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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第724页 > PA88
高压功率运算放大器
PA88 PA88A
M I C R T E C H N 0 1 摹
HTTP://WWW.APEXMICROTECH.COM
（ 800 ） 546 - APEX
(800) 546-2739
特点
高电压 - 450V （ ± 225V ）
低静态电流 - 2毫安
高输出电流 - 百毫安
可编程电流限制
低偏置电流 - FET输入
PATENTED
应用
压电定位
高电压测量仪器
静电传感器
可编程电源高达440V
典型用途
R
F
描述
该PA88是一种高电压，低静态电流MOSFET
运算放大器，可输出电流高达100mA 。
输出电压摆幅可以达到
±215V
用双电源和
高达440伏单电源供电。安全工作区
（ SOA）无二次击穿限制，可以是
与所有类型的负载通过选择适当的观察
限流电阻。高精确度达到了
共源共栅输入电路结构。所有内部偏置为
参考自举齐纳MOSFET电流源。
其结果是，在PA88具有前所未有的电源范围
和出色的电源抑制性能。 MOSFET输出级是
偏置为线性作业。外部补偿亲
志愿组织用户的灵活性。
这种混合型电路采用氧化铍（氧化铍）基板，厚
液膜电阻，陶瓷电容器和半导体芯片
最大限度地提高可靠性，减小尺寸，并获得最佳性能。
超声粘合铝导线提供了可靠的接口
在所有工作温度下的连接。 8引脚TO- 3
包装是密封和电气隔离。该
使用可压缩的绝热垫圈和/功能或改进
正确的安装扭矩将导致产品的保修期。请
见“一般操作注意事项” 。
+V
S
C
C
R
IN
压电驱动
PA88
电脑
焦点
命令
电压
–V
S
V
OUT
LOWPOWER ， PIEZOELECTRICPOSITIONING
压电定位可以被应用到的段的聚焦
mented镜系统。该复合镜可以的COM
提出了几百个元素，每个要求下聚焦
计算机控制。在这样复杂的系统中， PA88的研华
低静态功耗踏歌降低成本
电源和冷却，同时提供接口
计算机和高电压驱动的压电之间
定位器。
等效原理图
D1
Q1
Q2
Q4
D19
COMP
7
8
“在
5
Q6
Q7
+在
4
Q9
CL
2
3
+V
S
外部连接
+ VS
CL
R
CL
相位补偿
收益
C
C
68pf
33pf
15pf
3.3pf
R
C
100
100
100
—
3
2
1
OUT
Q8
+ IN
4
顶视图
In
1
10
20
100
Q12
Q11
5
6
-VS
8
7
COMP
R
C
COMP
C
C
R
CL
= .7
I
LIM
Q10A
Q10B
Q17
1
OUT
Q13
Q16
D2
Q18
C
C
额定满
电源电压
–V
S
6
APEX微技术有限公司
电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
PA88 PA88A
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流源，汇
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10S最大
温度，结
2
温度，贮藏
工作温度范围，案例
PA88
测试条件
1
民
典型值
绝对最大额定值
特定网络阳离子
450V
看到SOA
15W
±25V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-55到+ 125°C
PA88A
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压，与电源
失调电压，随时间变化
偏置电流，初始
3
偏置电流与电源
偏置电流，初始
3
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
4
共模抑制， DC
噪音
收益
开环， @ 15Hz的
增益带宽积1MHz时
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
4
电压摆幅
4
电压摆幅
4
当前，连续
压摆率，
V
= 20
压摆率，
V
= 100
容性负载，A
V
= +1
建立时间0.1 ％
性，空载
电源
电压
6
当前，静止的，
热
电阻，交流，结到管壳
5
电阻，直流，结到管壳
电阻，结到空气
温度范围内的情况下
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
5.
6.
整个温度范围内，女> 60Hz的
整个温度范围内，女< 60Hz的
整个温度范围
满足全方位的特定网络阳离子
见注6
±15
I
O
=
±100mA
全温。范围内，我
O
=
±75mA
全温。范围内，我
O
=
±20mA
T
C
= 85°C
C
C
= 15pF的，R
C
= 100
C
C
=打开
整个温度范围
C
C
= 15pF的，R
C
= 100Ω ， 2V阶跃
R
CL
= 0
R
L
=为2kΩ ，C
C
=打开
R
L
=为2kΩ ，C
C
= 15pF的，R
C
= 100
R
L
=为2kΩ ，C
C
= 15pF的，R
C
= 100
整个温度范围
96
整个温度范围
最大
民
典型值
最大
单位
V
CM
=
±90V
100kHz的带宽，R
S
= 1kΩ的，C
C
= 15pF的
±V
S
–12
90
.5
10
1
75
5
.01
2.5
10
11
4
110
2
111
2.1
6
60
2
30
5
50
100
*
*
.25
5
*
*
3
*
3
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
.5
10
*
10
20
mV
μV/°C
V/V
μV / √kh
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
μVRMS
dB
兆赫
千赫
°
V
V
V
mA
V / μs的
V / μs的
pf
s
*
±V
S
–12
±V
S
–9.8
±V
S
–8.5
±V
S
–7.5
±V
S
–8.0
±V
S
–5.2
±100
8
30
470
10
100
±200
1.7
±225
2
5.0
8.3
30
–25
+85
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
*
*
*
PA88A的规格是相同的向左在适用柱规格为PA88 。
