½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½
½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
特点
单片MOS技术
低成本
高压操作- 350V
低静态电流TYP. ， 2.2毫安
无二次击穿
高输出电流， 120毫安PEAK
提供裸片形式- CPA241
应用
8引脚TO- 3
包装样式CE
24 -PIN PSOP
包装样式DF
10引脚SIP
包装样式DW
压电定位
静电传感器&挠度
变形反射镜聚焦
生物化学刺激
计算机真空管接口
典型用途
参考文献：应用说明20 ：功率放大器ers" "Bridge模式操作
½
½
½½
½½½½
½½½
½½½
½½½
½½½½
描述
该PA241是一种高电压单片MOSFET运算
扩增fi er使之达到性能特点之前
仅见于混合型设计，同时提高了可靠性。输入
免受过多的共模和差
模电压。安全工作区（SOA ）无二次
击穿的限制，并且可以与所有类型的负载可以观察到
通过选择适当的限流电阻。外
补偿为用户提供了灵活性的最佳选择
的增益和带宽的应用程序。
该PA241CE封装在一个密闭8针
TO-3封装。金属壳体的PA241CE的分离在
多余的全电压范围。
该PA241DF打包在一个24针PSOP （JEDEC MO-
166 ）封装。该PA241DF的金属散热片是孤立
超出全电压范围。
该PA241DW封装在顶点的密封陶瓷SIP
封装。氧化铝陶瓷隔离在过量的模
全电压。
½½½½
½½
½½½½½
½½½½
½½
½½½½½
½
½½
½½½½½
½½½
½½½½½½½½½½
½½½
½
½½
½½
½½
½½½½
低成本660V P-P
压电驱动
½½½½
操作作为压电桥驱动两个PA241放大器器
换能器提供了一种低成本的660伏的总的驱动能力。
第r
N
C
N
网络服务，以提高A2的表观增益在
高的频率。若R
N
被设置为等于R中的放大器器可以是
补偿相同，并有配套的带宽。
外部连接
PA241CE
R
CL
C
C
PA241DW
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
NC数控-V
S
+V
S
I
LIM
C
C
2 C
C
1 OUT
C
C
1 3
出4
2 C
C
2
1 I
LIM
-IN + IN
C
C
等效原理图
顶视图
6
+ IN
8
7
–V
S
NC
+V
S
5
In
+V
S
对于CC值，见图4页。
注： CC必须适用于整个供应
电压。
NC
NC
NC
OUT
NC
COMP
NC
COMP
NC
ILIM
NC
+ VS
C
C
R
CL
R
CL
C
C
1
C
C
2
+ IN
-IN
I
LIM
OUT
PA241DF
NC
NC
NC
NC
+ IN
NC
NC
NC
NC
-Vs
-IN
1
24
-V
S
注： PA241CE推荐安装扭矩为4-7
在磅（ 0.45 -.79牛顿米）
注意：使用可压缩的，导热
绝缘体可能导致保修失效。
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
+
-
1
PA241
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流，内部SOA不断
输出电流，峰值
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10秒
温度，结
2
温度，贮藏
的温度范围，供电（下）
绝对最大额定值
特定网络阳离子
PA241CE
PA241CEA
350V
60毫安
120毫安
12W
±16 V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
民
PA241CEA
典型值
15
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
±V
S
–8.5
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
PA241DF
PA241DFA
350V
60毫安
120毫安
12W
±16 V
±V
S
220°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
最大
30
*
*
*
*
单位
mV
μV/°C
V/V
μV / KH
pA
PA / V
pA
pF
V
V
dB
μV RMS
μV P-P
dB
兆赫
千赫
V
mA
mA
s
V / μs的
*
2.3
*
*
*
*
*
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
3
失调电压，与电源
失调电压，随时间
偏置电流，初始
6
偏置电流与电源
偏置电流，初始
6
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模电压范围
共模抑制， DC
噪声，宽带
噪音，低频率
收益
开环时以15Hz
的带宽，增益带宽积
功率带宽
产量
电压摆幅
电流，峰值
4
当前，连续
建立时间0.1 ％
压摆率
阻力
5
， 1毫安
阻力
5
， 40毫安
电源
电压
目前，静态
热
PA241CE性，交流结到管壳
PA241DF性，交流结到管壳
PA241CE电阻，直流结到管壳
PA241DF电阻，直流结到管壳
PA241CE电阻，结到空气
PA241DF电阻，结到空气
7
温度范围内的情况下
F > 60Hz的
F > 60Hz的
F < 60Hz的
F < 60Hz的
整个温度范围
整个温度范围
会见全系列规格的
测试条件
1
PA241CE ， PA241DF
民
典型值
最大
25
100
3
70
5/50
0.2/2
2.5/50
10
11
6
94
50
125
96
3
30
±V
S
–10
2
30
150
5
±150
2.2
5.4
6
9
9
30
25
±175
2.5
6.5
7
10.4
11
+85
40
500
130
50/200
50/200
整个温度范围
V
CM
= ± 90V DC
10KHz的带宽，R
S
= 1K
1-10赫兹
R
L
= 5K
280V P-P
I
O
= 40毫安
10V步骤，
V
= –10
C
C
= 3.3pf
R
CL
= 0
R
CL
= 0
+V
S
–14
-V
S
+12
84
*
*
*
90
*
±V
S
–12
120
60
±V
S
–10
*
*
±50
*
–25
*
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
"A"特定网络连接的阳离子是相同的非"A"特定网络连接的阳离子。
除非另有说明
C
= 25°C, C
C
= 6.8pF 。直流输入特定网络阳离子±值给出。电源电压是典型
投资评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。如需指导，请参阅散热器数据表。
样品由晶片到95 ％测试。
保证，但未经测试。
R的选定值
CL
必须被添加到给定的总输出电阻的值。
由/分开的特定网络阳离子注明为分别PA241CE和PA241DF值。
评级应用与heatslug的焊料连接到印刷电路板的至少1平方英寸铜箔区。
该PA241是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
小心
APEX微技术公司 5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
2
绝对最大额定值
特定网络阳离子
PA241
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流，内部SOA不断
输出电流，峰值
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10秒
温度，结
2
温度，贮藏
的温度范围，供电（下）
PA241DW
PA241DWA
350V
60毫安
120毫安
9W
±16 V
±V
S
220°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
PA241DWA
典型值
15
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
±V
S
–8.5
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
2.3
*
*
*
绝对最大额定值
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
3
失调电压，与电源
失调电压，随时间
偏置电流，初始
偏置电流与电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模电压范围
共模抑制， DC
噪声，宽带
噪音，低频率
收益
开环时以15Hz
的带宽，增益带宽积
功率带宽
产量
电压摆幅
电流，峰值
4
当前，连续
建立时间0.1 ％
压摆率
阻力
5
， 1毫安
阻力
5
， 40毫安
电源
电压
目前，静态
热
PA241DW性，交流结到管壳
PA241DW电阻，直流结到管壳
PA241DW电阻，结到空气
温度范围内的情况下
F > 60Hz的
F < 60Hz的
整个温度范围
会见全系列规格的
测试条件
1
民
PA241DW
典型值
25
100
3
70
100
15
100
10
11
6
94
50
125
96
3
30
±V
S
–10
2
30
150
5
±150
2.2
7
12
55
最大
40
500
130
2000
50
400
民
最大
30
*
*
*
*
单位
mV
μV/°C
V/V
μV / KH
pA
PA / V
pA
pF
V
V
dB
μV RMS
μV P-P
dB
兆赫
千赫
V
mA
mA
s
V / μs的
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
整个温度范围
V
CM
= ± 90V DC
10KHz的带宽，R
S
= 1K
1-10赫兹
R
L
= 5K
280V P-P
I
O
= 40毫安
10V步骤，
V
= –10
C
C
= 3.3pf
R
CL
= 0
R
CL
= 0
+V
S
–14
-V
S
+12
84
*
*
*
90
*
±V
S
–12
120
60
±V
S
–10
*
*
±50
±175
2.5
10
14
+85
*
–25
*
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
5.
