【4 MBLT （ 256K ×16 512K ×8 ）低功耗BOOT BLOCK闪存系列28F400】,IC型号PA28F400BL-T150,PA28F400BL-T150 PDF资料,PA28F400BL-T150经销商,ic,电子元器件-51电子网

4 MBLT （ 256K ×16 512K ×8 ）

低功耗BOOT BLOCK

闪存系列

28F400BL - T B 28F004BL - T B

低电压操作非常

低功耗便携式应用

3 0V 3 6V阅读

3 15V- 3 6V程序擦除

扩展温度范围

20℃至

70 C

X8 X16输入输出架构

28F400BL -T 28F400BL -B

高性能和高

集成的16位和32位的CPU

X8仅输入输出架构

28F004BL -T 28F004BL -B

对于空间受限的8位

应用

升级到英特尔的SmartVoltage

制品

优化的高密度阻止

架构

一个16 KB的保护引导块

两个8 KB参数块

一个96 KB的主座

三128 KB主块

顶部或底部启动位置

扩展循环能力

10000块擦除周期

自动字字节写和块

抹去

命令的用户界面

状态寄存器

擦除挂起功能

SRAM兼容写接口

自动省电功能

0 8 mA典型我

目前活跃在

静态工作

极高性能的读取

150 ns最大访问时间

65 ns最大输出使能时间

低功耗

15毫安典型的读操作工作电流

复位深度掉电输入

0 2

典型

作为复位的启动操作

写保护的引导块

硬件数据保护功能

擦除功率在写锁定

TRANSITIONS

行业标准的表面贴装

包装

28F400BL JEDEC ROM

兼容

44引脚PSOP

56引脚TSOP

28F004BL 40引脚TSOP

12V字字节写和块擦除

12V

5 ％标准

ETOX

III闪存技术

3 3V阅读

其他品牌和名称是其各自所有者的财产

本文档中的信息均与英特尔产品相关的英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何专利或

版权销售英特尔产品和使用，除非在英特尔的条款和条件出售此类产品的英特尔保留作出正确的规定

修改这些参数，恕不另行通知微电脑产品随时可能有轻微的变化，以本规范勘误表

版权

英特尔公司1995年

1995年11月

订单号290450-005

28F400BL - T B 28F004BL - T B

Intel的4 - Mbit的低功耗闪存系列是引导块架构的扩展，其中包括

块选择性删除自动写入和擦除操作和标准的微处理器接口

4 - Mbit的低功耗闪存系列增强了引导块架构通过添加更多的密度和

块X8 X16的输入输出控制非常低的功耗非常高的速度的行业标准ROM兼容

引脚排列和表面贴装封装的4 - Mbit的低功耗快闪族将打开3V的新功能电池 -

供电的便携式系统是一个简单的升级到英特尔的2 - Mbit的低功耗引导块闪存

家庭

英特尔28F400BL -TB是16位宽的低功耗闪存产品，这些高密度快闪记忆体

对于无论是8位或16位应用程序的28F400BL - T和28F400BL -B提供用户可选的总线操作

是组织成要么524 288字节4 194 304位的非易失性存储器或信息262 144字

它们均提供44引脚塑料SOP和56引脚TSOP封装的X8 X16引脚排列符合

行业标准的ROM EPROM引脚排列英特尔28F004BL - TB是8位宽的低功耗快闪记忆体

与4 194 304位组织为524 288字节的信息，他们均提供40引脚TSOP封装

它非常适合于空间受限的便携式系统

这些器件采用一个集成的命令用户界面（CUI ）和写状态机（ WSM ）的简化

字字节写和块擦除的28F400BL -T 28F004BL -T提供数据块的位置兼容

英特尔低电压MCS- 186系列的i386

i486

微处理器的28F400BL -B 28F004BL -B提供

英特尔的80960KX和80960SX家庭兼容性以及其他低电压嵌microproces-

感器

引导块包括数据保护功能，以保护关键应用有了启动代码

150 ns的最大访问时间这4兆位低功耗闪存设备处于非常高的性能回忆

3 3V该接口广泛的低电压微处理器和微控制器深加电

关断模式降低了总V

功耗为0 66

这是手持式电池供电的关键

如手持蜂窝电话对使用5V电源非常高速的应用系统是指英特尔