除非另有说明：T已
C
= 25°C ，补偿= C
C
= 68pF的，R
C
= 100Ω 。直流输入规格
±
值给出。动力
电源电压是典型评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。
双打的温度每增加10 ℃。
+V
S
和-V
S
表示的正和负电源轨分别。
等级的情况发生的速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替大于60Hz的速度更快。
减额最大供应评分0.625 V / ℃，低于25 ℃的情况下。没有必要降额高于25 ℃的情况下。
该PA88是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
内部基材中含有氧化铍（ BeO的） 。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或
受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。
小心
APEX微技术有限公司
5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
典型性能
图的
PA88 PA88A
相位响应
0
–30
2.5
内部功耗， P（ W）
15
功率降额
静态电流
静态电流，I
Q
（MA ）
12.5
T = T
C
C
C
= 3.3pf
2.25
2.0
1.75
1.5
1.25
1.0
T
C
= 12
相，
φ
(°)
10
7.5
5
2.5
0
0
25
50
75 100 125
温度， T（℃ ）
150
T = T
A
–60
–90
5°C
C
C
= 33pF的
C
C
= 68pF的
C
C
= 68pF的
–120
–150
–180
–210
1
C
C
= 33pF的
C
C
= 3.3pf
10 100 1K 10K .1M 1M 10M
频率f （ HZ）
°C
T
C
= 25
5°C
T
C
= -5
450
0
100
300
200
总电源电压，V
S
(V)
120
小信号响应
电压降从供给，V
S
– V
O
(V)
12
10
8
6
输出电压摆幅
500
功率响应
输出电压V
O
(V
PP
)
C
C
开环增益， A（分贝）
100
80
60
40
20
0
–20
1
10 100 1K 10K .1M 1M 10M
频率f （ HZ）
C
C
= 33pF的
C
C
= 68pF的
C
C
= 3.3pf
C
C
= 15pF的
5°
C
T
T
C
=
C
°C
85
12
C
C
=
250
C
C
=
pf
3.3
C
C
=
=
pf
15
pf
33
=
5°C
=2
T
C
T
C
= –55°C
p
68
125
100
75
50
f
4
2
0
100
60
20
40
80
输出电流，I
O
（MA ）
25
1K
50K 100K
2K 3K 5K 10K 20K
频率f （ HZ）
输入噪声电压，V
N
（NV /
√
赫兹）
压摆率
50
30
10
1
谐波失真
R
L
= 2K
P
O
= 2.5W
A
V
= 30
20
15
10
7
5
输入噪声
压摆率（V /
S)
失真， （％）
20
10
5
3
2
1
0 10 20 30 40 50 60 70
补偿电容，C
C
（PF ）
.1
.01
.001
3
2
10
.0001
3
30
300
3K
频率f （ HZ）
30K
100
1K
10K
频率f （ HZ）
1M
共模抑制， CMR （分贝）
电源抑制PSR （分贝）
共模抑制
120
100
80
60
40
20
电源抑制
140
120
100
80
60
40
20
1
10 100 1K 10K .1M
频率f （ HZ）
1M
200
电流限制
电流限制，我
LIM
（MA ）
120
100
70
50
30
20
10
50
3 5
10
20
100 150
限流电阻，R
CL
(
)
1
10
100 1K 10K .1M
频率f （ HZ）
1M
APEX微技术有限公司
电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
PA88 PA88A
操作
注意事项
一般
请阅读“一般操作注意事项”节
化，其中包括稳定性，耗材，散热，安装，
限流， SOA的解释，和特异性阳离子interpreta-
化。附加信息可以在应用程序中找到
注释。有关封装外形信息，散热片，并
安装硬件，请参阅“附件和包装
机械数据“手册的部分。
程序或1N4148 1N914信号二极管苏夫网络cient （ D1 ，
D 2在图2a）。在更苛刻的应用要求低
泄漏或低电容是关注2N4416或2N5457-的
接成二极管2N5459 JFET的将被要求（Q1，Q2
在图2b）。在这两种情况下输入差分电压将
钳制
±.7V.
这是足够的过载产生马克西
妈妈功率带宽。
电流限制
为了正常工作，限流电阻（R
CL
）必须是
所示连接在外部连接图。该
最小值为3.5欧姆，但是最佳的可靠性
电阻值应设置得尽可能高。该值是
计算如下：具有150的最大实际值
欧姆。
.7
R
CL
=
I
LIM
电源保护
单向稳压二极管瞬态抑制器是recom-
谁料作为保护的电源引脚。该齐纳二极管钳位
内的电源等级和还瞬变电压
钳位电源逆转到地面。无论是齐纳二极管
使用与否，在系统电源应该被评估
瞬态性能，包括上电过冲和
关闭电源极性反转以及行规。
条件可能会导致开路或极性rever-
应避免或受保护的或者电源轨的SAL
对。逆转或打开在负电源轨是
已知诱导输入级故障。单向transzorbs
防止这种情况，这是可取的，它们是在电气上和
物理上尽可能靠近放大器越好。
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性：
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
注：输出级进行保护，防止瞬态反激式。
250
输出电流+ V
S
或-v
S
（毫安）
稳定性
在PA88具有足够的相位裕度是稳定的，最
在4以上的增益的容性负载，使用推荐的
相位补偿。
该PA88外部补偿和性能
可以针对该应用程序。用小信号的图形
响应和功率响应作为指导。补偿
电容C
C
必须是
a.
+V
S
额定电压为500V的工作
Z1
电压。一个NPO电容
器建议。该
补偿网络
3
5
C
C
R
C
必须安装
In
密切放大器
D1
D2
PA88
脚7和8 ，以避免
+ IN
4
寄生振荡。
6
Z2
–V
S
b.