"A"特定网络连接的阳离子是相同的非"A"特定网络连接的阳离子。
除非另有说明
C
= 25°C, C
C
= 6.8pF 。直流输入特定网络阳离子±值给出。电源电压是典型
投资评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。如需指导，请参阅散热器数据表。
样品由晶片到95 ％测试。
保证，但未经测试。
R的选定值
CL
必须被添加到给定的总输出电阻的值。
小心
该PA241是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
3
PA241
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½
½
½
½
½
½½½½½
½
½½½½½
½
典型性能
图的
½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½
½½½½½½½
½½½½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½
½
½½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½
½½½½½½½½½
½
½½½½½½½½½
½½½
½
½½½½½
½
½½½½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½ ½½½ ½½½ ½ ½½ ½½ ½½ ½½ ½½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½½
½½
½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½
½½½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½
½½½½½
½½½½
½½½½
½½½
½½
½½
½½
½½
½
½½½
½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½½½
½½½½
½½½½½
½½½½
½½½½½
½½½½½½½½½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½ ½½½
½½½½ ½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½
½½½
½½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½
½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½
½½½
½½½
½½½
½½
½½
½½
½½
½½½ ½½½
½½½ ½½½ ½½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½
½½½½½½½
½½½½½½½½
½½
½½½
½ ½½½½½
½½½
½ ½½½½½
½
½½½½½½½½½
½½½
½½½½
½½½½½½½
½½½½½½½½½
½½½½½½½
½½
½½½½½
½½½
½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½
½½
½½
½½
½½
½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½ ½½ ½½ ½½ ½½ ½½ ½½ ½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½
½½
½½
½½½½½½½½
½½
½½
½½
½½
½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½
½
½
½
½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½
½½½
½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½
½
½½ ½½ ½½ ½½ ½½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
APEX微技术公司 5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
4
操作
注意事项
PA241
电流限制
为了正常工作，限流电阻， RCL ，必须
所示连接在外部连接图。该
最小值为3.9欧姆，但是最佳的可靠性，
电阻器应设置得尽可能高。最大
实际值是110欧姆。限流值可以预
预计值如下：
ILIMIT = Vbe的
RCL
哪里的Vbe显示在电流限制的典型
图。
需要注意的是+ Vbe的应用于预测电流通过
在+ VS引脚， -Vbe的电流通过-Vs脚，自己就
与外壳温度而变化。限流电阻的值
在的情况下为25°温度可估算如下：
RCL = 0.7
ILIMIT
当扩增fi er是电流限制，有可能是伪
在消极的电流限制部分中存在振荡
略去半周期。振荡的频率是不可预测的
并取决于补偿的扩增fi er增益，价值
限流电阻器，而负载的。振荡会
不再为扩增fi er出来的电流限制。
一般
请仔细阅读使用说明1 "General工作Consid-
erations"覆盖的稳定性，电源，散热，
安装，限流， SOA的解释，和特异性阳离子
解释。访问www.apexmicrotech.com设计工具
这有助于自动化任务，如计算的稳定性，
内部功耗，电流限制，散热片的选择，
Apex公司完整的应用笔记库，技术研讨会
工作簿和评估套件。
相位补偿
开环增益及相位偏移，均随着increas-
荷兰国际集团的温度。相位补偿的典型曲线图
示出了闭环增益和相位补偿电容
四壳体温度值的关系。曲线
基于实现50°的相位裕度。计算
最高温度的情况下为应用程序（最多
环境温度和最高内部功耗）
之前选择的补偿。请记住，当
与补偿值较小的工作，可寄生
在网络nished电路的性能起到了很大的作用。该
补偿电容的额定值必须至少总
电压施加到扩增fi er和应该是一个温
稳定型，如NPO或COG 。
其它稳定性问题
有两个关于闭环增益的重要概念
在选择赔偿。他们从一个事实，即干
而"gain"是最常用的术语，
β
（反馈
系数）是真正的设计时的稳定性最重要的。
1.增益必须被计算为一个非反相电路（等于
输入和反馈电阻器可以提供的信号增益
-1，但计算偏移误差，噪声和稳定性这一点，
是增益为2 ） 。
2.包括一个反馈电容改变反馈系数
或电路的增益。考虑凛= 4.7K中，Rf = 47K的增益
11.补偿4.7到6.8pF将是合理的。
在103kHz加入33pF的平行于47K辊断电路，
并在2MHz的降低增益从11到大约1.5，
该电路很可能振荡。
作为一般规则，直流求和点阻抗
（并联反馈电阻和所有输入的组合
电阻器）应限于5k的欧姆或更小。该扩增fi er
大约为6.0pF的输入电容，加上连接的电容
迹线或电线和（如果使用）的插座会导致不希望的
电路的性能，甚至振荡，如果这些电阻
太高。在电路要求较高的电阻，测量或
估计总和点电容，由凛/ RF乘，
平行的Rf与此值。电容器包括用于此目的
通常在单个数字pF的范围。该技术的结果
在平等的反馈系数计算交流和直流的情况下。它
不会产生的滚降，而仅仅保留
β
不变
很宽的频率范围内。应用笔记19条第6款
详情适合稳定性测试的网络nished电路。
安全工作区
该PA241的MOSFET的输出级不被限定
二次击穿的考虑双极性输出级。
但是仍然有三个明显的局限性：
1.耐压晶体管的能力。
模具金属化2.电流处理能力。
输出MOSFET 3.温度。
这些限制可以在SOA （见安全Operat-可见
ING面积图） 。请注意，每个脉冲能力线所示
一个恒定的功率电平（与二次击穿限制
与电压应力，其中功率变化） 。这些线示
为25 ℃的情况下，温度和相对应的热
5.2 ° C / W的PA241CE和DF和10.4 ° C / W电阻
为PA241DW分别。脉冲压力水平等
情况下所用的相同的方式来计算
直流功率电平在不同的温度。输出级
是由寄生二极管保护，防止瞬态反激式
输出级的MOSFET结构。然而，对于保护
针对持续的高能量反激式外部快速恢复
二极管必须使用。
散热
该PA241DF包有一个大的综合性暴露
铜heatslug到单片放大器器是直接
连接。该heatslug的焊料连接到最小
对印刷电路板1平方英寸铜箔区将导致
在25 ° C / W结到空气评级散热性能
该PA241DF 。焊料连接到1-3的面积为2平方
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
5
P ，R 0
PA241
v
一件T I O N· R 0米
UCT英诺
PA241
PA241
高压功率运算放大器
特点
符合RoHS
单片MOS技术
低成本
高压操作- 350V
低静态电流TYP. ， 2.2毫安
无二次击穿
高输出电流， 120毫安PEAK
提供裸片形式- CPA241
应用
压电定位
静电传感器&挠度
变形反射镜聚焦
生物化学刺激
计算机真空管接口
8-PIN TO-3
24-PIN PSOP
包装样式CE
包装样式DF
典型应用
R
V
IN
+175
20R
10-PIN SIP
包装样式DW
参考文献：应用说明20 ：功率放大器ers" "Bridge模式操作
20R
20R
+175
10pF
A1
PA241
R
CL
47
10pF
A2
PA241
描述
该PA241是一种高电压单片MOSFET运算
扩增fi er使之达到性能特点之前