28F400BX - TB 28F004BX - TB 4 - Mbit的引导块闪存系列数据表

英特尔的0 8微米ETOX III工艺制造的4兆位闪存系列提供了世界一流的

在4兆比特密度级质量的可靠性和成本效益

28F400BL - T B 28F004BL - T B

产品系列概述

1 2主要特点

该28F400BL 28F004BL引导块闪存

家庭是一个非常高的性能4兆位（ 4 194 304

位）内存的家庭组织为任256 K字

每16位或512字节（ 262 144字）

（ 524 288字节）的每个8位

七分别可擦除块

包括

硬件可锁定引导块

（ 16 384字节）

2参数块

（ 8每192字节），

FOUR

主要模块

（ 1块98 304字节和3块

131 072字节）都包含在4兆位的家庭

擦除操作将删除在主块的一个

通常3 4秒，引导或参数

在典型的2 0秒独立的块

其余的块的每个块可独立

擦除和编程10万次

引导块

位于任一顶端（-T ）或

底部（-B ）的地址的地图，以AC-

commodate不同的微处理器协议

引导代码的位置

硬件Iockable启动

块

提供了最安全的代码存储的

引导块是用于存储内核代码重新

需要准备启动，一个系统当RP引脚

6V之间4V 11和12的引导块被解锁

和编程和擦除操作可以per-

形成当

销处于或低于4 1V的

引导区被锁定，编程和擦除操作

系统蒸发散的引导块将被忽略

该28F400BL产品都可以在

ROM中的EPROM兼容的引脚排列和容纳在

44引脚PSOP （塑料小外形封装）封装，

56引脚TSOP （薄型小尺寸1毫米厚）

包在图3和图4中的所示

28F004BL产品在40引脚可用

TSOP （1毫米厚）包装，如图5

该

命令用户界面（CUI ）

作为

微处理器或单片机之间的接口

控制器和28F400BL的内部操作

和28F004BL闪存产品

编程和擦除自动化

让程序

并用双执行擦除操作

写命令序列的崔内部

写状态机（ WSM ）自动执行

算法和必要的程序定时

和擦除操作，包括核查there-

通过unburdening微处理器或microcontrol-

内存数据写入LER在词或进行

为28F400BL家庭和一个字节一个字节的增量

通常在递增的28F004BL家庭

在整个数据表28F400BL同时指

该28F400BL -T和28F400BL - B设备和

28F004BL同时指28F004BL -T和

28F004BL -B设备的4兆位闪存系列是指

双方的28F400BL和28F004BL此产品

数据表包括规格为4 sep-

独的产品在4兆位闪存系列第1节

提供了4兆位闪存系列的概述IN-

cluding应用的引脚和引脚说明

第2和第3详细描述了具体的MEM

为28F400BL和28F004BL ORY组织

产品分别为第4集一去

scription的操作家庭的原则Fi的

应受第5节描述了家庭的经营

特定网络阳离子

产品系列

X8 X16产品

28F400BL-T

28F400BL-B

X8仅产品

28F004BL-T

28F004BL-B

1设计升级到

SmartVoltage产品

今天的高容量引导块产品上调

gradeable英特尔SmartVoltage引导块的精良

UCTS提供编程和擦除操作电压为5V

或12V V

而读操作电压为3V或5V V

英特尔SmartVoltage引导块产品提供

以下增强功能，以引导块产品

在此资料中描述

1 ，DU销被替换为可湿性粉剂是提供一种手段，以

锁定和解锁与逻辑信号的引导块

2 5V编程擦除操作使用证明亲

克和擦除技术与5V

10 ％ AP-

合股到V

3增强电路，在3 3V优化性能

请参考2 4或8Mbit的SmartVoltage引导块

闪存数据表的完整规格

系统蒸发散

当你设计采用12V V

引导块产品

你应该提供的功能在你的DE-板

签署升级到SmartVoltage产品

请遵循以下准则，以确保兼容性

1将杜（ WP上SmartVoltage产品），以

的控制信号或到V

或GND

2如果添加上V开关

写保护

切换到GND为完整的写保护

3允许用于连接5V到V

和断开

12V从V

如果需要行

28F400BL - T B 28F004BL - T B

该

状态寄存器（ SR ）

显示的状态

WSM以及是否WSM顺利完成

所需的程序或擦除操作

最大访问时间

150纳秒（T

加

)

