PA2423G
2.4 GHz的蓝牙Class 1功率放大器IC
初步信息
应用
蓝牙
tm
1级
USB加密狗
笔记本电脑
接入点
无绳微微网
倒装片和芯片上的电路板的应用
产品说明
一款单芯片，高效率，硅锗
功放IC ，该PA2423G是专为
1类蓝牙
tm
2.4 GHz的无线电应用。它
提供22.5 dBm的输出功率， 47 ％加电
附加效率 - 使之能
克服可达2.5 dB的插入损耗
放大器输出和天线输入之间
tm
1类蓝牙应用。
该放大器的特点：
模拟控制输入，用于改进的PAE ，在
降低输出功率水平;
数字控制输入，用于控制功率可达
和断电的操作模式。
片上斜坡电路校正的接通/关断
放大器输出的开关用小于3dB
超调，符合蓝牙
tm
特定网络阳离子1.1 。
该PA2423G工作电压为3.3V DC 。在典型的
输出功率电平（ 22.5 dBm的） ，其电流
消费为120毫安。
航运
法
切割晶片
华夫格包
的硅/锗硅结构
PA2423G提供高的热导率和
随后一个低结温。这
装置能够操作在一个工作周期
100％。
特点
22.5 dBm的47 ％的功率附加效率
低电流80 mA典型@噘= + 20 dBm的
温度稳定性大于1dB好
功率控制和掉电模式
-40℃至+ 85℃温度范围内
金凸块裸片（ 0.63毫米X 0.96毫米）
订购信息
部分
PA2423G
PA2423G-EV
包
金凸块裸露
DIE
评估套件
功能框图
V
CTL
V
CC0
V
坡道
偏置发生器
坡道
电路
IN
第1阶段
INTERSTAGE
MATCH
第2阶段
OUT / V
CC2
GND
V
CC1
GND
DOC ＃ 05PDS003
第5版
07/26/2001
第1页
PA2423G
2.4 GHz的蓝牙Class 1功率放大器IC
初步信息
PAD说明
对于键盘的数字参考封装图，请参阅第4和第5页。
数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
名字
IN
VRAMP
GND1
VCTL
GND2
GND3
OUT/VCC2
GND4
GND5
VCC1
GND6
VCC0
PA的输入
PA启用/禁用控制输入
地
输出功率电平控制
地
地
PA输出和stage2集电极电压
地
地
阶段1集电极电压
地
斜坡电压
描述
坐标垫，垫中心
（左下角是（ 0.0） ）
X = 192μm ± 10μm的， Y =为315μm ± 10μm的
X = 192μm ± 10μm的， Y = 515μm ± 10μm的
X = 352μm ± 10μm的， Y = 515μm ± 10μm的
X = 512μm ± 10μm的， Y = 515μm ± 10μm的
X = 672μm ± 10μm的， Y = 515μm ± 10μm的
X = 832μm ± 10μm的， Y = 515μm ± 10μm的
X = 752μm ± 10μm的， Y =为315μm ± 10μm的
X = 832μm ± 10μm的， Y = 115μm ± 10μm的
X = 672μm ± 10μm的， Y = 115μm ± 10μm的
X = 512μm ± 10μm的， Y = 115μm ± 10μm的
X = 352μm ± 10μm的， Y = 115μm ± 10μm的
X = 192μm ± 10μm的， Y = 115μm ± 10μm的
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
CTL
V
内存
P
IN
TA
T
英镑
T
j
电源电压
控制电压
斜坡电压
RF输入功率
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
-40
-40
参数
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
马克斯。
+3.6
V
CC
V
CC
+8
+85
+150
+150
单位
V
V
V
DBM
°C
°C
°C
操作超出上述绝对最大额定值任何一个可能会造成永久性的损害。该装置是一个
高性能射频集成电路用EST评级< 600V ，是ESD敏感。处理这种设备的组装
应在ESD保护工作站。
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初步信息
DC电气特性
条件： V
CC0
= V
CC1
= V
CC2
= V
坡道
= 3.3V, V
CTL
= 3.3V ，P
IN
= + 2dBm的，T
A
= 25 ° C，F = 2.45GHz的，
输入和输出外部匹配到50Ω
除非
另有说明。
符号
V
CC
I
CC
记
电源电压
1
3
参数
分钟。
3.0
典型值。
3.3
120
25
马克斯。
3.6
150
单位
V
mA
%
电源电流（I
CC
= I
VCC0
+ I
VCC1
+ I
VCC2
)
电源电流随温度变化（ -40°C <牛逼
A
<+85°C)
PA输出功率控制电压范围
0
ICC
温度
V
CTL
I
CTL
V
坡道
I
STBY
V
CC
200
250
V
A
V
1
3
3
1
电流源为V
CTL
针
逻辑高电压
逻辑低电压
当漏电电流V
坡道
= 0V
2.0
0.8
0.5
10
V
A
AC电气特性
条件： V
CC0
=V
CC1
=V
CC2
=V
坡道
=3.3V, V
CTL
=3.3V,P
IN
= + 2 dBm的，T
A
= 25 ° C，F = 2.45GHz的，
输入和输出的外部匹配到50Ω ，除非另有说明
符号
记
参数
民
.