仅见于混合型设计，同时提高了可靠性。输入
免受过多的共模和差
模电压。安全工作区（SOA ）无二次
击穿的限制，并且可以与所有类型的负载可以观察到
通过选择适当的限流电阻。外
补偿为用户提供了灵活性的最佳选择
的增益和带宽的应用程序。
该PA241CE封装在一个密闭8针
TO-3封装。金属壳体的PA241CE的分离在
多余的全电压范围。
该PA241DF打包在一个24针PSOP （JEDEC MO-
166 ）封装。该PA241DF的金属散热片是孤立
超出全电压范围。
该PA241DW封装在顶点精密电源的她 -
metic陶瓷SIP封装。氧化铝陶瓷隔离
死亡超过全电压范围。
压电
换能器47
R
CL
Rn
Cn
–175
低成本660V P-P
压电驱动
–175
操作作为压电桥驱动两个PA241放大器器
换能器提供了一种低成本的660伏的总的驱动能力。
第r
N
C
N
网络服务，以提高A2的表观增益在
高的频率。若R
N
被设置为等于R中的放大器器可以是
补偿相同，并有配套的带宽。
外部连接
PA241CE
R
CL
C
C
C
C
1 3
出4
5
In
2 C
C
2
1 I
LIM
1
PA241DW
2
3
4
5
6
7
8
9
10
NC数控-V
S
+V
S
I
LIM
C
C
2 C
C
1 OUT
C
C
R
CL
-IN + IN
等效原理图
顶视图
6
+ IN
8
7
–V
S
NC
NC
NC
NC
NC
+ IN
NC
NC
NC
NC
-Vs
-IN
+V
S
+V
S
对于CC值，见图4页。
注： CC必须适用于整个供应
电压。
PA241DF
C
C
1
C
C
2
+ IN
-IN
I
LIM
OUT
1
24
NC
NC
NC
OUT
NC
COMP
NC
COMP
NC
ILIM
NC
+ VS
C
C
R
CL
-V
S
注： PA241CE推荐安装扭矩为4-7
在磅（ 0.45 -.79牛顿米）
注意：使用可压缩的，导热
绝缘体可能导致保修失效。
PA241U
www.cirrus.com
版权所有 Cirrus Logic公司， 2009年公司
（版权所有）
+
-
2009年12月
1
APEX - PA241UREVI
PA241
绝对最大额定值
产品创新从
PA241CE
PA241CEA
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流，内部SOA不断
输出电流，峰值
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10秒
温度，结
2
温度，贮藏
的温度范围，供电（下）
350V
60毫安
120毫安
12W
±16 V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
民
PA241CEA
典型值
15
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
±V
S
–8.5
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
PA241DF
PA241DFA
350V
60毫安
120毫安
12W
±16 V
±V
S
220°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
最大
30
*
*
*
*
*
单位
mV
μV/°C
μV/°C
V/V
μV / KH
pA
PA / V
pA
pF
V
V
dB
μV RMS
μV P-P
dB
兆赫
千赫
V
mA
mA
s
V / μs的
*
2.3
*
*
*
*
*
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
3
失调电压与温度
3
失调电压，与电源
失调电压，随时间
偏置电流，初始
6
偏置电流与电源
偏置电流，初始
6
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模电压范围
共模抑制， DC
噪声，宽带
噪音，低频率
收益
开环时以15Hz
的带宽，增益带宽积
功率带宽
产量
电压摆幅
电流，峰值
4
当前，连续
建立时间0.1 ％
压摆率
阻力
5
， 1毫安
阻力
5
， 40毫安
电源
电压
目前，静态
热
PA241CE性，交流结到管壳
PA241DF性，交流结到管壳
PA241CE电阻，直流结到管壳
PA241DF电阻，直流结到管壳
PA241CE电阻，结到空气
PA241DF电阻，结到空气
7
温度范围内的情况下
F > 60Hz的
F > 60Hz的
F < 60Hz的
F < 60Hz的
整个温度范围
整个温度范围
会见全系列规格的
测试条件
1
PA241CE ， PA241DF
民
典型值
最大
25
100
270
3
70
5/50
0.2/2
2.5/50
10
11
6
94
50
125
96
3
30
±V
S
–10
2
30
150
5
±150
2.2
5.4
6
9
9
30
25
±175
2.5
6.5
7
10.4
11
+85
40
250
500
130
50/200
50/200
25℃至85℃
-25 °至25℃
V
CM
= ± 90V DC
10KHz的带宽，R
S
= 1K
1-10赫兹
R
L
= 5K
280V P-P
I
O
= 40毫安
10V步骤，
V
= –10
C
C
= 3.3pf
R
CL
= 0
R
CL
= 0
+V
S
–14
-V
S
+12
84
*
*
*
90
*
±V
S
–12
120
60
±V
S
–10
*
*
±50
*
–25
*
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
"A"规范是相同的非"A"规范。
除非另有说明
C
= 25°C, C
C
= 6.8pF 。 DC输入规格±值给出。电源电压是典型
投资评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。如需指导，请参阅散热器数据表。
样品由晶片到95 ％测试。
保证，但未经测试。
R的选定值
CL
必须被添加到给定的总输出电阻的值。
由/分开的特定网络阳离子注明为分别PA241CE和PA241DF值。
评级应用与heatslug的焊料连接到印刷电路板的至少1平方英寸铜箔区。
该PA241是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
小心
2
PA241U
产品创新从
PA241
PA241DW
PA241DWA
350V
60毫安
120毫安
9W
±16 V
±V
S
220°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
PA241DWA
典型值
15
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
±V
S
–8.5
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
2.3
*
*
*
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流，内部SOA不断
输出电流，峰值
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10秒
温度，结
2
温度，贮藏
的温度范围，供电（下）
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
3
失调电压与温度
3
失调电压，与电源
失调电压，随时间
偏置电流，初始
偏置电流与电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模电压范围
共模抑制， DC
噪声，宽带
噪音，低频率
收益
开环时以15Hz
的带宽，增益带宽积
功率带宽
产量
电压摆幅
电流，峰值
4
当前，连续
建立时间0.1 ％
压摆率
阻力
5
， 1毫安
阻力
5
， 40毫安
电源
电压
目前，静态
热
PA241DW性，交流结到管壳
PA241DW电阻，直流结到管壳
PA241DW电阻，结到空气
温度范围内的情况下
F > 60Hz的
F < 60Hz的
整个温度范围
会见全系列规格的
测试条件
1
民
PA241DW
典型值
25
100
270
3
70
100
15
100
10
11
6
94
50
125
96
3
30
±V
S
–10
2
30
150
5
±150
2.2
7
12
55
最大
40
250
500
130
2000
50
400
民
最大
30
*
*
*
*
*
单位
mV
μV/°C
μV/°C
V/V
μV / KH
pA
PA / V
pA
pF
V
V
dB
μV RMS
μV P-P
dB
兆赫
千赫
V
mA
mA
s
V / μs的
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
25℃至85℃
-25 °至25℃
V
CM
= ± 90V DC
10KHz的带宽，R
S
= 1K
1-10赫兹
R
L
= 5K
280V P-P
I
O
= 40毫安
10V步骤，
V
= –10
C
C
= 3.3pf
R
CL
= 0
R
CL
= 0
+V
S
–14
-V
S
+12
84
*
*
*
90
*
±V
S
–12
120
60
±V
S
–10
*
*
±50
±175
2.5
10
14
+85
*
–25
*
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
5.