实现

在商用温度范围（ 0℃至

70℃ ）V

电源电压范围（ 3 0V至3 6V

4 5V至5 5V）和为50 pF输出负载

项目目前为40毫安运行X16

30毫安X8操作我

擦除电流

30毫安最大V

擦除和编程

电压为4V 11到12 6V （V

12V

5 ％），非

明镜所有工作条件

典型的我

的15 mA工作电流

实现

对于x16的产品和x8的产品

4兆位闪存系列还设计有一个非盟

tomatic省电（ APS ）功能，以尽量减少

系统用电池的电流消耗，并允许非常低的

电源设计一旦设备被访问阅读

数组数据APS模式将立即把

内存操作的静态模式在哪里

活跃

电流典型值为0 8毫安，直到下一次读操作倡

摊晒

当

和

引脚在V

和

字节

销（ 28F400BX基-L-只）是在任一V

在GND

CMOS待机

模式被使能，其中

通常

深度掉电模式

启用时，

PWD引脚为地降低功耗

并在上电期间提供写保护CON-

ditions

当前

在深度掉电模式

0 20

典型

的初始最大存取时间

或复位600 ns的时间从RP是必需的

切换到输出有效等价的

设备具有为1的最大的唤醒时间

直到

写入命令的用户界面是recog-

的发布当RP是在地面WSM是重置

状态寄存器被清零，而整个装置是

被写入此功能保护预

通风口数据损坏，保护存储的代码

在系统上电时器件复位系统复位

引脚可连接到RP重置内存去甲

发作时启动复位引脚的阅读模式

当CPU进入复位模式，预计读

一个存储器位置的内容。此外

与片内程序擦除自动化的

4 - Mbit的家庭和亲数据的RP功能

tection当CPU被复位，即使一个程序

或擦除命令发出后，设备将不会市盈率

ognize任何操作，直到RP返回到其正常

状态

对于2SF400BL字节宽度或字宽在 -

把输出控制

可以通过控制

BYTE引脚当BYTE引脚为逻辑低电平

该装置是在字节宽模式的（x8）和数据是

读取并通过DQ 0 7写在字节级

宽屏幕模式DQ 8月14日处于三态和DQ15一

成为最低阶地址引脚当

BYTE引脚处于逻辑高的装置是在

字宽模式（ X16 ），数据被读取和写入

通过DQ 0 15

1 3应用

4 - Mbit的低功耗引导块闪存fami-

LY结合了高密度非常低的功耗高性

formance成本效益与嵌段闪速存储器

荷兰国际集团和硬件保护功能，其灵活性

和通用性会降低整个成本的精良

UCT生命周期Flash存储器非常适合刚刚好时间

生产流程降低系统库存和

成本和消除过程中处理组件

生产阶段在产品生命周期

当代码更新或增强功能如下─

来到必要闪存将减少向上

日期成本通过允许任何一个用户执行的代码

通过软盘或通过远程代码的变化而变化

串行连接的4兆位闪存系列提供完整的

适用于广泛的功能被阻止闪速存储器

的应用，这些应用包括范围

扩展PC的BIOS和ROM ，能够

应用

存储

方便的数字蜂窝电话

节目

和数据的存储和其它各种低功率的EM

层状应用程序和数据

存储要求

便携式系统，如笔记本电脑掌上电脑的COM

计算机都为4兆位低pow-应用的理想选择

呃闪存产品便携式和手持式个人

计算机的应用程序正变得越来越复杂

用加入了电源管理软件

利用最新的微处理器技的

术的基于ROM的应用程序的可用性

电子手写软件，手写板代码

和诊断代码图1示出的例子

一个28F400BL -T的应用

这增加了软件的复杂垫片

一个代码更新将被要求的概率

之后，笔记本电脑在出厂时， 4兆位闪存

产品提供了一个廉价的解决方案更新

笔记本电脑和掌上个人电脑

同时延长其产品寿命。此外

4兆位闪存产品的深度掉电模式

为这些电池供电增加灵活性

这需要操作在非常低的便携式设计

功率级

28F400BL - T B 28F004BL - T B

4 - Mbit的低功耗闪存产品还提供

对于手持数字蜂窝优秀的设计解决方案

要求电源电压低的手机应用程序

高性能高密度存储能力

再加上模块化的软件设计和小

外形封装（ X8仅总线）的4兆位的

堵方案允许对一个简单的分割

与硬件 - 16千字节的嵌入式代码

受保护的引导代码4程序主要模块

8-字节代码和2参数块每对

频繁更新的数据存储和诊断

信息（例如电话号码授权

码），图2是这样一个应用程序的一个例子

化与28F004BL -T

这些是宽范围的几个实际例子

为4 Mb低功耗引导块的应用

闪存家族，使系统设计人员

实现最佳的产品设计只有你

想象力限制了这样一个多才多艺的适用性

低功率产品系列

290450– 7

图1 28F400BL接口英特尔386

EX嵌入式处理器

290450– 23

图2 28F004BL接口INTEL 80L188EB低电压8位嵌入式处理器