+V
S
Z1
3
PA88
6
Z2
图2，过电压保护
–V
S
150
100
DC
20
10
0m
S
0m
S
,T
50
DC
,T
DC
,
C
=
T
25
C
=
°C
85
°C
25
15
10
C
=
12
5°
C
5
25
PULSE曲线@ 10 ％占空比MAX
50
75 100 125
250
500
供应输出差分，V
S
–V
O
(V)
In
Q1
+ IN
5
Q2
4
但是，为了防止持续的，高能量的反激式，
外部快速恢复二极管应使用。
输入保护
虽然PA88能承受的差分输入电压
最多
±25V,
附加的外部保护，建议
并要求在总电源电压超过300伏。在大多数
此数据表已经被仔细检查，被认为是可靠的，但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。所有规格如有变更，恕不另行通知。
PA88U REV 。我1999年3月1999顶点微技术公司
高压功率运算放大器
PA88 PA88A
M I C R T E C H N 0 1 摹
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（ 800 ） 546 - APEX
(800) 546-2739
特点
高电压 - 450V （ ± 225V ）
低静态电流 - 2毫安
高输出电流 - 百毫安
可编程电流限制
低偏置电流 - FET输入
PATENTED
应用
压电定位
高电压测量仪器
静电传感器
可编程电源高达440V
典型用途
R
F
描述
该PA88是一种高电压，低静态电流MOSFET
运算放大器，可输出电流高达100mA 。
输出电压摆幅可以达到
±215V
用双电源和
高达440伏单电源供电。安全工作区
（ SOA）无二次击穿限制，可以是
与所有类型的负载通过选择适当的观察
限流电阻。高精确度达到了
共源共栅输入电路结构。所有内部偏置为
参考自举齐纳MOSFET电流源。
其结果是，在PA88具有前所未有的电源范围
和出色的电源抑制性能。 MOSFET输出级是
偏置为线性作业。外部补偿亲
志愿组织用户的灵活性。
这种混合型电路采用氧化铍（氧化铍）基板，厚
液膜电阻，陶瓷电容器和半导体芯片
最大限度地提高可靠性，减小尺寸，并获得最佳性能。
超声粘合铝导线提供了可靠的接口
在所有工作温度下的连接。 8引脚TO- 3
包装是密封和电气隔离。该
使用可压缩的绝热垫圈和/功能或改进
正确的安装扭矩将导致产品的保修期。请
见“一般操作注意事项” 。
+V
S
C
C
R
IN
压电驱动
PA88
电脑
焦点
命令
电压
–V
S
V
OUT
LOWPOWER ， PIEZOELECTRICPOSITIONING
压电定位可以被应用到的段的聚焦
mented镜系统。该复合镜可以的COM
提出了几百个元素，每个要求下聚焦
计算机控制。在这样复杂的系统中， PA88的研华
低静态功耗踏歌降低成本
电源和冷却，同时提供接口
计算机和高电压驱动的压电之间
定位器。
等效原理图
D1
Q1
Q2
Q4
D19
COMP
7
8
“在
5
Q6
Q7
+在
4
Q9
CL
2
3
+V
S
外部连接
+ VS
CL
R
CL
相位补偿
收益
C
C
68pf
33pf
15pf
3.3pf
R
C
100
100
100
—
3
2
1
OUT
Q8
+ IN
4
顶视图
In
1
10
20
100
Q12
Q11
5
6
-VS
8
7
COMP
R
C
COMP
C
C
R
CL
= .7
I
LIM
Q10A
Q10B
Q17
1
OUT
Q13
Q16
D2
Q18
C
C
额定满
电源电压
–V
S
6
APEX微技术有限公司
电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
PA88 PA88A
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流源，汇
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10S最大
温度，结
2
温度，贮藏
工作温度范围，案例
PA88
测试条件
1
民
典型值
绝对最大额定值
特定网络阳离子
450V
看到SOA
15W
±25V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-55到+ 125°C
PA88A
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压，与电源
失调电压，随时间变化
偏置电流，初始
3
偏置电流与电源
偏置电流，初始
3
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
4
共模抑制， DC
噪音
收益
开环， @ 15Hz的
增益带宽积1MHz时
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
4
电压摆幅
4
电压摆幅
4
当前，连续
压摆率，
V
= 20
压摆率，
V
= 100
容性负载，A
V
= +1
建立时间0.1 ％
性，空载
电源
电压
6
当前，静止的，
热
电阻，交流，结到管壳
5
电阻，直流，结到管壳
电阻，结到空气
温度范围内的情况下
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
5.
6.
整个温度范围内，女> 60Hz的
整个温度范围内，女< 60Hz的
整个温度范围
满足全方位的特定网络阳离子
见注6
±15
I
O
=
±100mA
全温。范围内，我
O
=
±75mA
全温。范围内，我
O
=
±20mA
T
C
= 85°C
C
C
= 15pF的，R
C
= 100
C
C
=打开
整个温度范围
C
C
= 15pF的，R
C
= 100Ω ， 2V阶跃
R
CL
= 0
R
L
=为2kΩ ，C
C
=打开
R
L
=为2kΩ ，C
C
= 15pF的，R
C
= 100
R
L
=为2kΩ ，C
C
= 15pF的，R
C
= 100
整个温度范围
96
整个温度范围
最大
民
典型值
最大
单位
V
CM
=
±90V
100kHz的带宽，R
S
= 1kΩ的，C
C
= 15pF的
±V
S
–12
90
.5
10
1
75
5
.01
2.5
10
11
4
110
2
111
2.1
6
60
2
30
5
50
100
*
*
.25
5
*
*
3
*
3
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
.5
10
*
10
20
mV
μV/°C
V/V
μV / √kh
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
μVRMS
dB
兆赫
千赫
°
V
V
V
mA
V / μs的
V / μs的
pf
s
*
±V
S
–12
±V
S
–9.8
±V
S
–8.5
±V
S
–7.5
±V
