UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
PA6112
双150毫瓦音频功率
扩音器
描述
在UTC
PA6112
是一种双音频功率放大器差
投入能够每通道提供典型150MW
连续平均功率到16Ω负载小于0.1 ％
THD + N使用的是5V电源。单位增益稳定UTC
PA6112
可以通过外部增益设置电阻进行配置。
在UTC
PA6112
采用外部控制的低功耗
消费的关断模式。在UTC
PA6112
显示出低
通常1.5毫安的静态电流，从而允许使用的便携式
应用程序。
CMOS IC
MSOP-10
特点
*工作电压范围V
DD
=2.5V~5.5V
*输出功率：
-150mW @ 5V为16Ω
*差分输入
*关机模式下可用
*低电流消耗： 3毫安最大
*杂音抑制电路
*单位增益稳定
*过热和过电流保护
*无铅电镀产品编号： PA6112L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
PA6112-SM2-R
PA6112L-SM2-R
PA6112-SM2-T
PA6112L-SM2-T
包
MSOP-10
MSOP-10
填料
带盘
管
PA6112L-SM2-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴，T ：管
（ 2 ） SM2 ： MSOP - 10
（ 3）L ：无铅电镀，空白：铅/锡
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2005 Unisonic技术有限公司
1第8
QW-R502-100,A
PA6112
引脚配置
V
OUT
1 1
IN1-
IN1+
绕行
GND
2
3
4
5
10 V
DD
9 V
OUT
2
8 IN2-
7 IN2 +
6
关闭
CMOS IC
引脚说明
针无
4
5
2
3
8
7
6
10
1
9
引脚名称
绕行
GND
IN1-
IN1+
IN2-
IN2+
关闭
V
DD
V
OUT
1
V
OUT
2
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
O
O
描述
连接到内部电压分压器。为了获得最佳性能，一个0.1 μF 1 μF
低ESR电容使用。
地
通道1负输入。
通道1正输入端。
通道2负输入端。
通道2的正输入。
低静态电流模式使能。高活性。
电源电压。
通道1的音频输出。
2声道音频输出。
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2第8
QW-R502-100,A
PA6112
绝对最大额定值
参数
符号
V
DD
V
IN
CMOS IC
评级
单位
电源电压
6
V
输入电压
-0.3~V
DD
~+0.3
V
连续总功率耗散
内部限制
℃
工作结温
T
J
-40 ~ +150
℃
储存温度
T
英镑
-65 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
推荐工作条件
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
符号
V
DD
V
IH
（ SHUTDOWN ）
V
IL
（ SHUTDOWN ）
民
2.5
0.6×V
DD
典型值
最大
5.5
0.25×V
DD
单位
V
V
V
电气特性
(T
A
= 25℃)
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
DC电气特性
产量
OFFSET
电压
电源抑制比
电源电流
在关断电源电流
模式
输入阻抗
V
O（关）
PSRR
I
DD
I
DD （ SD ）
Z
IN
A
V
= 2 V/V,
V
DD
= 3.2 V ~ 3.4 V
V
DD
= 4.9 V ~ 5.1 V
SHUTDOWN = 0 V ，
V
DD
= 2.5 ~ 5.5 V
SHUTDOWN = V
DD
V
DD
= 2.5 ~ 5.5 V
15
83
76
1.5
10
>1
3
50
mV
dB
mA
A
M
交流工作特性（V
DD
= 3.3V ，R
L
= 16)
输出功率（每个通道）
总谐波失真+噪声
最大输出功率BW
相位裕度
电源纹波抑制比
通道/通道输出分离
信噪比
噪声输出电压
THD
0.1％中，f = 1千赫
P
OUT
THD + N P
OUT
= 40毫瓦， 20 - 20千赫
B
OM
G = 10 ，总谐波失真< 5％
开环
RR
F = 1千赫
F = 1千赫
SNR
P
OUT
= 50毫瓦，
V
= 1
eN
A
V
= 1
60
0.4%
>20
96°
71
89
100
11
mW
千赫
dB
dB
dB
μV （ RMS）
交流工作特性（V
DD
= 5V ，R
L
= 16)
输出功率（每个通道）
总谐波失真+噪声
最大输出功率BW
相位裕度
电源纹波抑制比
通道/通道输出分离
信噪比
噪声输出电压
P
OUT
THD≤0.1 ％中，f = 1千赫
THD + N P
OUT
= 100毫瓦， 20 - 20千赫
B
OM
G = 10 ，总谐波失真< 5％
开环
RR
F = 1千赫
F = 1千赫
SNR P
OUT
= 100毫瓦，
V
= 1
eN
A
V
= 1
150
0.6%
>20
96°
61
90
100
11.7
mW
千赫
dB
dB
dB
μV （ RMS）
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3 8
QW-R502-100,A
PA6112
电气特性（续）
参数
符号
测试条件
民
典型值
CMOS IC
最大
单位
交流工作特性（V
DD
= 3.3V ，R
L
= 32)
输出功率（每个通道）
总谐波失真+噪声
最大输出功率BW
相位裕度
电源纹波抑制比
通道/通道输出分离
信噪比
噪声输出电压
P
OUT
THD≤ 0.1％中，f = 1千赫
THD + N P
OUT
= 30毫瓦， 20 - 20千赫
B
OM
A
V
= 10，总谐波失真< 2％
开环
RR
F = 1千赫
F = 1千赫
SNR P
OUT
= 40毫瓦，
V
= 1
eN
A
V
= 1
40
0.4%
>20
96°
71
95
100
11
mW
千赫
dB
dB
dB
μV （ RMS）
交流工作特性（V
DD
= 5V ，R
L
= 32)
输出功率（每个通道）
总谐波失真+噪声
最大输出功率BW
相位裕度
电源纹波抑制比
通道/通道输出分离
信噪比
噪声输出电压
P
OUT
THD≤ 0.1％中，f = 1千赫
THD + N P
OUT
= 60毫瓦， 20 - 20千赫
B
OM
A
V
= 10，总谐波失真< 2％
开环
RR
F = 1千赫
F = 1千赫
SNR P
OUT
= 90毫瓦，
V
= 1
eN
A
V
= 1
90
0.4%
>20
97°
61
98
100
11.7
mW
千赫
dB
dB
dB
μV （ RMS）
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4 8
QW-R502-100,A
PA6112
典型应用电路
CMOS IC
R
b
R
f
R
I
RIGHT IN
C
I
R
I
C
I
R
f
4绕道
C
b
R
I
C
I
留在
C
I
R
I
R
f
8 IN2-
R
f
7 IN2 +
3 IN1 +
2 IN1-
R
b
V
DD
/2
V
DD
10
V
DD
C
S
V
OUT
1 1
Co
偏关断6
控制
R
L
16或32Ω
V
OUT
2 9
5
Co
R
L
16或32Ω
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5 8
QW-R502-100,A
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