2兆位（ 128K ×16 256K ×8 ）
BOOT BLOCK
闪存系列
28F200BX - T B 28F002BX - T B
Y
X8 X16输入输出架构
28F200BX -T 28F200BX -B
高性能和高
集成的16位和32位的CPU
X8仅输入输出架构
28F002BX -T 28F002BX -B
对于空间受限的8位
应用
升级到英特尔的SmartVoltage
制品
优化的高密度阻止
架构
一个16 KB的保护引导块
两个8 KB参数块
一个96 KB的主座
一个128 KB的主座
顶部或底部启动位置
扩展循环能力
100000块擦除周期
自动字字节写和
块擦除
命令的用户界面
状态寄存器
擦除挂起功能
SRAM兼容写接口
自动省电功能
1毫安典型I
CC
目前活跃在
静态工作
Y
硬件数据保护功能
擦除功率在写锁定
TRANSITIONS
极高性能的读取
60 80 120 ns最大访问时间
30 40 40 ns最大输出使能
时间
低功耗
20毫安典型的读操作工作电流
复位深度掉电输入
0 2
mA
I
CC
典型
作为复位的启动操作
扩展温度操作
b
40℃
a
85 C
写保护的引导块
行业标准的表面贴装
包装
28F200BX JEDEC兼容的ROM
44引脚PSOP
56引脚TSOP
28F002BX 40引脚TSOP
12V字字节写和块擦除
V
PP
e
12V
g
5 ％标准
V
PP
e
12V
g
10 ％期权
ETOX
TM
III闪存技术
5V阅读
独立软件供应商支持
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
其他品牌和名称是其各自所有者的财产
本文档中的信息均与英特尔产品相关的英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何专利或
版权销售英特尔产品和使用，除非在英特尔的条款和条件出售此类产品的英特尔保留作出正确的规定
修改这些参数，恕不另行通知微电脑产品随时可能有轻微的变化，以本规范勘误表
版权
英特尔公司1995年
1995年11月
订单号290448-005
28F200BX - T B 28F002BX - T B
英特尔的2兆位闪存系列是引导块架构的扩展，其中包括块selec-
略去擦除自动写入和擦除操作和标准的微处理器接口的2兆位闪存
存储器系列增强了引导块架构通过添加更多的密度和块X8 X16的输入输出
把控制超高速低功耗的行业标准ROM兼容的引脚排列和表面贴装
包装的2兆位闪存系列实现了一个简单的升级到英特尔的4 - Mbit的引导块闪存
家庭
英特尔28F200BX -TB是16位宽的闪存产品，这些高密度快闪记忆体提供
对于无论是8位或16位应用程序的28F200BX - T和28F200BX - B是用户可选择的总线操作
2组织成262或者144字节097 152位的非易失性存储器或信息131 072的话，他们
提供44引脚塑料SOP和56引脚TSOP封装的X8 X16引脚排列符合业界
标准ROM EPROM引脚排列
英特尔28F002BX -TB与组织为262 144个字节的2 097 152位8位闪存
这些信息均提供40引脚TSOP封装，非常适合空间受限的便携式
系统
这些器件采用一个集成的命令用户界面（CUI ）和写状态机（ WSM ）的简化
字字节写和块擦除的28F200BX -T 28F002BX -T提供数据块的位置兼容
Intel的MCS -186系列80286 I386
TM
i486
TM
i860
TM
和80960CA微处理器28F200BX -B
28F002BX -B提供与英特尔的80960KX和80960SX家庭的兼容性，以及其它嵌入式
微处理器
引导块包括数据保护功能，以保护关键应用有了启动代码
60 ns的最大访问时间这2兆位闪存设备都非常哪些接口高性能存储器
面对零等待状态，以广泛的微处理器和微控制器深度掉电模式
降低总V
CC
功率消耗为1
mW
通常这是在手持式电池供电系统中的关键
对于非常低的功率使用3 3V电源应用指的是英特尔28F200BX -TL BL 28F002BX -TL BL
2 - Mbit的引导块闪存系列数据表
英特尔的0 8微米ETOX III工艺制造的2兆位闪存家庭提供世界级的
在2兆比特密度级质量的可靠性和成本效益
2
28F200BX - T B 28F002BX - T B
10
产品系列概述
1 2主要特点
该28F200BX 28F002BX引导块闪存
家庭是一个非常高的性能2兆位（ 2 097 152
位）内存系列作为组织或者128 K字