S
–8.0
±V
S
–5.2
±100
8
30
470
10
100
±200
1.7
±225
2
5.0
8.3
30
–25
+85
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
*
*
*
PA88A的规格是相同的向左在适用柱规格为PA88 。
除非另有说明：T已
C
= 25°C ，补偿= C
C
= 68pF的，R
C
= 100Ω 。直流输入规格
±
值给出。动力
电源电压是典型评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。
双打的温度每增加10 ℃。
+V
S
和-V
S
表示的正和负电源轨分别。
等级的情况发生的速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替大于60Hz的速度更快。
减额最大供应评分0.625 V / ℃，低于25 ℃的情况下。没有必要降额高于25 ℃的情况下。
该PA88是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
内部基材中含有氧化铍（ BeO的） 。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或
受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。
小心
APEX微技术有限公司
5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
典型性能
图的
PA88 PA88A
相位响应
0
–30
2.5
内部功耗， P（ W）
15
功率降额
静态电流
静态电流，I
Q
（MA ）
12.5
T = T
C
C
C
= 3.3pf
2.25
2.0
1.75
1.5
1.25
1.0
T
C
= 12
相，
φ
(°)
10
7.5
5
2.5
0
0
25
50
75 100 125
温度， T（℃ ）
150
T = T
A
–60
–90
5°C
C
C
= 33pF的
C
C
= 68pF的
C
C
= 68pF的
–120
–150
–180
–210
1
C
C
= 33pF的
C
C
= 3.3pf
10 100 1K 10K .1M 1M 10M
频率f （ HZ）
°C
T
C
= 25
5°C
T
C
= -5
450
0
100
300
200
总电源电压，V
S
(V)
120
小信号响应
电压降从供给，V
S
– V
O
(V)
12
10
8
6
输出电压摆幅
500
功率响应
输出电压V
O
(V
PP
)
C
C
开环增益， A（分贝）
100
80
60
40
20
0
–20
1
10 100 1K 10K .1M 1M 10M
频率f （ HZ）
C
C
= 33pF的
C
C
= 68pF的
C
C
= 3.3pf
C
C
= 15pF的
5°
C
T
T
C
=
C
°C
85
12
C
C
=
250
C
C
=
pf
3.3
C
C
=
=
pf
15
pf
33
=
5°C
=2
T
C
T
C
= –55°C
p
68
125
100
75
50
f
4
2
0
100
60
20
40
80
输出电流，I
O
（MA ）
25
1K
50K 100K
2K 3K 5K 10K 20K
频率f （ HZ）
输入噪声电压，V
N
（NV /
√
赫兹）
压摆率
50
30
10
1
谐波失真
R
L
= 2K
P
O
= 2.5W
A
V
= 30
20
15
10
7
5
输入噪声
压摆率（V /
S)
失真， （％）
20
10
5
3
2
1
0 10 20 30 40 50 60 70
补偿电容，C
C
（PF ）
.1
.01
.001
3
2
10
.0001
3
30
300
3K
频率f （ HZ）
30K
100
1K
10K
频率f （ HZ）
1M
共模抑制， CMR （分贝）
电源抑制PSR （分贝）
共模抑制
120
100
80
60
40
20
电源抑制
140
120
100
80
60
40
20
1
10 100 1K 10K .1M
频率f （ HZ）
1M
200
电流限制
电流限制，我
LIM
（MA ）
120
100
70
50
30
20
10
50
3 5
10
20
100 150
限流电阻，R
CL
(
)
1
10
100 1K 10K .1M
频率f （ HZ）
1M
APEX微技术有限公司
电话（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
PA88 PA88A
操作
注意事项
一般
请阅读“一般操作注意事项”节
化，其中包括稳定性，耗材，散热，安装，
限流， SOA的解释，和特异性阳离子interpreta-
化。附加信息可以在应用程序中找到
注释。有关封装外形信息，散热片，并
安装硬件，请参阅“附件和包装
机械数据“手册的部分。
程序或1N4148 1N914信号二极管苏夫网络cient （ D1 ，
D 2在图2a）。在更苛刻的应用要求低
泄漏或低电容是关注2N4416或2N5457-的
接成二极管2N5459 JFET的将被要求（Q1，Q2
在图2b）。在这两种情况下输入差分电压将
钳制
±.7V.
这是足够的过载产生马克西
妈妈功率带宽。
电流限制
为了正常工作，限流电阻（R
CL
）必须是
所示连接在外部连接图。该
最小值为3.5欧姆，但是最佳的可靠性
电阻值应设置得尽可能高。该值是
计算如下：具有150的最大实际值
欧姆。
.7
R
CL
=
I
LIM
电源保护
单向稳压二极管瞬态抑制器是recom-
谁料作为保护的电源引脚。该齐纳二极管钳位
内的电源等级和还瞬变电压
钳位电源逆转到地面。无论是齐纳二极管
使用与否，在系统电源应该被评估
瞬态性能，包括上电过冲和
关闭电源极性反转以及行规。
条件可能会导致开路或极性rever-
应避免或受保护的或者电源轨的SAL
对。逆转或打开在负电源轨是
已知诱导输入级故障。单向transzorbs
防止这种情况，这是可取的，它们是在电气上和
物理上尽可能靠近放大器越好。
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性：
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
注：输出级进行保护，防止瞬态反激式。
250
输出电流+ V
S
或-v
S
（毫安）
稳定性
在PA88具有足够的相位裕度是稳定的，最
在4以上的增益的容性负载，使用推荐的
相位补偿。
该PA88外部补偿和性能
可以针对该应用程序。用小信号的图形
响应和功率响应作为指导。补偿
电容C
C
必须是
a.
+V
S
额定电压为500V的工作
Z1
电压。一个NPO电容
器建议。该
补偿网络
3
5
C
C
R
C
必须安装
In
密切放大器
D1
D2
PA88
脚7和8 ，以避免
+ IN
4
寄生振荡。
6
Z2
–V
S
b.
