高压功率运算放大器
PA140
M I C R T E C H N 0 1 摹
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（ 800 ） 546 - APEX
(800) 546-2739
特点
单片MOS技术
低成本
高压操作- 350V ， 250V降额
低静态电流， 2毫安
无二次击穿
高输出电流-120 mA峰值
应用
电话铃声发生器
压电定位
静电传感器&挠度
变形反射镜聚焦
封装选项
7TO -220塑料封装（ PA140CD ）
7TO -220与交错引脚形式（ PA140CX ）
7 DDPAK表面贴装封装（ PA140CC ）
典型APPLICATON
参考应用笔记31 "Basic运算放大器理论与Practice"
R
V
IN
20R
20R
20R
+175
2.2K
2.2K
10pF
A1
PA140
100
330pF
压电
传感器
10pF
A2
PA140
+175
描述
该PA140是一种高电压单片MOSFET运算
扩增fi er实现的性能特性以前发现
只有混合动力设计，同时提高了可靠性。输入是
过度的共模和差保护
模电压。安全工作区（SOA ）无二次
击穿限制。外部补偿提供
在选择最佳的增益和带宽的用户灵活性
对于该应用程序。
该PA140封装在三个标准的包装设计。
表面安装版本的PA140中， PA140CC的，是
行业标准的非密封塑料7针DDPAK 。该
通过PA140中， PA140CD ，和孔版
PA140CX ，是行业标准的非密封塑料7针
的TO-220封装。是交错铅形成的PA140CX
PA140CD并提供工业标准的100密耳间距，
这使得更容易的PC板布局。 （请参考
要带头窗体数据表绘制LF005的包
在PA140CX的尺寸。 ）
在设计时，高压的考虑，应采取
电路板布局的PA140 。该PA140CD可能要求
降额中的电源电压取决于所使用的间距
电路板布局。的15密耳和14密耳的最小间距
7TO - 220和7DDPAK分别是足以对峙
该PA140的350V等级。然而，一个电源电压
减免250V的要求，如果电路板的间距
艺术品是小于11密耳。在案件的PA140哪里
用于它的最大额定电压时， PA140BP是
建议鉴于交错铅形式允许
100万标准间距。
单片扩增fi er被直接附着在金属
选项卡中的PA140CC ， PA140CD和PA140CX的。金属
选项卡直接连接到-V
S
该PA140设置为38.5增益提高了2.33V的信号
到90V 。对于涨幅超过30推荐赔偿
被使用。如果容性负载是至少330pF的时刻，所述
推荐的缓冲网络也可以省略。
Rn
Cn
100
330pF
低成本660V P-P
压电驱动
–175
–175
外部连接
PA140CD
PA140CC
PA140CX
-IN
+ IN
+ VS
-Vs
OUT
COMP （ RC ）
COMP （ CC）
相
赔偿金
收益
1
10
30
C
C
18pF
10pF
3.3pF
R
C
2.2K
2.2K
2.2K
-IN
+ IN +
+ VS
-Vs
OUT
COMP （ RC ）
COMP （ CC）
C
S
,C
C
被评为
如需了解完整的电源电压。
C
C
NPO是
R
CL
=
3
I
LIM
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
-IN
+ IN
+ VS
-Vs
OUT
COMP （ RC ）
COMP （ CC ）
PA140
绝对最大额定值
绝对最大额定值
特定网络阳离子
电源电压+ V
S
为±V
S
降额电源电压+ V
S
到-V
S
输出电流，内部SOA不断
输出电流，峰值
功耗，连续@ T
C
= 25°C
输入电压，差分
输入电压，共模
温度，焊针 - 10秒
温度，结
2
温度，贮藏
的温度范围，供电（下）
PA140
测试条件
1
民
典型值
15
70
20
75
50
2
50
101
1
5
±VS–12
84
94
50
110
最大
30
130
32
200
20
200
350V
250V
60毫安
120毫安
14W
±16 V
±V
S
220°C
150°C
-65到+ 150°C
-40至+ 125°C
特定网络阳离子
参数
输入
失调电压，初始
失调电压与温度
4
失调电压，与电源
失调电压，随时间
偏置电流，初始
偏置电流与电源
偏置电流，初始
输入阻抗，直流
输入电容
共模电压范围
共模抑制， DC
噪声，宽带
噪音，低频率
收益
开环时以15Hz
的带宽，开环
功率带宽
相位裕度
产量
电压摆幅
电流，峰值
5
当前，连续
建立时间0.1 ％
压摆率
容性负载
RESISTANCE6 ，正
o
负载
RESISTANCE6 ， 20
m
负载
电源
电压
3
目前，静态
热
性，交流结到管壳
6
电阻，直流结到管壳
6
电阻，结到空气
温度范围内的情况下
注：1 。
2.