每16位或256 KB （ 131 072字）
（ 262 144字节）的每个8位
五分别可擦除块
包括
硬
洁具，可锁定引导块
（ 16 384字节）
2纸张
rameter块
（ 8每192字节），
两个主要的
块
（ 1块98 304字节和1块
131 072字节）都包含在2兆位的家庭
擦除操作将删除在主块的一个
通常为2 4秒钟，然后引导或参数
在通常为1 0秒每个块的块可以
独立擦除和编程100000
时
引导块
位于任一顶端
(28F200BX-T
28F002BX - T）或底部
在该地址的地图（ 28F200BX -B 28F002BX - B）的
为了适应不同的微处理器亲
母育酚的启动代码的位置
硬件locka-
BLE引导块
提供了最安全的代码stor-
年龄的引导块用于存储内核
需要引导，建立一个系统当代码
RP
引脚11 4V和6V 12引导块之间
是解锁，编程和擦除操作可
来执行当RP销处于或低于6 5V
引导块被锁定，编程和擦除OP-
操作，以引导块将被忽略
该28F200BX产品是在ROM可用
EPROM兼容的引脚排列和容纳在44-
铅PSOP （塑料小外形封装）封装，
56引脚TSOP （薄型小尺寸1毫米厚）
包在图3和图4中的所示
28F002BX产品在40引脚可用
TSOP （1毫米厚）包装，如图5
该
命令用户界面（CUI ）
作为
微处理器或单片机之间的接口
控制器和28F200BX的内部操作
和28F002BX闪存产品
编程和擦除自动化
允许程序
并用双执行擦除操作
写命令序列的崔内部
写状态机（ WSM ）自动执行
算法和必要的程序定时
和擦除操作，包括核查there-
通过unburdening微处理器或microcontrol-
内存数据写入LER在词或进行
为28F200BX家庭和一个字节一个字节的增量
增量为28F002BX家庭通常在
9
ms
这是一种改进的100％过电流
闪存产品
在本数据表中的28F200BX指
两者28F200BX -T和28F200BX - B设备和
28F002BX同时指28F002BX -T和
28F002BX - B设备的2兆比特的闪存FAM-
随手同时指28F200BX和28F002BX的精良
UCTS该数据表包括规范
四个单独的产品在2兆比特的闪存
家庭第1条规定的2兆比特的概述
闪存系列包括引脚的应用
和引脚说明第2和第3描述了
详细的具体组织内存在
分别28F200BX和28F002BX产品
第4节结合了家庭的的说明
操作的原则。最后第5节介绍
家庭的操作规范
产品系列
X8 X16产品
28F200BX-T
28F200BX-B
X8仅产品
28F002BX-T
28F002BX-B
1设计升级到
SmartVoltage产品
今天的高容量引导块产品上调
可分级英特尔SmartVoltage引导块的精良
UCTS提供编程和擦除操作电压为5V
或12V V
PP
而读操作电压为3V或5V V
CC
英特尔SmartVoltage引导块产品提供
以下增强功能，以引导块产品
本数据手册描述
1 ，DU销被替换为可湿性粉剂是提供一种手段
锁定和解锁逻辑引导块显
的NAL
2 5V编程擦除操作使用证明亲
克和擦除技术与5V
g
10 ％ AP-
合股VPP
3增强电路，在3 3V优化性能
V
CC
请参考2 4或8兆比特SmartVoltage引导块
闪存数据表的完整规格
系统蒸发散
当你设计采用12V V
PP
引导块产品
你应该提供的功能在你的DE-板
签署升级到SmartVoltage产品
请遵循以下准则，以确保兼容性
1将杜（ WP上SmartVoltage产品），以
的控制信号或到V
CC
或GND
2如果添加上V开关
PP
写保护
切换到GND为完整的写保护
3允许用于连接5V到V
PP
和断开
12V从V
PP
如果需要行
3
28F200BX - T B 28F002BX - T B
该
状态寄存器（ SR ）
显示的状态
WSM以及是否WSM顺利完成
所需的程序或擦除操作
最大访问时间
60纳秒（T
加
)
实现
在商用温度范围（ 0℃至
70℃ ） 5 ％V
CC
电源电压范围（ 4 75V至
5 25V ）和30 pF的输出负载，请参考图19
t
加
与输出负载电容较大的输出
负载的最大访问时间
80纳秒（T
加
)
is
实现了在商用温度范围
10% V
CC
电源电压范围（ 4 5V至5 5V）和100pF的
输出负载
I
PP
最高纲领电流为40毫安X16
对于X8的操作我的操作和30mA
PP
抹去
电流为30 mA（最大值） V
PP
擦除和亲
编程电压为4V 11到12 6V （V
PP
e
12V
g
5 ％ ），在所有操作条件下，
作为选件