+V
S
Z1
3
PA88
6
Z2
图2，过电压保护
–V
S
150
100
DC
20
10
0m
S
0m
S
,T
50
DC
,T
DC
,
C
=
T
25
C
=
°C
85
°C
25
15
10
C
=
12
5°
C
5
25
PULSE曲线@ 10 ％占空比MAX
50
75 100 125
250
500
供应输出差分，V
S
–V
O
(V)
In
Q1
+ IN
5
Q2
4
但是，为了防止持续的，高能量的反激式，
外部快速恢复二极管应使用。
输入保护
虽然PA88能承受的差分输入电压
最多
±25V,
附加的外部保护，建议
并要求在总电源电压超过300伏。在大多数
此数据表已经被仔细检查，被认为是可靠的，但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。所有规格如有变更，恕不另行通知。
PA88U REV 。我1999年3月1999顶点微技术公司
P ，R 0 ú T I
N N 0伏一
T I
nnova
PA88,
I
PA88A
0：N
F
F
r
r
o
o
m
m
PA88 PA88A
PA88 PA88A
高压功率运算放大器
特点
高电压 - 450V （ ± 225V ）
低静态电流 - 2毫安
高输出电流 - 100毫安
可编程电流限制
低偏置电流 - FET输入
应用
压电定位
高电压测量仪器
静电传感器
可编程电源高达440V
PATENTED
典型应用
R
F
+V
S
C
C
8-PIN TO-3
包装样式CE
描述
该PA88是一种高电压，低静态电流MOSFET
运算放大器，可输出电流高达100mA 。
输出电压摆幅可高达± 215V双电源供电
和高达440伏的单电源。安全工作
区（SOA ）无二次击穿限制，可以是
与所有类型的负载通过选择适当的电流观察
租限流电阻。高精确度达到了共源共栅
输入电路结构。所有内部偏置被引用到
自举齐纳MOSFET电流源。其结果是，在
PA88具有前所未有的电源范围和优异的
电源抑制性能。 MOSFET输出级可偏置为
线性操作。外部补偿为用户提供灵活性。
这种混合型电路采用氧化铍（氧化铍）基板，厚
液膜电阻，陶瓷电容器和半导体芯片
最大限度地提高可靠性，减小尺寸，并获得最佳性能。
超声粘合铝导线提供了可靠的接口
在所有工作温度下的连接。 8引脚TO- 3
包装是密封和电气隔离。该
使用可压缩的绝热垫圈和/或不正确的
安装扭矩将导致产品的保修期。请参阅
“一般操作注意事项”
.
R
IN
压电驱动
PA88
电脑
焦点
命令
电压
–V
S
V
OUT
低功耗，压电定位
压电定位可以被应用到的聚焦
分割镜像系统。该复合镜可
数百个元素组成的，每个都需要聚焦
在计算机控制下。在这样复杂的系统的PA88的
利用低静态功耗降低
电源和冷却的成本，同时提供
计算机和高压驱动器之间的接口
压电定位。
外部连接
+ VS
CL
等效原理图
3
+V
S
3
2
R
CL
相位补偿
收益
C
C
68pf
33pf
15pf
3.3pf
R
CL
= .7
I
LIM
R
C
100W
100W
100W
—
D1
Q1
Q2
Q4
D19
COMP
7
8
“在
5
Q6
Q7
+在
4
Q8
Q9
Q12
+ IN
4
顶视图
1
OUT
1
10
20
100
CL
2
In
5
6
7
COMP
8
-VS
COMP
C
C
Q11
Q10A
Q13
Q10B
Q17
1
OUT
R
C
C
C
额定满
电源电压
Q18
Q16
D2
–V
S
6
版权所有 Cirrus Logic公司， 2009年公司
（版权所有）
PA88U
http://www.cirrus.com
2009年5月
1
APEX - PA88UREVN
PA88 PA88A
绝对最大额定值
P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流源，汇
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10S最大
温度，结
2
温度，贮藏
工作温度范围，案例
PA88
典型值
.5
10
1
75
5
.01
2.5
10
11
4
110
2
111
2.1
6
60
450V
看到SOA
15W
±25V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-55到+ 125°C
PA88A
典型值
.25
5
*
*
3
*
3
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压，与电源
失调电压，随时间变化
偏置电流，初始
3
偏置电流与电源
偏置电流，初始
3
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
4
共模抑制， DC
噪音
收益
开环， @ 15Hz的
增益带宽积1MHz时
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
4
电压摆幅
4
当前，连续
压摆率，
V
= 20
压摆率，
V
= 100
容性负载，A
V
= +1
建立时间0.1 ％
性，空载
电源
电压
6
当前，静止的，
热
电阻，交流，结到管壳
5
电阻，直流，结到管壳
电阻，结到空气
温度范围内的情况下
测试条件
1
民
最大
2
30
5
50
100
民
最大
.5
10
*
10
20
单位
mV
μV/°C
V/V
μV / √kh
pA
PA / V
pA
Ω
pF
V
dB
μVRMS
dB
兆赫
千赫
°
V
V
mA
V / μs的
V / μs的
pf
s
Ω
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
整个温度范围
V
CM
= ±90V
100kHz的带宽，R
S
= 1kΩ的，C
C
= 15pF的
R
L
=为2kΩ ，C
C
=打开
R
L
=为2kΩ ，C
C
= 15pF的，R
C
= 100Ω
R
L
=为2kΩ ，C
C
= 15pF的，R
C
= 100Ω
整个温度范围
全温。范围内，我
O
= ± 75毫安
全温。范围内，我
O
= -20mA
T
C
= 85°C
C
C
= 15pF的，R
C
= 100Ω
C
C
=打开
整个温度范围
C
C
= 15pF的，R
C
= 100Ω ， 2V阶跃
R
CL
= 0
见注6
±V
S
–15
90
*
*
96
*
±V
S
–16 ±V
S
–14
±V
S
–10 ±V
S
–5.2
±100
8
30
470
10
100
±15
±200
1.7
±225
2
5.0
8.3
+85
*
*
*
*
整个温度范围内，女> 60Hz的
整个温度范围内，女< 60Hz的
整个温度范围
满足全方位的特定网络阳离子
–25
30
*
*