240
0
20.0
典型值。
MAX 。 UNIT
f
L- ü
P
OUT
3
1
1
3
3
频带
输出功率@ P
IN
= + 2 dBm时， V
CTL
= 3.3V
输出功率@ P
IN
= + 2 dBm时， V
CTL
=0.4V
P
OUT
随温度变化（ -40°C <T
A
< + 85°C ） ，V
CTL
=3.3V
控制电压灵敏度
在22.5 dBm的输出功率功率附加效率
2500
22.5
-8
1
60
47
0.7
-35
1
-30
23.5
0
2
120
兆赫
DBM
DBM
dB
dBm的/ V
%
dB
dBc的
dB
dB
P
温度
dP
OUT
/ DV
CTL
PAE
G
变种
2f, 3f, 4f, 5f
IS
21
I
关闭
IS
12
I
刺
3
3,4
2
2
2
增益变化超过频段（ 2400-2500 MHz）的
谐波
隔离在“关”的状态，P
IN
=+2dBm,V
坡道
=0V
反向隔离
稳定性（P
IN
= + 2dBm的，负载VSWR = 6 ： 1 ）
20
32
25
42
所有非谐波相关
输出小于-50 dBc的
注意事项：
（ 1 ）在T保证了生产测试
A
=25°C.
（ 2 ）保证只设计。
（ 3 ）通过设计和特性保证。
（4 ）谐波水平有很大的影响的外部匹配网络的拓扑结构。
（ 5 ）上述指定的RF特性是直接芯片粘接（倒装芯片）上的SiGe应用
董事会。用于引线键合的应用程序可能有某种程度的性能退化是由于
的连接线和互连作用。
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初步信息
金凸块裸模 - 顶视图和侧视图
第一拉伸提供了金的顶视图凸点裸片（金凸块上顶面） 。这种观点
应该用于在芯片上的电路板的安装。第二个图示出了管芯的侧视图。
960
m ± 20
m
2
60±0
m
3
60±0
m
4
60±0
m
5
60±0
m
6
100
±0
m
630m±20m
100
±0
m
460±0
m
1
45
o
100
±0
m
100±0
m
60±0
m
60±0
m
60±0
m
7
100
±0
m
60±0 m
142
m
±10
m
12
(X=0,Y=0)
11
10
9
8
65m±10m
金
25
m
±
3
m
300
m
±
5
m
硅
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金凸块裸模 - 底视图
该图中示出了金凸点裸模从模具的底部看（不含金凸块）时。
此视图和pintout取向应当用于倒装芯片安装 - 模的顶面（与金凸块）
被反转，使与印刷电路板接触。
960m ± 20m
12
60±0
m
11
60±0
m
10
60±0
m
9
60±0
m
8
100
±0
m
100
±0
m
460±0
m
1
45
o
100
±0
m
100±0
m
60±0
m
60±0
m
60±0
m
7
100
±0
m
60±0 m
142m
±10
m
2
(X=0,Y=0)
3
4
5
6
65m±10m
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第5页
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