灰V
PP
也可以在10 8V至13 2V变化（V
PP
e
12V
g
10％）为100，保证数
块擦除周期
典型的我
CC
25毫安的工作电流
实现
对于X16产品（ 28F200BX ）
典型的我
CC
活跃
电流为20 mA
实现为x8的产品
（ 28F200BX 28F002BX ）请参阅我
CC
活跃的电流
租金降额曲线在这个数据表
2- Mbit的引导块闪存系列还设计
具有自动省电（ APS ）功能
最小化系统的电池的电流消耗，并允许
极低的功耗设计一旦设备处于激活
处理，以读取阵列数据APS模式将被立即
ately把内存中运行的静态模式
在那里我
CC
有源电流典型1毫安直到
下一次读取启动
当CE和RP引脚在V
CC
和
BYTE引脚（ 28F200BX只）是在任V
CC
or
在GND
CMOS待机
模式被使能，其中
I
CC
一般为50
mA
A
深度掉电模式
启用时，
RP引脚为地降低功耗
并在上电期间提供写保护CON-
ditions
I
CC
当前
在深度掉电模式
is
0 20
mA
典型
的初始最大存取时间
或复位300 ns的时间从RP是必需的
切换到输出有效等价的
器件具有215纳秒最大的唤醒时间，直到
写入命令的用户界面是recog-
的发布当RP是在地面WSM是重置
状态寄存器被清零，而整个装置是
被写入此功能保护预
通风口数据损坏，保护存储的代码
在系统上电时器件复位系统复位
引脚可连接到RP重置内存去甲
发作时启动复位引脚的阅读模式
与片内程序擦除自动化的
2 - Mbit的家庭和亲数据的RP功能
4
tection当CPU被复位，即使一个程序
或擦除命令发出后，设备将不会市盈率
ognize任何操作，直到RP返回到其正常
状态
对于28F200BX字节宽度或字宽在 -
把输出控制
可以通过控制
BYTE引脚当BYTE引脚为逻辑低电平
该装置是在字节宽模式的（x8）和数据是
读取并通过DQ 0 7写在字节级
宽屏幕模式DQ 8月14日处于三态和DQ15一
b
1
成为最低阶地址引脚当
BYTE引脚处于逻辑高的装置是在
字宽模式（ X16 ），数据被读取和写入
通过DQ 0 15
1 3应用
2- Mbit的引导块闪存系列结合了高
密度高性能的具有成本效益的闪存存储
法制前提与阻塞和硬件保护capabili-
TIES它的灵活性和多功能性将降低成本
在整个产品生命周期中的Flash存储器
非常适合刚刚在时间的生产流程减少系
统库存和成本，并消除分量
在生产阶段期间处理
产品的生命周期，当代码更新或功能恩
hancements成为必要的闪存意志
通过允许任何一个用户可降低更新成本
通过软盘或远程执行代码的变化
通过串行链路的2兆位引导块代码变化
闪存系列提供了全功能的闪存受阻
适用于广泛的应用范围的记忆
这些应用程序包括
扩展PC的BIOS
数字移动电话
程序和数据的存储
电信
引导固件和各种
其他嵌入式应用程序既
和数据存储要求
可重新编程的系统，如个人的COM
计算机都为2兆位闪存理想的应用
产品便携式和手持式个人电脑
应用正变得具有更复杂的
另外的电源管理软件采取AD-
最新的微处理器技术的优势
基于ROM的应用软件的可用性
电子手写和diag-手写板代码
诊断代码。图1示出了一个例子
28F200BX -T的应用
这增加了软件的复杂垫片
一个代码更新将被要求的概率
电脑在出厂时， 2兆位闪存产品后，
提供了注意 - 一种廉价的解决方案，更新
图书和手持式个人电脑，而EX-
抚育他们的产品生命周期。此外
2兆位闪存产品的省电模式提供
这些电池供电的便携式增加灵活性
这需要操作在非常低的功耗设计
水平
28F200BX - T B 28F002BX - T B
2兆位闪存产品还提供了出色的DE-
签收数字蜂窝电话和电视解决方案
要求高的通信开关应用
高性能高密度存储能力cou-
PLED采用模块化的软件设计和小
外形封装（ X8仅总线）的2 - Mbit的公司
堵方案允许对一个简单的分割
与基于硬件的16千字节的嵌入式代码
受保护的引导代码2方案的主要模块
每8字节的代码和2参数块
频繁更新的数据存储和诊断
信息（例如电话号码授权
码），图2是这样一个应用程序的一个例子
化与28F002BX -T
这些是宽范围的几个实际例子
为2 - Mbit的引导块闪存存储器的应用
储器家族，使系统设计人员能够实现
最好的产品设计只有你的想像力
化限制了这种多功能的产品的适用性
家庭
290448– 4
图1 28F200BX接口英特尔386
TM
EX嵌入式处理器
290448– 24
图2 28F002BX接口INTEL 80C188EB 8位嵌入式微处理器
5
QQ：2881677436 复制