注： * PA88A的规格是相同的向左在适用柱规格为PA88 。
1.除非另有说明：T已
C
= 25°C ，补偿= C
C
= 68pF的，R
C
= 100Ω 。直流输入特定网络阳离子±值给出。动力
电源电压是典型评级。
在最大结温2.长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗来
实现高平均无故障时间。
对于温度每增加10 ℃， 3张双人床。
4. +V
S
和-V
S
表示的正和负电源轨分别。
5.评分适用于如果在一个速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替大于60Hz的速度更快。
6.减额最大供应评分0.625 V / ℃，低于25 ℃的情况下。没有必要降额高于25 ℃的情况下。
小心
该PA88是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
内部基材中含有氧化铍（ BeO的） 。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或
受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。
2
PA88U
P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米
PA88 PA88A
相位响应
0
内部功耗， P（ W）
15
功率降额
–30
T = T
C
–60
2.5
静态电流
12.5
静态电流，I
Q
（MA ）
C
C
= 3.3pf
C
C
= 33pF的
C
C
= 68pF的
C
C
= 68pF的
2.25
2.0
1.75
1.5
1.25
1.0
0
相， Ф （ ° ）
10
7.5
5
2.5
0
0
25
50
75 100 125
温度， T（℃ ）
150
T = T
A
T
C
= 1
25°C
–90
–120
–150
–180
–210
1
10
°C
T
C
= 25
5°C
T
C
= -5
C
C
= 33pF的
C
C
= 3.3pf
100 1K 10K .1M 1M 10M
频率f （ HZ）
100
300
200
450
总电源电压，V
S
(V)
电压降从供给， VS -Vo级， （ V）
120
小信号响应
20
输出电压摆幅
500
功率响应
输出电压V
O
(V
PP
)
C
C
开环增益， A（分贝）
100
80
60
40
20
0
–20
1
10
100 1K 10K .1M 1M 10M
频率f （ HZ）
C
C
= 33pF的
C
C
= 68pF的
C
C
= 3.3pf
C
C
= 15pF的
积极
18负
16
14
12
10
8
6
4
2
20
T
C
=-55°C
T
C
=25°C
100
T
C
=125°C
T
C
=85°C
f
.3p
=3
250
C
C
=1
C
C
=3
8p
C
C
5p
=6
f
3p
f
125
100
75
50
f
40
60
80
输出电流，I
O
（MA ）
25
1K
2K 3K 5K 10K 20K
50K 100K
频率f （ HZ）
30
压摆率（V /μs的）
失真， （％）
20
10
5
3
2
1
1
.1
.01
.001
.0001
R
L
= 2KΩ
P
O
= 2.5W
A
V
= 30
输入噪声电压，V
N
（NV / √Hz的）
50
压摆率
10
谐波失真
20
15
10
7
5
输入噪声
3
2
10
0 10 20 30 40 50 60 70
补偿电容，C
C
（PF ）
3
30
300
3K
频率f （ HZ）
30K
100
1K
10K
频率f （ HZ）
1M
共模抑制， CMR （分贝）
电源抑制PSR （分贝）
共模抑制
120
100
80
60
40
20
电源抑制
140
200
120
100
80
60
40
20
1
10
100 1K 10K .1M
频率f （ HZ）
1M
电流限制
电流限制，我
LIM
（MA ）
120
100
70
50
30
20
10
1
10
100 1K 10K .1M
频率f （ HZ）
1M
5
50
3
10
20
100 150
限流电阻，R
CL
(Ω)
PA88U
3
PA88 PA88A
一般
P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米
输入保护
虽然PA88能承受的差分输入电压
高达± 25V，附加的外部保护，建议
并要求在总电源电压超过300伏。在大多数
程序或1N4148 1N914信号二极管苏夫网络cient （ D1 ，
D 2在图2a）。在更苛刻的应用要求低
泄漏或低电容是关注2N4416或2N5457-的
接成二极管2N5459 JFET的将被要求（Q1，Q2
在图2b）。在这两种情况下输入差分电压将
钳位到± .7V 。这是苏夫网络cient过载产生
最大功率带宽。
请仔细阅读使用说明1 "General工作CON-
siderations"覆盖稳定，耗材，散热，
安装，限流， SOA的解释，和特异性阳离子
解释。访问www.cirrus.com设计工具，帮助
自动执行任务，如计算的稳定性，内部电源
散热，电流限制;散热器的选择;先端精密
电力公司的完整的应用笔记库;技术研讨会
工作簿;及评估工具包。
电流限制
为了正常工作，限流电阻（R
CL
）必须是
所示连接在外部连接图。该
最小值为3.5欧姆，但是最佳的可靠性
电阻值应设置得尽可能高。值
按如下方法计算;用的最大实际值
150欧姆。
.7
R
CL
=
I
LIM
电源保护
单向稳压二极管瞬态抑制器是recom-
谁料作为保护的电源引脚。该齐纳二极管钳位
内的电源等级和还瞬变电压
钳位电源逆转到地面。无论是齐纳二极管
使用与否，在系统电源应该被评估
瞬态性能，包括上电过冲和
关闭电源极性反转以及行规。
条件可能会导致开路或极性反转
在任何电源应避免或保护轨道
对。逆转或打开在负电源轨是
已知诱导输入级故障。单向transzorbs
防止这种情况，这是可取的，它们是两个电
上和物理上尽可能靠近放大器越好。
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
费里有两个明显的局限性：
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
250
SOA
10
0
稳定性
在PA88具有足够的相位裕度，可以稳定地
最容性负载在4以上的增益，使用消遣
ommended阶段
a.
+V
S
补偿。
该PA88是克斯特
Z1
应受补偿
与性能
3
5
可量身打造
In
应用程序。使用
D1
D2
PA88
小信号图
响应和动力
+ IN
4
6
响应作为指导。
补偿
Z2
电容C
C
必须
额定电压为500V
–V
S
工作电压。一
b.