"A"规范是相同的非"A"规范。
除非另有说明
C
= 25°C, C
C
= 6.8pF 。 DC输入规格±值给出。电源电压是典型
投资评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。如需指导，请参阅散热器数据表。
样品由晶片到95 ％测试。
保证，但未经测试。
R的选定值
CL
必须被添加到给定的总输出电阻的值。
小心
该PA241是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
PA241U
3
PA241
功率降额
T = T
C
T = T
C
PA241CE
PA241DF
PA241DW
产品创新从
内部功耗， P（ W）
15
12
9
6
3
0
0.95
0.90
0.85
0.80
ILIMIT VS.温度
100
增益及补偿
VBE-
VBE +
补偿，PF
TC = 125°C
10
TC = 85°C
TC = 55°C
1
TC = 25°C
0.1
1
T = T
A
T = T
A
0
25
50
75
100
温度， T（℃ ）
小信号响应
.75pF
125
VBE （ V）
0.75
0.70
0.65
0.60
0.55
0.50
-55 -35 -15 5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
10
收益
功率响应
100
输出电压（ VOUT）， （ π-π ）
100
-90
-100
-110
相位响应
1000
开环增益， A（分贝）
.75pF
6.8pF
15pF
33pF
100
80
60
40
20
0
-20
10
100
15pF
68pF
6.8pF
15pF
.75pF
68pF
6.8pF
相，
Ф (°)
-120
-130
-140
-150
-160
-170
68pF
1K 10K 100K 1M
频率f （ HZ）
10M
-180
10K
100K
1M
频率f （ HZ）
压摆率
10M
10
10K
100K
频率f （ HZ）
静态电流
1M
10
谐波失真
35
归一化静态电流（ ％ ）
120
115
110
105
100
95
90
85
80
100 150
200 250 300 350
总电源电压（ V）
12
10
1
压摆率（V /μs的）
失真， （％）
30V P-P
60V P-P
180V P-P
25
我Q（ 85
°C)
0.1
°C)
我Q（ 25
)
智商（ -25°C
0.01
AV = 20
CC = 15pF的
RL = 2K
1K
10K
频率f （ HZ）
100K
15
0.001
100
5
0 10 20 30 40 50 60 70
补偿电容CC （PF ）
共模抑制， CMR （分贝）
120
100
80
60
40
20
0
10
电源抑制PSR （分贝）
共模抑制
100
90
80
70
电源抑制
输出电压摆幅
V
降
- @85°C
V
降
+ @85°C
负
V
降
从V
S
, (V)
8
6
4
2
积极
60
50
40
10
100
1K
10K
频率f （ HZ）
100K
V
降
+ @25°C
V
降
- @25°C
10K
100
1K
频率f （ HZ）
100K
0
0
20
40 60
80 100 120
输出电流，I
O
（MA ）
4
PA241U
产品创新从
PA241
电流限制
为了正常工作，限流电阻， RCL ，必须
所示连接在外部连接图。该
最小值为3.9欧姆，但是最佳的可靠性，
电阻器应设置得尽可能高。最大
实际值是110欧姆。限流值可以预
预计值如下：
ILIMIT = Vbe的
RCL
哪里的Vbe显示在电流限制的典型
图。
需要注意的是+ Vbe的应用于预测电流通过
在+ VS引脚， -Vbe的电流通过-Vs脚，自己就
与外壳温度而变化。限流电阻的值
在的情况下为25°温度可估算如下：
RCL = 0.7
ILIMIT
当扩增fi er是电流限制，有可能是伪
在消极的电流限制部分中存在振荡
略去半周期。振荡的频率是不可预测的
并取决于补偿的扩增fi er增益，价值
限流电阻器，而负载的。振荡会
不再为扩增fi er出来的电流限制。
一般
请仔细阅读使用说明1 "General工作Consid-
erations"覆盖的稳定性，电源，散热，
安装，限流， SOA的解释，和特异性阳离子
解释。访问www.cirrus.com设计工具，帮助
自动执行任务，如计算的稳定性，内部电源
散热，电流限制，散热片的选择，精密顶点
电力公司的完整的应用笔记库，技术研讨会
工作簿和评估套件。
相位补偿
开环增益及相位偏移，均随着increas-
荷兰国际集团的温度。相位补偿的典型曲线图
示出了闭环增益和相位补偿电容
四壳体温度值的关系。该曲线是
基于获得的50 °的相位裕度。计算高
EST情况下为应用程序（最高环境
前温度和最高内部功耗）
选择补偿。工作时，要记住，
与补偿值较小，寄生参数可以玩大型
在完成的电路的性能的作用。补偿
电容的额定值必须至少总电压应用
给放大器和应该是一个温度稳定的类型，例如
作为NPO或COG 。
其它稳定性问题
有两个关于闭环增益的重要概念
在选择赔偿。他们从一个事实，即干
而"gain"是最常用的术语，
β
（反馈
系数）是真正的设计时的稳定性最重要的。
1.增益必须被计算为一个非反相电路（等于
输入和反馈电阻器可以提供的信号增益
-1，但计算偏移误差，噪声和稳定性这一点，
是增益为2 ） 。
2.包括一个反馈电容改变反馈系数
或电路的增益。考虑凛= 4.7K中，Rf = 47K的增益
11.补偿4.7到6.8pF将是合理的。
在103kHz加入33pF的平行于47K辊断电路，
并在2MHz的降低增益从11到大约1.5，
该电路很可能振荡。
作为一般规则，直流求和点阻抗
（并联反馈电阻和所有输入的组合
电阻器）应限于5k的欧姆或更小。该扩增fi er
大约为6.0pF的输入电容，加上连接的电容
迹线或电线和（如果使用）的插座会导致不希望的
电路的性能，甚至振荡，如果这些电阻
太高。在电路要求较高的电阻，测量或
估计总和点电容，由凛/ RF乘，
平行的Rf与此值。电容器包括用于此目的
通常在单个数字pF的范围。该技术的结果
在平等的反馈系数计算交流和直流的情况下。它
不会产生的滚降，而仅仅保留
β
不变
很宽的频率范围内。应用笔记19条第6款
详情适合稳定性测试的网络nished电路。
安全工作区
该PA241的MOSFET的输出级不被限定
二次击穿的考虑双极性输出级。
但是仍然有三个明显的局限性：
1.耐压晶体管的能力。
模具金属化2.电流处理能力。
输出MOSFET 3.温度。
这些限制可以在SOA （见安全Operat-可见
ING面积图） 。请注意，每个脉冲能力线所示
一个恒定的功率电平（与二次击穿限制
与电压应力，其中功率变化） 。这些线示
为25 ℃的情况下，温度和相对应的热
5.2 ° C / W的PA241CE和DF和10.4 ° C / W电阻
为PA241DW分别。脉冲压力水平等
情况下所用的相同的方式来计算
直流功率电平在不同的温度。输出级
是由寄生二极管保护，防止瞬态反激式
输出级的MOSFET结构。然而，对于保护
针对持续的高能量反激式外部快速恢复
二极管必须使用。
散热
该PA241DF包有一个大的综合性暴露
铜heatslug到单片放大器器是直接
连接。该heatslug的焊料连接到最小
对印刷电路板1平方英寸铜箔区将导致
在25 °C / W结到空气中的评价热性能
PA241DF 。焊料连接到1的区域，以2平方英寸
值得推荐。这可能是足够的散热，但
大量涉及变量显示温度测
surements可以在封装的顶部进行。不要让
温度超过85°C 。
PA241U
5
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½
½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½ ½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
特点
单片MOS技术
低成本
高压操作- 350V
低静态电流TYP. ， 2.2毫安
无二次击穿
高输出电流， 120毫安PEAK
提供裸片形式- CPA241
应用
8引脚TO- 3
包装样式CE
24 -PIN PSOP
包装样式DF
10引脚SIP
包装样式DW
压电定位
静电传感器&挠度
变形反射镜聚焦
生物化学刺激
计算机真空管接口
典型用途
