

电源电压范围。例如，用电源电压

±500V

C两端尽可能电压摆幅

为1000V 。在

此外，电压COEF网络cient小于100PPM是中建议

修补保持电容变化到小于5％

对于这个例子。强烈建议使用最高

质量电容器可以在额定的至少两倍的总供给

电压范围。

同样重要的是在额定电压和电压

增益设置电阻系数。典型的电压

低功率电阻额定值150至250V 。另外，在上述

例如1000V可以出现在反馈电阻。

这将需要几个串联电阻，得到的

适当的电压等级。低电压系数电阻会

保证良好的增益线性度。反馈的额定功率

电阻也备受关注。 A 1兆欧姆的反馈电阻

可以很容易地开发1瓦特功耗。

虽然高电压额定电阻器，可以得到

一个1兆欧姆的反馈电阻由五个200Kohm ， 1 /

4瓦特金属膜电阻器串联会产生正确的

额定电压，电压COEF连接古老而额定功率。

电流限制

为了正常工作的电流限制电阻（R

）必须是

所示连接在外部连接图。该

最小值为3.5欧姆，但是最佳的可靠性

电阻值应设置得尽可能高。该值是

计算150的最大实际值如下

欧姆。

LIM

安全工作曲线

安全工作区曲线定义的最大额外

tional内部功耗的放大器器可以忍受的时候

它产生所需的输出来驱动外部负载。这

是不一样的绝对最大内部功率

由于quies-耗散别处列出在本说明书中

相比总百分之功耗是显著。

当设定的R值

允许的负载电流作为

以及在所述反馈电阻的电流。还允许在

目前的极限温度COEF网络cient是近似

三方共同-0.3 ％/℃的情况下，温度上升。

外部元件

在PA89需求非常高工作电压

考虑双组份特定网络阳离子很少CON组

欧洲核子研究中心建设运放电路：额定电压和电压

系数。

输出电流+ V

或-v

（MA ）

注意事项

在PA89的工作电压是可能致命的。

在电路设计中，开发出功能电路最低

可能的电压。夹测试线应使用“手

关闭“测量时排除故障。

100

10mS

125°C

25°C

100mS

电源保护

单向稳压二极管瞬态吸收器recom-

谁料作为保护的电源引脚。该齐纳二极管钳位

内的电源等级和还瞬变电压

钳位电源逆转到地面。无论是齐纳二极管

使用与否，在系统电源应该被评估

瞬态性能，包括上电过冲和

关闭电源极性反转以及行规。

条件可能会导致开路或极性rever-

应避免或受保护的或者电源轨的SAL

对。逆转或打开在负电源轨是

已知诱导输入级故障。单向transzorbs

防止这种情况，这是可取的，它们是在电气上和

物理上尽可能靠近放大器越好。

85°C

T = T

例

100

200

300

500

800 1000 1200

供应差分输出电压V

– V

(V)

此数据表已经仔细

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要

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遗漏。所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

PA89U REV 。 F 1998年2月

1998顶点微技术公司