3.
4.
5.
单位
mV
μV/°C
V/V
μV KH
pA
PA / V
pA
pF
V
dB
μV RMS
μV P-P
整个温度范围
VCM = ± 90V DC
10kHz的带宽， RS = 1K
1-10赫兹
RL = 5K
CC = 10pF的， 280V P-P
整个温度范围
94
106
1.6
26
60
dB
兆赫
千赫
°
IO = 40毫安
±VS–12
60
±VS–10
120
CC = 10pF的， 10V的步骤， AV =
–
10
CC = OPEN
AV = 1
RCL = 0
RCL = 0
12
40
10
150
25
V
mA
mA
s
V / μs的
nF
见注3
±50
±150
1.6
±175
2.0
V
mA
F > 60Hz的
F < 60Hz的
整个温度范围
满足全方位的特定网络阳离子
5.9
7.7
–25
25
6.85
8.9
+85
° C / W
° C / W
° C / W
°C
除非另有说明
C
= 25°C, C
C
= 18pF之，R
C
= 2.2K 。直流输入特定网络阳离子±值给出。电源电压
是典型的投资评级。
在最大结温长期运行会导致降低产品寿命。减免内部功耗
实现高平均无故障时间。
减额最大电源电压0.5 V / ℃，低于25 ℃的外壳温度。无降额需要上述TC = 25°C 。
样品由晶片到95 ％测试。
保证，但未经测试。
小心
该PA140是从MOSFET晶体管构成。 ESD处理程序必须得到遵守。
APEX微技术有限公司
5980北香农路亚利桑那州图森85741 美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
典型性能
图的
PA140
0
–30
–60
相，
(°)
–90
–120
–150
–180
C
C
= 18pF之
C
C
= 3.3pf
内部功耗， P（ W）
功率降额
16
14
12
10
8
6
4
2
相位响应
400
C
C
= 3.3pf
C
C
= 10pF的
C
C
= 18pF之
输出电压V
O
(V
PP
)
功率响应
R
L
= 10K
200
C
C
= 10pF的
100
80
60
40
C
C
= 18pF之
20
10K 20K30K 50K .1M .2M .3M 0.5米
频率f （ HZ）
C
C
= 3.3pf
0
0
25
50
75
100
温TJ（ ℃）
125
–210
C
C
= 10pF的
1
10 100 1K 10K .1M 1M 10M
频率f （ HZ）
1M
120
开环增益， A（分贝）
100
C
C
= 3.3pf
摆率， V / μs的
80
60
40
C
C
= 18pF之
20
0
1
10 100 1K 10K .1M 1M 10M
频率f （ HZ）
电源抑制PSR （分贝）
C
C
= 10pF的
压摆率
60
50
40
30
20
10
0
0
4
8
12
16
20
补偿电容C
C
（PF ）
归一化静态电流（ ％ ）
小信号响应
静态电流
150
130
110
T
C
90
=8
5
°
C
5
°
C
5
°
C
T
C
70
=2
T
C
= -2
–20
50
100 150
200
300
350
250
总电源电压，V
S
(V)
谐波失真
1.0
.6
.4
失真， （％）
.2
.1
.06
.04
.02
A
V
= 20
C
C
= 3.3pf
R
L
= 2K
V
O
= 30V
PP
V
O
= 180V
PP
V
O
= 60V
PP
电源抑制
120
100
80
60
40
20
0
1
10
100 1K 10K .1M
频率f （ HZ）
1M
–V
S
+V
S
电压降从供给，V
S
– V
O
(V)
输出电压摆幅
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
85
°
C
T
- OU
= OUT
25
°
C
= OUT
–25
°
C
.01
.006
.004
.002
100 200 1K 3K 10K 30K 100K
频率f （ HZ）
120
100
80
60
40
20
0
1
10
100 1K 10K .1M
频率f （ HZ）
1M
T
–25
°C
+ OU
85
°C
+ OUT
25 ° C + OUT
0
20
40
60 80 100 120
输出电流，I
O
（MA ）
APEX微技术有限公司电话：（ 520 ） 690-8600 传真（ 520 ） 888-3329 令（ 520 ） 690-8601 电子邮件prodlit@apexmicrotech.com
共模抑制， CMR （分贝）
共模抑制
PA140
一般
请仔细阅读使用说明1 "General工作
Considerations"覆盖稳定，耗材，散热，
安装，限流， SOA的解释，和特异性阳离子
解释。访问www.apexmicrotech.com设计工具
这帮助自动化任务。
操作
注意事项
散热片上的FR4 /印刷电路板的背面上，或者铜
蛞蝓。不要让温度超过85°C 。该
heatslug内部连接到-V
S
.