参考文献：应用说明20 ：功率放大器ers" "Bridge模式操作
½
½
½½
½½½½
½½½
½½½
½½½
½½½½
描述
该PA241是一种高电压单片MOSFET运算
扩增fi er使之达到性能特点之前
仅见于混合型设计，同时提高了可靠性。输入
免受过多的共模和差
模电压。安全工作区（SOA ）无二次
击穿的限制，并且可以与所有类型的负载可以观察到
通过选择适当的限流电阻。外
补偿为用户提供了灵活性的最佳选择
的增益和带宽的应用程序。
该PA241CE封装在一个密闭8针
TO-3封装。金属壳体的PA241CE的分离在
多余的全电压范围。
该PA241DF打包在一个24针PSOP （JEDEC MO-
166 ）封装。该PA241DF的金属散热片是孤立
超出全电压范围。
该PA241DW封装在顶点的密封陶瓷SIP
封装。氧化铝陶瓷隔离在过量的模
全电压。
½½½½
½½
½½½½½
½½½½
½½
½½½½½
½
½½
½½½½½
½½½
½½½½½½½½½½
½½½
½
½½
½½
½½
½½½½
低成本660V P-P
压电驱动
½½½½
操作作为压电桥驱动两个PA241放大器器
换能器提供了一种低成本的660伏的总的驱动能力。
第r
N
C
N
网络服务，以提高A2的表观增益在
高的频率。若R
N
被设置为等于R中的放大器器可以是
补偿相同，并有配套的带宽。
外部连接
PA241CE
R
CL
C
C
PA241DW
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
NC数控-V
S
+V
S
I
LIM
C
C
2 C
C
1 OUT
C
C
1 3
出4
2 C
C
2
1 I
LIM
-IN + IN
C
C
等效原理图
顶视图
6
+ IN
8
7
–V
S
NC
+V
S
5
In
+V
S
对于CC值，见图4页。
注： CC必须适用于整个供应
电压。
NC
NC
NC
OUT
NC
COMP
NC
COMP
NC
ILIM
NC
+ VS
C
C
R
CL
R
CL
C
C
1
C
C
2
+ IN
-IN
I
LIM
OUT
PA241DF
NC
NC
NC
NC
+ IN
NC
NC
NC
NC
-Vs
-IN
1
24
-V
S
注： PA241CE推荐安装扭矩为4-7
在磅（ 0.45 -.79牛顿米）
注意：使用可压缩的，导热
绝缘体可能导致保修失效。
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
+
-
1
PA241
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流，内部SOA不断
输出电流，峰值
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10秒
温度，结
2
温度，贮藏
的温度范围，供电（下）
绝对最大额定值
特定网络阳离子
PA241CE
PA241CEA
350V
60毫安
120毫安
12W
±16 V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
民
PA241CEA
典型值
15
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
±V
S
–8.5
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
PA241DF
PA241DFA
350V
60毫安
120毫安
12W
±16 V
±V
S
220°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
最大
30
*
*
*
*
单位
mV
μV/°C
V/V
μV / KH
pA
PA / V
pA
pF
V
V
dB
μV RMS
μV P-P
dB
兆赫
千赫
V
mA
mA
s
V / μs的
*
2.3
*
*
*
*
*
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
3
失调电压，与电源
失调电压，随时间
偏置电流，初始
6
偏置电流与电源
偏置电流，初始
6
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模电压范围
共模抑制， DC
噪声，宽带
噪音，低频率
收益
开环时以15Hz
的带宽，增益带宽积
功率带宽
产量
电压摆幅
电流，峰值
4
当前，连续
建立时间0.1 ％
压摆率
阻力
5
， 1毫安
阻力
5
， 40毫安
电源
电压
目前，静态
热
PA241CE性，交流结到管壳
PA241DF性，交流结到管壳
PA241CE电阻，直流结到管壳
PA241DF电阻，直流结到管壳
PA241CE电阻，结到空气
PA241DF电阻，结到空气
7
温度范围内的情况下
F > 60Hz的
F > 60Hz的
F < 60Hz的
F < 60Hz的
整个温度范围
整个温度范围
会见全系列规格的
测试条件
1
PA241CE ， PA241DF
民
典型值
最大
25
100
3
70
5/50
0.2/2
2.5/50
10
11
6
94
50
125
96
3
30
±V
S
–10
2
30
150
5
±150
2.2
5.4
6
9
9
30
25
±175
2.5
6.5
7
10.4
11
+85
40
500
130
50/200
50/200
整个温度范围
V
CM
= ± 90V DC
10KHz的带宽，R
S
= 1K
1-10赫兹
R
L
= 5K
280V P-P
I
O
= 40毫安
10V步骤，
V
= –10
C
C
= 3.3pf
R
CL
= 0
R
CL
= 0
+V
S
–14
-V
S
+12
84
*
*
*
90
*
±V
S
–12
120
60
±V
S
–10
*
*
±50
*
–25
*
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
"A"特定网络连接的阳离子是相同的非"A"特定网络连接的阳离子。
除非另有说明
C
= 25°C, C
C
= 6.8pF 。直流输入特定网络阳离子±值给出。电源电压是典型
投资评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。如需指导，请参阅散热器数据表。
样品由晶片到95 ％测试。
保证，但未经测试。
R的选定值
CL
必须被添加到给定的总输出电阻的值。
由/分开的特定网络阳离子注明为分别PA241CE和PA241DF值。
评级应用与heatslug的焊料连接到印刷电路板的至少1平方英寸铜箔区。
该PA241是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
小心
APEX微技术公司 5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
2
绝对最大额定值
特定网络阳离子
PA241
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流，内部SOA不断
输出电流，峰值
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10秒
温度，结
2
温度，贮藏
的温度范围，供电（下）
PA241DW
PA241DWA
350V
60毫安
120毫安
9W
±16 V
±V
S
220°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
PA241DWA
典型值
15
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
±V
S
–8.5
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
2.3
*
*
*
绝对最大额定值
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
3
失调电压，与电源
失调电压，随时间
偏置电流，初始
偏置电流与电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模电压范围
共模抑制， DC
噪声，宽带
噪音，低频率
收益
开环时以15Hz
的带宽，增益带宽积
功率带宽
产量
电压摆幅
电流，峰值
4
当前，连续
建立时间0.1 ％