+V
S
NPO电容器
Z1
推荐使用。该
补偿网络
3
工作
C
R
C
必须是
5
In
安装紧密合作，
Q1
Q2
PA88
放大器销7
和8 ，以避免spuri-
+ IN
4
OU的振荡。
6
Z2
–V
S
输出电流+ V
S
或-v
S
（毫安）
150
100
20
DC
,
T
0m
S
=
25
mS
50
DC
DC
C
,T
C
=
°C
85
25
15
10
,T
°C
C
=
12
5°
C
5
25
PULSE曲线@ 10 ％占空比MAX
50
75 100 125
250
500
供应输出差分，V
S
–V
O
(V)
注：输出级进行保护，防止瞬态反激式。
但是，为了防止持续的，高能量的反激式，
外部快速恢复二极管应使用。
图2，过电压保护
4
PA88U
P ，R 0 ü （C T） I N N 2 O V A T I nF的R 0米
PA88 PA88A
联系Cirrus Logic公司支持
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要找到离您最近的一个，去www.cirrus.com
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ERTY或环境损害（ “关键应用”）。 CIRRUS产品并非设计，授权或担保BE
适合于在产品外科手术植入人体，汽车安全或安全设备，生命支持的精良
UCTS或其它关键应用。作者CIRRUS在这类应用产品夹杂物的理解，充分处于客
Tomer的风险和Cirrus声明，也没有明示，法定或暗示的担保，包括对隐含担保
适销性，特定目的，对任何CIRRUS产品，是用在这种的方式进行。如果
客户或客户的客户使用或允许的CIRRUS产品中使用在关键应用中，客户同意，
通过这样的使用，完全赔偿CIRRUS及其官员，董事，雇员，经销商和代理等引发任何一切
责任，包括律师费和成本，这可能导因于或起源于均与这些用途。
Cirrus Logic公司，卷云，而Cirrus Logic公司的标志设计，顶点精密电源，顶点与顶点精密电源的标识设计是Cirrus Logic ， Inc.的商标。
所有其他品牌和产品名称本文档中可能是其各自所有者的商标或服务标志。
PA88U
5
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½
½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
特点
高电压 - 450V （ ± 225V ）
低静态电流 - 2毫安
高输出电流 - 百毫安
可编程电流限制
低偏置电流 - FET输入
PATENTED
应用
压电定位
高电压测量仪器
静电传感器
可编程电源高达440V
8引脚TO- 3
包装样式CE
典型用途
½
½
½½
½
½
½
描述
该PA88是一种高电压，低静态电流MOSFET导
FET运算放大器器专为输出电流高达
100mA电流。输出电压摆幅可高达± 215V采用双
供应和高达440伏的单电源。安全
工作区（SOA ）无二次击穿限制
并且可以与所有类型的负载通过选择一个可观察
适当的限流电阻。高精确度达到
级联输入电路CON组fi guration 。所有内部偏置为
参考自举齐纳MOSFET电流源。
其结果是，在PA88具有前所未有的电源范围
和出色的电源抑制性能。 MOSFET输出级是
偏置为线性作业。外部补偿提供
用户灵活性。
这种混合型电路采用氧化铍（氧化铍）基板，厚
液膜电阻，陶瓷电容器和半导体芯片
最大限度地提高可靠性，减小尺寸，并获得最佳性能。
超声粘合铝导线提供了可靠的接口
在所有工作温度下的连接。 8引脚TO- 3
包装是密封和电气隔离。该
使用可压缩的绝热垫圈和/或不正确的
安装扭矩将导致产品的保修期。请参阅
“一般操作注意事项” 。
½
½½
½½½½½½½½½½½
½½½½
½½½½½½½½
½½½½½
½½½½½½½
½½½½½½½
½
½½½
½½
½
低功耗，压电定位
压电定位可以被应用到的聚焦
分割镜像系统。该复合镜可
数百个元素组成的，每个都需要聚焦
在计算机控制下。在这样复杂的系统的PA88的
利用低静态功耗降低
电源和冷却的成本，同时提供
计算机和高压驱动器之间的接口
压电定位。
外部连接
½½½
½½
等效原理图
½½
½½
½½
½½
½½½
½½½½
½
½
½
½½
½
½½½
½
½
½
½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½
½½½
½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½½
½
½½
½½ ½½
½
½½½
½
½
½½½½
½
½½½½
½
½½½½
½
½
½
½½½
½½½½½½½½
½
½½
½½
½½½
½½
½½
½½½
½½
½
½½½
½
½
½
½½½½
½
½½½
½½½½
½
½
½½½½
½
½½
½½
½½½½
½
½½½
½½½½
½½½
½½½½
½½½
½
½½½
½
½
½
½
½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½
½½
½½
½
½
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
1
PA88 PA88A
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流源，汇
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10S最大
温度，结
2
温度，贮藏
工作温度范围，案例
PA88
典型值
.5
10
1
75
5
.01
2.5
10
11
4
110
2
111
2.1
6
60
绝对最大额定值
特定网络阳离子
450V
看到SOA
15W
±25V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-55到+ 125°C
PA88A
典型值
.25
5
*
*
3
*
3
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
失调电压，与电源
失调电压，随时间变化
偏置电流，初始
3
偏置电流与电源
偏置电流，初始
3
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
4
共模抑制， DC
噪音
收益
开环， @ 15Hz的
增益带宽积1MHz时
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
4
电压摆幅
4
当前，连续
压摆率，
V
= 20
压摆率，
V
= 100
容性负载，A
V
= +1
建立时间0.1 ％
性，空载
电源
电压
6
当前，静止的，
热
电阻，交流，结到管壳
5
电阻，直流，结到管壳
电阻，结到空气
温度范围内的情况下
测试条件
1
民
最大
2
30
5
50
100
民
最大
.5
10
*
10
20
单位
mV
μV/°C
V/V
μV / √kh
pA
PA / V
pA
Ω
pF
V
dB
μVRMS
dB
兆赫
千赫
°
V
V
mA
V / μs的
V / μs的
pf
s
Ω
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
整个温度范围
V
CM
= ±90V
100kHz的带宽，R
S
= 1kΩ的，C
C
= 15pF的
R
L
=为2kΩ ，C
C
=打开
R
L
=为2kΩ ，C
C
= 15pF的，R
C
= 100Ω
R
L
=为2kΩ ，C
C
= 15pF的，R
C
= 100Ω
整个温度范围
全温。范围内，我
O
= ± 75毫安
全温。范围内，我
O
= -20mA
T
C
= 85°C
C
C
= 15pF的，R
C
= 100Ω
C
C
=打开
整个温度范围
C
C
= 15pF的，R
C
= 100Ω ， 2V阶跃
R
CL
= 0
见注6
±V
S
–15
90
*
*
96
*
±V
S
–16 ±V
S
–14
±V
S
–10 ±V
S
–5.2
±100
8
30
470
10
100
±15
±200
1.7
±225
2
5.0
8.3
+85
*
*
*
*
整个温度范围内，女> 60Hz的
整个温度范围内，女< 60Hz的
整个温度范围
满足全方位的特定网络阳离子
–25
30
*
*
注： * PA88A的特定网络连接的阳离子是相同的特定网络连接的阳离子为PA88在适用列于左边。
1.除非另有说明：T已
C
= 25°C ，补偿= C
C
= 68pF的，R
C
= 100Ω 。直流输入特定网络阳离子±值给出。动力