等效原理图
3
输入保护
该PA140输入保护，防止共模
电压高达电源电压和高达差分电压为
± 16伏电压以及静电放电。差分电压
超过16伏将被保护电路被裁剪。
但是，如果超过几个的电流毫安可用
从过载源，保护电路可能是
销毁。该保护电路包括300欧姆电流
限流电阻，在每个输入，但是这可能是insuf音响cient
严重超载。它可能需要添加外部
电阻的应用电路，其中严重超载
条件的预期。限制输入电流至1mA会
防止损坏。
Q1
D1
Q2
Q3
Q4
1
+V
S
I
OUT
5
Q5
6
Q6
In
D2
2
COMP
D3
D4
D5
COMP Q8
7
+ IN
Q11
Q12
Q13
Q10
Q14
–V
S
4
稳定性
该PA140已苏夫网络cient相位裕度补偿时
对于单位增益是稳定与至少10容性负载
nF的。然而，低通电路由sumpoint创建
（ -in ）电容和反馈网络可能会增加相
移而引起的不稳定性。作为一般规则，在sumpoint
负载电阻（并联输入和反馈电阻）
应1K欧姆或更小，在低增益设定（最多10个） 。
另外，使用旁路电容两端的反馈
电阻器。反馈电阻器和旁路的时间常数
电容的组合应该匹配的时间常数
sumpoint性和sumpoint电容。
该PA140外部补偿和性能
可以根据该应用程序。使用小图表
信号的增益和相位响应，以及图中供
压摆率和功率响应作为指导。补偿
电容C
C
必须在额定电压为350V 。补偿
电容器及相关电阻R
C
必须紧密地安装
在扩增fi er引脚，以避免寄生振荡。一个非营利组织
电容建议赔偿。该PA140
单片放大器器采用全NMOS输出拓扑结构
提出了一个特殊的稳定性问题。输出缓冲
330pF的和100Ω的网络串联，从输出到-V
S
将消除了这个问题。这个网络如果不要求
负载电容大于330pF的。
子
安全工作区（ SOA ）
这种权力运作的MOSFET输出级
扩增fi er有两个明显的局限性：
1.模具金属化的电流处理能力。
2.输出MOSFET的温度。
注：输出级进行保护，防止瞬态
反激式。然而，对于防止持续，高能量
反激式，外部快速恢复二极管应使用。
PA140 SOA
200mS
300mS
200
输出电流+ V
S
或-v
S
（毫安）
120
100
50
40
30
20
DC
,T
DC
C
=
,T
C=
85
°
C
25
°
C
10
MOUNTING
该PA140CC 7针DDPAK表面贴装封装
有一个大的集成露铜heatslug到
单片放大器器直接连接。该PA140CC
需要表面安装散热技术。焊料
连接到1 2平方英寸箔的面积是
推荐电路板布局。这可能是足够
散热，但大量的变量涉及
建议的温度测量到顶部进行
包的。表面贴装技术包括使用
面装风扇结合的表面贴装
5
4
3
2
10
20
30
50
100
200 300
500
应用参考：
更多技术信息，请参阅
以下应用说明：
AN 01 ：一般操作注意事项
AN 25 ：驱动容性负载
AN 38 ：环路稳定性与抗负载
此数据表已经被仔细检查，被认为是可靠的，但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
APEX微技术有限公司
5980
PA140U REV 。 2002年二月份2002顶点微技术公司
美国应用热线： 1 （ 800 ） 546-2739
北香农路亚利桑那州图森85741
P. 70, 100, 140, 200
日前，Vishay DRALORIC
板电容器等高缘 - 第1类陶瓷
PD
P.
P.
P.
P.