压摆率
阻力
5
， 1毫安
阻力
5
， 40毫安
电源
电压
目前，静态
热
PA241DW性，交流结到管壳
PA241DW电阻，直流结到管壳
PA241DW电阻，结到空气
温度范围内的情况下
F > 60Hz的
F < 60Hz的
整个温度范围
会见全系列规格的
测试条件
1
民
PA241DW
典型值
25
100
3
70
100
15
100
10
11
6
94
50
125
96
3
30
±V
S
–10
2
30
150
5
±150
2.2
7
12
55
最大
40
500
130
2000
50
400
民
最大
30
*
*
*
*
单位
mV
μV/°C
V/V
μV / KH
pA
PA / V
pA
pF
V
V
dB
μV RMS
μV P-P
dB
兆赫
千赫
V
mA
mA
s
V / μs的
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
整个温度范围
V
CM
= ± 90V DC
10KHz的带宽，R
S
= 1K
1-10赫兹
R
L
= 5K
280V P-P
I
O
= 40毫安
10V步骤，
V
= –10
C
C
= 3.3pf
R
CL
= 0
R
CL
= 0
+V
S
–14
-V
S
+12
84
*
*
*
90
*
±V
S
–12
120
60
±V
S
–10
*
*
±50
±175
2.5
10
14
+85
*
–25
*
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
5.
"A"特定网络连接的阳离子是相同的非"A"特定网络连接的阳离子。
除非另有说明
C
= 25°C, C
C
= 6.8pF 。直流输入特定网络阳离子±值给出。电源电压是典型
投资评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。如需指导，请参阅散热器数据表。
样品由晶片到95 ％测试。
保证，但未经测试。
R的选定值
CL
必须被添加到给定的总输出电阻的值。
小心
该PA241是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
3
PA241
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½
½
½
½
½
½½½½½
½
½½½½½
½
典型性能
图的
½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½
½½½½½½½
½½½½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½
½
½½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½
½½½½½½½½½
½
½½½½½½½½½
½½½
½
½½½½½
½
½½½½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½ ½½½ ½½½ ½ ½½ ½½ ½½ ½½ ½½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½½
½½
½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½
½½½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½
½½½½½
½½½½
½½½½
½½½
½½
½½
½½
½½
½
½½½
½½
½½½
½½½½
½½½½
½½½½½
½½½½
½½½½½
½½½½
½½½½½
½½½½½½½½½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½½½
½½ ½½½
½½½½ ½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½
½½½
½½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½
½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½
½½½
½½½
½½½
½½
½½
½½
½½
½½½ ½½½
½½½ ½½½ ½½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½
½½½½½½½
½½½½½½½½
½½
½½½
½ ½½½½½
½½½
½ ½½½½½
½
½½½½½½½½½
½½½
½½½½
½½½½½½½
½½½½½½½½½
½½½½½½½
½½
½½½½½
½½½
½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½
½½
½½
½½
½½
½
½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½
½ ½½ ½½ ½½ ½½ ½½ ½½ ½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½
½½
½½
½½½½½½½½
½½
½½
½½
½½
½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½
½½
½
½
½
½½½½½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½½½½
½½½
½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½
½½½
½½
½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½
½½½½
½
½½ ½½ ½½ ½½ ½½½ ½½½
½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½½
APEX微技术公司 5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
4
操作
注意事项
PA241
电流限制
为了正常工作，限流电阻， RCL ，必须
所示连接在外部连接图。该
最小值为3.9欧姆，但是最佳的可靠性，
电阻器应设置得尽可能高。最大
实际值是110欧姆。限流值可以预
预计值如下：
ILIMIT = Vbe的
RCL
哪里的Vbe显示在电流限制的典型
图。
需要注意的是+ Vbe的应用于预测电流通过
在+ VS引脚， -Vbe的电流通过-Vs脚，自己就
与外壳温度而变化。限流电阻的值
在的情况下为25°温度可估算如下：
RCL = 0.7
ILIMIT
当扩增fi er是电流限制，有可能是伪
在消极的电流限制部分中存在振荡
略去半周期。振荡的频率是不可预测的
并取决于补偿的扩增fi er增益，价值
限流电阻器，而负载的。振荡会
不再为扩增fi er出来的电流限制。
一般
请仔细阅读使用说明1 "General工作Consid-
erations"覆盖的稳定性，电源，散热，
安装，限流， SOA的解释，和特异性阳离子
解释。访问www.apexmicrotech.com设计工具
这有助于自动化任务，如计算的稳定性，
内部功耗，电流限制，散热片的选择，
Apex公司完整的应用笔记库，技术研讨会
工作簿和评估套件。
相位补偿
开环增益及相位偏移，均随着increas-
荷兰国际集团的温度。相位补偿的典型曲线图
示出了闭环增益和相位补偿电容
四壳体温度值的关系。曲线
基于实现50°的相位裕度。计算
最高温度的情况下为应用程序（最多
环境温度和最高内部功耗）
之前选择的补偿。请记住，当
与补偿值较小的工作，可寄生
在网络nished电路的性能起到了很大的作用。该
补偿电容的额定值必须至少总
电压施加到扩增fi er和应该是一个温
稳定型，如NPO或COG 。
其它稳定性问题
有两个关于闭环增益的重要概念
在选择赔偿。他们从一个事实，即干
而"gain"是最常用的术语，
β
（反馈
系数）是真正的设计时的稳定性最重要的。
1.增益必须被计算为一个非反相电路（等于
输入和反馈电阻器可以提供的信号增益
-1，但计算偏移误差，噪声和稳定性这一点，
是增益为2 ） 。
2.包括一个反馈电容改变反馈系数
或电路的增益。考虑凛= 4.7K中，Rf = 47K的增益
11.补偿4.7到6.8pF将是合理的。