电源电压是典型评级。
在最大结温2.长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗来
实现高平均无故障时间。
对于温度每增加10 ℃， 3张双人床。
4. +V
S
和-V
S
表示的正和负电源轨分别。
5.评分适用于如果在一个速率的两个输出晶体管之间的输出电流交替大于60Hz的速度更快。
6.减额最大供应评分0.625 V / ℃，低于25 ℃的情况下。没有必要降额高于25 ℃的情况下。
小心
该PA88是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
内部基材中含有氧化铍（ BeO的） 。不要打破封印。如果不慎破裂，不粉碎，机，或
受温度超过850℃ ，以避免产生有毒烟雾。
APEX微技术公司 5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
2
典型性能
图的
PA88 PA88A
½½½½½½½½½½½½½½
½
½½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½
½½½½½
½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½½½½½
½½½½½½½½½½½½
½½
½½½
½
½½½
½
½
½½
½½
½½ ½½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½½
½
½½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½
½½
½
½
½½½½½½½½
½
½
½½½½½½½
½
½
½½½½½½½
½
½
½½½½½½½
½½½½
½½½
½½½½
½½½
½½½½
½½½
½
½½
½
½
½½½½
½½
½½
½
½
½½½½½
½½½
½ ½½½½½
½
½
½
½½½½½½½
½
½
½½½½½½½½
½½½ ½½ ½½½ ½½½ ½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½
½½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½½½
½½
½
½½½
½
½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½
½½
½½
½½
½
½½½
½
½½
½½½ ½½ ½½½ ½½½ ½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½
½½½½½½½
½
½
½½½½½½½
½
½
½½½½½½½½
½
½
½½½½½½½
½½½½½½½½
½½ ½½½½½½½½
½½
½½
½½
½½
½
½
½
½
½½
½
½
½½½½½½
½
½
½½½½½
½½½
½
½
½½½½½½
½
½
½½½½½
½½½
½½½
½
½
½½
½½
½
½½½
½
½
½½½
½
½½½
½
½
½½
½
½½
½
½½
½½½
½½½
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½½
½½
½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½½½½½
½½
½½
½½½ ½½½½
½½ ½½ ½½ ½½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½
½
½
½
½
½
½½
½½½
½½½½
½½½½½
½
½
½½½½½½½
½
½
½½½½½½½
½
½
½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½
½½
½
½
½½½½½½½½½½½
½
½
½½
½ ½½ ½½ ½½ ½½ ½½ ½½ ½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½½½½½½
½
½½
½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½
½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½
½½
½½
½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½
½½½
½½½
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½½
½½
½
½½
½½½ ½½ ½½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½½
½½½
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½½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
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APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
3
PA88 PA88A
一般
请仔细阅读使用说明1 "General工作CON-
siderations"覆盖稳定，耗材，散热，
安装，限流， SOA的解释，和特异性阳离子
解释。访问www.apexmicrotech.com设计工具
这有助于自动化任务，如计算的稳定性，
内部功耗，电流限制;散热器的选择;
Apex公司完整的应用笔记库;技术研讨会
工作簿;及评估工具包。
操作
注意事项
输入保护
虽然PA88能承受的差分输入电压
高达± 25V，附加的外部保护，建议
并要求在总电源电压超过300伏。在大多数
程序或1N4148 1N914信号二极管苏夫网络cient （ D1 ，
D 2在图2a）。在更苛刻的应用要求低
泄漏或低电容是关注2N4416或2N5457-的
接成二极管2N5459 JFET的将被要求（Q1，Q2
在图2b）。在这两种情况下输入差分电压将
钳位到± .7V 。这是苏夫网络cient过载产生
最大功率带宽。
电流限制
为了正常工作，限流电阻（R
CL
）必须是
所示连接在外部连接图。该
最小值为3.5欧姆，但是最佳的可靠性
电阻值应设置得尽可能高。值
按如下方法计算;用的最大实际值
150欧姆。
.7
R
CL
=
I
LIM
电源保护
单向稳压二极管瞬态抑制器是recom-
谁料作为保护的电源引脚。该齐纳二极管钳位
内的电源等级和还瞬变电压
钳位电源逆转到地面。无论是齐纳二极管
使用与否，在系统电源应该被评估
瞬态性能，包括上电过冲和
关闭电源极性反转以及行规。
条件可能会导致开路或极性反转
在任何电源应避免或保护轨道
对。逆转或打开在负电源轨是
已知诱导输入级故障。单向transzorbs
防止这种情况，这是可取的，它们是两个电
上和物理上尽可能靠近扩增fi er越好。
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作扩增的MOSFET输出级
网络连接器具有两个不同的限制：
1. MOSFET的几何形状的电流处理能力
与引线键合。
2.输出MOSFET的结温。
½½½
½½½
½½
½
稳定性
在PA88具有萨夫音响cient相位裕度，可以稳定地
最容性负载在4以上的增益，使用消遣
ommended阶段
½½
½
½½
补偿。
该PA88是克斯特
½½
应受补偿
与性能
½
½
可量身打造
½½½
应用程序。使用
½½
½½
½½½½
小信号图
响应和动力
½½½
½
½
响应作为指导。
补偿
½½
电容C
C
必须
额定电压为500V
½½
½
工作电压。一
½½
½½
½
NPO电容器
½½
推荐使用。该
补偿网络
½
工作
C
R
C
必须是
½
½½½
安装紧密合作，
½½
½½
½½½½
该放大器器引脚7
和8 ，以避免spuri-
½½½
½
OU的振荡。
½
½½
½½
½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½½½½½½
½
½½½½½½
½½½
½½½
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½½½½
注：输出级进行保护，防止瞬态反激式。
但是，为了防止持续的，高能量的反激式，
外部快速恢复二极管应使用。
图2，过电压保护
此数据表已经被仔细检查，被认为是可靠的，
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