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NIKO -SEM
P沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管(初步)
PA102FM
SOT-23
D
产品概述
V
( BR ) DSS
-20
R
DS ( ON)
118mΩ
I
D
-3A
1 : GATE
2 :排水
3 : SOURCE
G
S
绝对最大额定值(T
C
= 25
°C
除非另有说明)
参数/测试条件
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
工作结&存储温度范围
热电阻额定值
热阻
结到环境
1
2
符号
V
DS
V
GS
范围
-20
±12
-3
-1.4
单位
V
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
A
-10
1.25
0.8
-55到150
°C
单位
C / W
W
符号
R
θJA
典型
最大
166
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
1%
电气特性(T
C
= 25
°C,
除非另有说明)
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
漏源导通电阻
1
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±12V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125 °C
V
DS
= -5V, V
GS
= -4.5V
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-1A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -2A
V
GS
= -10V ,我
D
= -2A
-6
150
98
72
215
118
85
-20
-0.45 -0.8
-1.2
±100
-1
-10
A
nA
A
V
范围
单位
最小典型最大
Nov-02-2004
1
NIKO -SEM
P沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管(初步)
PA102FM
SOT-23
正向跨导
1
g
fs
V
DS
= -5V ,我
D
= -2A
动态
16
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
2
栅极 - 漏极电荷
2
导通延迟时间
2
上升时间
2
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25
°C)
V
DD
= -10V
I
D
-1A ,V
GS
= -4.5V ,R
G
= 6Ω
V
DS
= 0.5V
( BR ) DSS
, V
GS
= -4.5V,
I
D
= -2A
V
GS
= 0V, V
DS
= -6V , F = 1MHz的
430
235
95
7.6
3.2
2
11
32
38
32
22
55
68
55
nS
10
nC
pF
连续电流
脉冲电流
3
I
S
I
SM
V
SD
I
F
= -1A ,V
GS
= 0V
-1.6
-3
-1.2
A
V
正向电压
1
1
2
脉冲测试:脉冲宽度
300
微秒,
占空比
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注:标有“ 21YWW ” ,日期代码或批号的产品
Nov-02-2004
2
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P沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管(初步)
PA102FM
SOT-23
Nov-02-2004
3
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P沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管(初步)
PA102FM
SOT-23
体二极管正向电压的变化与源电流和温度
10
- 是 - 反向漏电流( A)
V
GS
= 0V
1
T
A
= 125° C
0.1
25° C
-55° C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
- 体二极管正向电压( V)
1.2
Nov-02-2004
4
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P沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管(初步)
PA102FM
SOT-23
SOT- 23 ( M3 )机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
0.85
2.4
1.4
2.7
1
0
0.35
1.6
2.9
1.1
典型值。
马克斯。
1.15
3
1.8
3.1
1.3
0.1
0.5
H
I
J
K
L
M
N
分钟。
0.1
0.37
典型值。
0.15
马克斯。
0.25
mm
H
2
C
1
A
3
B
I
D
E
G
F
Nov-02-2004
5
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P沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管(初步)
PA102FM
SOT-23
D
产品概述
V
( BR ) DSS
-20
R
DS ( ON)
118mΩ
I
D
-3A
1 : GATE
2 :排水
3 : SOURCE
G
S
绝对最大额定值(T
C
= 25
°C
除非另有说明)
参数/测试条件
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
工作结&存储温度范围
热电阻额定值
热阻
结到环境
1
2
符号
V
DS
V
GS
范围
-20
±12
-3
-1.4
单位
V
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
A
-10
1.25
0.8
-55到150
°C
单位
C / W
W
符号
R
θJA
典型
最大
166
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
1%
电气特性(T
C
= 25
°C,
除非另有说明)
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
漏源导通电阻
1
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±12V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125 °C
V
DS
= -5V, V
GS
= -4.5V
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-1A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -2A
V
GS
= -10V ,我
D
= -2A
-6
150
98
72
215
118
85
-20
-0.45 -0.8
-1.2
±100
-1
-10
A
nA
A
V
范围
单位
最小典型最大
Nov-02-2004
1
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P沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管(初步)
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SOT-23
正向跨导
1
g
fs
V
DS
= -5V ,我
D
= -2A
动态
16
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
2
栅极 - 漏极电荷
2
导通延迟时间
2
上升时间
2
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25
°C)
V
DD
= -10V
I
D
-1A ,V
GS
= -4.5V ,R
G
= 6Ω
V
DS
= 0.5V
( BR ) DSS
, V
GS
= -4.5V,
I
D
= -2A
V
GS
= 0V, V
DS
= -6V , F = 1MHz的
430
235
95
7.6
3.2
2
11
32
38
32
22
55
68
55
nS
10
nC
pF
连续电流
脉冲电流
3
I
S
I
SM
V
SD
I
F
= -1A ,V
GS
= 0V
-1.6
-3
-1.2
A
V
正向电压
1
1
2
脉冲测试:脉冲宽度
300
微秒,
占空比
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注:标有“ 21YWW ” ,日期代码或批号的产品
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2
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型场效应晶体管(初步)
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SOT-23
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3
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P沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管(初步)
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SOT-23
体二极管正向电压的变化与源电流和温度
10
- 是 - 反向漏电流( A)
V
GS
= 0V
1
T
A
= 125° C
0.1
25° C
-55° C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
- 体二极管正向电压( V)
1.2
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P沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管(初步)
PA102FM
SOT-23
SOT- 23 ( M3 )机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
0.85
2.4
1.4
2.7
1
0
0.35
1.6
2.9
1.1
典型值。
马克斯。
1.15
3
1.8
3.1
1.3
0.1
0.5
H
I
J
K
L
M
N
分钟。
0.1
0.37
典型值。
0.15
马克斯。
0.25
mm
H
2
C
1
A
3
B
I
D
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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原装进口正品现货,只做原装,长期供货
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联系人:朱先生
地址:广东深圳福田区华强北上步工业区405栋6楼607
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只做进口原装假一赔十
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联系人:朱
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联系人:刘经理
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