在103kHz加入33pF的平行于47K辊断电路，
并在2MHz的降低增益从11到大约1.5，
该电路很可能振荡。
作为一般规则，直流求和点阻抗
（并联反馈电阻和所有输入的组合
电阻器）应限于5k的欧姆或更小。该扩增fi er
大约为6.0pF的输入电容，加上连接的电容
迹线或电线和（如果使用）的插座会导致不希望的
电路的性能，甚至振荡，如果这些电阻
太高。在电路要求较高的电阻，测量或
估计总和点电容，由凛/ RF乘，
平行的Rf与此值。电容器包括用于此目的
通常在单个数字pF的范围。该技术的结果
在平等的反馈系数计算交流和直流的情况下。它
不会产生的滚降，而仅仅保留
β
不变
很宽的频率范围内。应用笔记19条第6款
详情适合稳定性测试的网络nished电路。
安全工作区
该PA241的MOSFET的输出级不被限定
二次击穿的考虑双极性输出级。
但是仍然有三个明显的局限性：
1.耐压晶体管的能力。
模具金属化2.电流处理能力。
输出MOSFET 3.温度。
这些限制可以在SOA （见安全Operat-可见
ING面积图） 。请注意，每个脉冲能力线所示
一个恒定的功率电平（与二次击穿限制
与电压应力，其中功率变化） 。这些线示
为25 ℃的情况下，温度和相对应的热
5.2 ° C / W的PA241CE和DF和10.4 ° C / W电阻
为PA241DW分别。脉冲压力水平等
情况下所用的相同的方式来计算
直流功率电平在不同的温度。输出级
是由寄生二极管保护，防止瞬态反激式
输出级的MOSFET结构。然而，对于保护
针对持续的高能量反激式外部快速恢复
二极管必须使用。
散热
该PA241DF包有一个大的综合性暴露
铜heatslug到单片放大器器是直接
连接。该heatslug的焊料连接到最小
对印刷电路板1平方英寸铜箔区将导致
在25 ° C / W结到空气评级散热性能
该PA241DF 。焊料连接到1-3的面积为2平方
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
5
特点
符合RoHS
单片MOS技术
低成本
高压操作- 350V
低静态电流TYP. ， 2.2毫安
无二次击穿
高输出电流， 120毫安PEAK
提供裸片形式- CPA241
8引脚TO- 3
包装样式CE
24 -PIN PSOP
包装样式DF
10引脚SIP
包装样式DW
应用
压电定位
静电传感器&挠度
变形反射镜聚焦
生物化学刺激
计算机真空管接口
典型用途
参考文献：应用说明20 ：功率放大器ers" "Bridge模式操作
描述
该PA241是一种高电压单片MOSFET运算
扩增fi er使之达到性能特点之前
仅见于混合型设计，同时提高了可靠性。输入
免受过多的共模和差
模电压。安全工作区（SOA ）无二次
击穿的限制，并且可以与所有类型的负载可以观察到
通过选择适当的限流电阻。外
补偿为用户提供了灵活性的最佳选择
的增益和带宽的应用程序。
该PA241CE封装在一个密闭8针
TO-3封装。金属壳体的PA241CE的分离在
多余的全电压范围。
该PA241DF打包在一个24针PSOP （JEDEC MO-
166 ）封装。该PA241DF的金属散热片是孤立
超出全电压范围。
该PA241DW封装在顶点的密封陶瓷SIP
封装。氧化铝陶瓷隔离在过量的模
全电压。
低成本660V P-P
压电驱动
操作作为压电桥驱动两个PA241放大器器
换能器提供了一种低成本的660伏的总的驱动能力。
第r
N
C
N
网络服务，以提高A2的表观增益在
高的频率。若R
N
被设置为等于R中的放大器器可以是
补偿相同，并有配套的带宽。
外部连接
PA241CE
R
CL
C
C
C
C
1 3
出4
5
In
2 C
C
2
1 I
LIM
PA241DW
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
NC数控-V
S
+V
S
I
LIM
C
C
2 C
C
1 OUT
C
C
R
CL
-IN + IN
等效原理图
+V
S
顶视图
6
+ IN
8
7
–V
S
NC
NC
NC
NC
NC
+ IN
NC
NC
NC
NC
-Vs
-IN
+V
S
对于CC值，见图4页。
注： CC必须适用于整个供应
电压。
NC
NC
NC
OUT
NC
COMP
NC
COMP
NC
ILIM
NC
+ VS
C
C
R
CL
PA241DF
C
C
1
C
C
2
+ IN
-IN
I
LIM
OUT
1
24
-V
S
注： PA241CE推荐安装扭矩为4-7
在磅（ 0.45 -.79牛顿米）
注意：使用可压缩的，导热
绝缘体可能导致保修失效。
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
+
-
1
PA241
绝对最大额定值
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流，内部SOA不断
输出电流，峰值
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10秒
温度，结
2
温度，贮藏
的温度范围，供电（下）
绝对最大额定值
特定网络阳离子
PA241CE
PA241CEA
350V
60毫安
120毫安
12W
±16 V
±V
S
300°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
民
PA241CEA
典型值
15
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
±V
S
–8.5
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
PA241DF
PA241DFA
350V
60毫安
120毫安
12W
±16 V
±V
S
220°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
最大
30
*
*
*
*
单位
mV
μV/°C
V/V
μV / KH
pA
PA / V
pA
pF
V
V
dB
μV RMS
μV P-P
dB
兆赫
千赫
V
mA
mA
s
V / μs的
*
2.3
*
*
*
*
*
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
3
失调电压，与电源
失调电压，随时间
偏置电流，初始
6
偏置电流与电源
偏置电流，初始
6
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模电压范围
共模抑制， DC
噪声，宽带
噪音，低频率
收益
开环时以15Hz
的带宽，增益带宽积
功率带宽
产量
电压摆幅
电流，峰值
4
当前，连续
建立时间0.1 ％
压摆率
阻力
5
， 1毫安
阻力
5
， 40毫安
电源
电压
目前，静态
热
PA241CE性，交流结到管壳
PA241DF性，交流结到管壳
PA241CE电阻，直流结到管壳
PA241DF电阻，直流结到管壳
PA241CE电阻，结到空气
PA241DF电阻，结到空气
7
温度范围内的情况下
F > 60Hz的
F > 60Hz的
F < 60Hz的
F < 60Hz的
整个温度范围
整个温度范围
会见全系列规格的
测试条件
1
PA241CE ， PA241DF
民
典型值
最大
25
100
3
70
5/50
0.2/2
2.5/50
10
11
6
94
50
125
96
3
30
±V
S
–10
2
30
150
5
±150
2.2
5.4
6
9
9
30
25
±175
2.5
6.5
7
10.4
11
+85
40
500
130
50/200
50/200
整个温度范围
V
CM
= ± 90V DC
10KHz的带宽，R
S
= 1K
1-10赫兹
R
L
= 5K
280V P-P
I
O
= 40毫安
10V步骤，
V
= –10
C
C
= 3.3pf
R
CL
= 0
R
CL
= 0
+V
S
–14
-V
S
+12
84
*
*
*
90
*
±V
S
–12
120
60
±V
S
–10
*
*
±50
*
–25
*
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
"A"规范是相同的非"A"规范。
除非另有说明
C
= 25°C, C
C
= 6.8pF 。 DC输入规格±值给出。电源电压是典型
投资评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。如需指导，请参阅散热器数据表。