70
100
140
200
11
11
12
12
KV
p
KV
p
KV
p
KV
p
to
to
to
to
14
15
15
15
KV
p
KV
p
KV
p
KV
p
D
1
3手指码头
频段终端
&陶瓷基地
W
1
D
PC
PA
PE
L
H
L
1
D
1
0.3
(0.0
12)
10
(0.394)
66
±
2
(2.598
±
0.08)
30
±
1
(1.181
±
0.04)
85
(3.346)
频段终端
6手指码头
5
(0.197)
50
(1.969)
6.4 + 0.4
(0.252 + 0.016)
13
(0.512)
W
2
W
1
模型的PE 70是不
可用的
尺寸以毫米（英寸）
模型
PA 70
PC 70
PD 70
70 (2.756)
M6螺纹
35 ± 1 (1.378 ± 0.039)
30最大。 （ 1.181最大）
100 (3.937)
15 (0.591)
116 (4.567)
PA 100
PC 100
PD 100
PE 100
100 (3.518)
M8螺纹
40 ± 1 (1.575 ± 0.039)
30最大。 （ 1.181最大）
140 (5.512)
30 (1.181)
146 (5.748)
PA 140
PC 140
PD 140
PE 140
140 (5.512)
M8螺纹
40 ± 1 (1.575 ± 0.039)
30最大。 （ 1.181最大）
140 (5.512)
30 (1.181)
186 (7.323)
PA 200
PC 200
PD 200
PE 200
200 (7.874)
M10螺纹
45 ± 1 (1.772 ± 0.039)
最多32个。 （ 1.260最大）
200 (7.874)
30 (1.181)
246 (9.685)
D
D
1
W
1
W
2
L
1
L
2
H
材质：
于第1类瓷介电容器的制作元素
与贵金属电极。
连接端子：铜（ PA ， PC模式） ，
铜/黄铜，镀银（ PD ， PE模型） 。
表面处理：
贵金属电极完全漆。轮廓
轮辋釉面。
标记：
类型代号，电容值和宽容，额定
电压（峰值） ，生产日期代码，陶瓷
物料代码， DRALORIC标志。
订购信息
PE 100
模型
www.vishay.com
1
13 KVP
额定电压
1000 pF的
电容值
± 20 %
公差
R
85
陶瓷的
文档编号： 22082
修订： 20 - NOV- 01
如有技术问题，请联系： powcap@vishay.com
P. 70, 100, 140, 200
板电容器等高缘 - 第1类陶瓷
P. 70
陶瓷的
电容
价值
[ pF的]
评级
评级
低压电力*
[ KV
P
]
[KVA
r
]
评级
当前
[A
RMS
]
PD
25
30
40
R 16
50
60
80
100
R 42
120
160
200
250
300
R 85
400
500
600
800
13
12
11
20
16
10
R 85
14
12
14
13
20
16
10
R 42
14
20
PA
PC
R7
16
10
R 16
50
60
80
100
120
160
200
250
300
400
500
600
800
1000
1200
1600
13
11
14
40
35
25
15
13
15
14
13
40
35
25
15
15
40
15
30
35
25
15
日前，Vishay DRALORIC
P. 100
评级
陶瓷电容额定
低压电力*
价值
[ KV
P
]
[KVA
r
]
[ pF的]
评级
当前
[A
RMS
]
PE
PD
PA
PC
R7
14
15
P. 140
评级
陶瓷电容额定
低压电力*
价值
[ KV
P
]
[KVA
r
]
[ pF的]
评级
当前
[A
RMS
]
PE
100
120
160
R 16
200
250
300
400
R 42
500
600
800
1000
1200
R 85
1600
2000
2500
3000
R 230
3000
13
12
16
90
45
**
**
14
90
45
30
20
14
15
14
13
90
45
30
20
15
90
PD
PA
PC
P. 200
评级
陶瓷电容额定
低压电力*
价值
[ KV
P
]
[KVA
r
]
[ pF的]
评级
当前
[A
RMS
]
PE
160
200
45
30
20
R7
250
300
400
R 16
500
600
800
R 42
1000
1200
1600
2000
2500
R 85
3000
4000
5000
6000
13
12
14
150
60
40
25
14
14
12
15
15
150
60
40
25
150
15
112
60
40
25
PD
PA
PC
R7
15
67.5
*在100℃的表面温度不能超过
**仅PE模式
电容公差：
± 20 %, ± 10 %, ± 5 %
文档编号： 22082
修订： 20 - NOV- 01
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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