样品由晶片到95 ％测试。
保证，但未经测试。
R的选定值
CL
必须被添加到给定的总输出电阻的值。
由/分开的特定网络阳离子注明为分别PA241CE和PA241DF值。
评级应用与heatslug的焊料连接到印刷电路板的至少1平方英寸铜箔区。
该PA241是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
小心
APEX微技术公司 5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
2
绝对最大额定值
特定网络阳离子
PA241
电源电压+ V
S
为±V
S
输出电流，内部SOA不断
输出电流，峰值
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10秒
温度，结
2
温度，贮藏
的温度范围，供电（下）
PA241DW
PA241DWA
350V
60毫安
120毫安
9W
±16 V
±V
S
220°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
PA241DWA
典型值
15
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
±V
S
–8.5
*
*
*
*
*
*
*
*
*
*
2.3
*
*
*
绝对最大额定值
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
3
失调电压，与电源
失调电压，随时间
偏置电流，初始
偏置电流与电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模电压范围
共模抑制， DC
噪声，宽带
噪音，低频率
收益
开环时以15Hz
的带宽，增益带宽积
功率带宽
产量
电压摆幅
电流，峰值
4
当前，连续
建立时间0.1 ％
压摆率
阻力
5
， 1毫安
阻力
5
， 40毫安
电源
电压
目前，静态
热
PA241DW性，交流结到管壳
PA241DW电阻，直流结到管壳
PA241DW电阻，结到空气
温度范围内的情况下
F > 60Hz的
F < 60Hz的
整个温度范围
会见全系列规格的
测试条件
1
民
PA241DW
典型值
25
100
3
70
100
15
100
10
11
6
94
50
125
96
3
30
±V
S
–10
2
30
150
5
±150
2.2
7
12
55
最大
40
500
130
2000
50
400
民
最大
30
*
*
*
*
单位
mV
μV/°C
V/V
μV / KH
pA
PA / V
pA
pF
V
V
dB
μV RMS
μV P-P
dB
兆赫
千赫
V
mA
mA
s
V / μs的
V
mA
° C / W
° C / W
° C / W
°C
整个温度范围
V
CM
= ± 90V DC
10KHz的带宽，R
S
= 1K
1-10赫兹
R
L
= 5K
280V P-P
I
O
= 40毫安
10V步骤，
V
= –10
C
C
= 3.3pf
R
CL
= 0
R
CL
= 0
+V
S
–14
-V
S
+12
84
*
*
*
90
*
±V
S
–12
120
60
±V
S
–10
*
*
±50
±175
2.5
10
14
+85
*
–25
*
注意事项：
*
1.
2.
3.
4.
5.
"A"规范是相同的非"A"规范。
除非另有说明
C
= 25°C, C
C
= 6.8pF 。 DC输入规格±值给出。电源电压是典型
投资评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。如需指导，请参阅散热器数据表。
样品由晶片到95 ％测试。
保证，但未经测试。
R的选定值
CL
必须被添加到给定的总输出电阻的值。
小心
该PA241是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
3
PA241
典型性能
图的
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4
操作
注意事项
PA241
电流限制
为了正常工作，限流电阻， RCL ，必须
所示连接在外部连接图。该
最小值为3.9欧姆，但是最佳的可靠性，
电阻器应设置得尽可能高。最大
实际值是110欧姆。限流值可以预
预计值如下：
ILIMIT = Vbe的
RCL
哪里的Vbe显示在电流限制的典型
图。
需要注意的是+ Vbe的应用于预测电流通过
在+ VS引脚， -Vbe的电流通过-Vs脚，自己就
与外壳温度而变化。限流电阻的值
在的情况下为25°温度可估算如下：
RCL = 0.7
ILIMIT
当扩增fi er是电流限制，有可能是伪
在消极的电流限制部分中存在振荡
略去半周期。振荡的频率是不可预测的
并取决于补偿的扩增fi er增益，价值
限流电阻器，而负载的。振荡会
不再为扩增fi er出来的电流限制。
一般
请仔细阅读使用说明1 "General工作Consid-
erations"覆盖的稳定性，电源，散热，
安装，限流， SOA的解释，和特异性阳离子
解释。访问www.apexmicrotech.com设计工具
这有助于自动化任务，如计算的稳定性，
内部功耗，电流限制，散热片的选择，
Apex公司完整的应用笔记库，技术研讨会
工作簿和评估套件。
相位补偿
开环增益及相位偏移，均随着increas-
荷兰国际集团的温度。相位补偿的典型曲线图
示出了闭环增益和相位补偿电容
四壳体温度值的关系。曲线
基于实现50°的相位裕度。计算
最高温度的情况下为应用程序（最多
环境温度和最高内部功耗）
之前选择的补偿。请记住，当
与补偿值较小的工作，可寄生
在网络nished电路的性能起到了很大的作用。该
补偿电容的额定值必须至少总
电压施加到扩增fi er和应该是一个温
稳定型，如NPO或COG 。
其它稳定性问题
有两个关于闭环增益的重要概念
在选择赔偿。他们从一个事实，即干
而"gain"是最常用的术语，
β
（反馈
系数）是真正的设计时的稳定性最重要的。
1.增益必须被计算为一个非反相电路（等于
输入和反馈电阻器可以提供的信号增益
-1，但计算偏移误差，噪声和稳定性这一点，
是增益为2 ） 。
2.包括一个反馈电容改变反馈系数
或电路的增益。考虑凛= 4.7K中，Rf = 47K的增益
11.补偿4.7到6.8pF将是合理的。
在103kHz加入33pF的平行于47K辊断电路，
并在2MHz的降低增益从11到大约1.5，
该电路很可能振荡。
作为一般规则，直流求和点阻抗
（并联反馈电阻和所有输入的组合
电阻器）应限于5k的欧姆或更小。该扩增fi er
大约为6.0pF的输入电容，加上连接的电容
迹线或电线和（如果使用）的插座会导致不希望的
电路的性能，甚至振荡，如果这些电阻
太高。在电路要求较高的电阻，测量或
估计总和点电容，由凛/ RF乘，
平行的Rf与此值。电容器包括用于此目的
通常在单个数字pF的范围。该技术的结果
在平等的反馈系数计算交流和直流的情况下。它
不会产生的滚降，而仅仅保留
β
不变
很宽的频率范围内。应用笔记19条第6款
详情适合稳定性测试的网络nished电路。
安全工作区
该PA241的MOSFET的输出级不被限定
二次击穿的考虑双极性输出级。
但是仍然有三个明显的局限性：
1.耐压晶体管的能力。
模具金属化2.电流处理能力。
输出MOSFET 3.温度。
这些限制可以在SOA （见安全Operat-可见
ING面积图） 。请注意，每个脉冲能力线所示
一个恒定的功率电平（与二次击穿限制
与电压应力，其中功率变化） 。这些线示
为25 ℃的情况下，温度和相对应的热
5.2 ° C / W的PA241CE和DF和10.4 ° C / W电阻
为PA241DW分别。脉冲压力水平等
情况下所用的相同的方式来计算
直流功率电平在不同的温度。输出级
是由寄生二极管保护，防止瞬态反激式
输出级的MOSFET结构。然而，对于保护
针对持续的高能量反激式外部快速恢复
二极管必须使用。
散热
该PA241DF包有一个大的综合性暴露
铜heatslug到单片放大器器是直接
连接。该heatslug的焊料连接到最小
对印刷电路板1平方英寸铜箔区将导致
在25 ° C / W结到空气评级散热性能
该PA241DF 。焊料连接到1-3的面积为2平方
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