P93U422
P93U422
HIGH SPEED 256 ×4
静态CMOS RAM
特点
环球256 ×4的静态RAM
一个部分,则93U422 ,替换以下
双极型和CMOS器件:
– 93422A
– 93422
- 93L422A
– 93L422
快速访问时间
- 35纳秒(商业)
- 35纳秒(军事)
标准的400密耳DIP及芯片载体封装
CMOS的低功耗
- 440毫瓦(商业)
- 495毫瓦(军事)
5V电源
±
为商业10 %
和军用温度范围
独立的I / O
全静态操作与平等准入,
周期时间
抗单粒子翻转和闭锁因
以先进的工艺和设计的改进
描述
该P93U422是一个1024位的高速与静态RAM
256 ×4的组织。该P93U422是一个普遍的
设备设计,更换整个93和93L 256 ×4
静态RAM的家庭。内存不需要时钟或
清爽并有平等的机会和循环时间。输入
和产出完全TTL兼容。操作是从
单5伏电源。提供简单的存储扩展
由低电平有效片选1 (CS
1
)和高电平有效
芯片选择两个( CS
2
)和三态输出。
除了高性能,该装置设有
锁定保护,单一的事件和不安的保护。
该P93U422提供了几个工具包: 22针400
万DIP (塑料和陶瓷) , 24引脚300密耳SOIC , 24
引脚LCC和24针CERPACK 。器件提供
商用和军用温度范围。
功能框图引脚配置
CS
2
CS
1
A3
A2
A1
A0
A5
A6
A7
GND
D0
O0
D1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
D
0
D
1
D
2
D
3
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
数据输入
控制
WE
OE
V CC
A4
WE
CS
1
OE
CS 2
O3
D3
O2
D2
O1
NC
32 X 32
ARRAY
ROW
解码器
检测放大器
O
0
O
1
O
2
O
3
A3
A2
A1
A0
A5
A6
A7
GND
D0
O0
D1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
V CC
A4
WE
CS
1
OE
CS 2
O3
D3
O2
D2
O1
指数
A1 A2 A3 A4 VCC我们
3
2
1
24
23
22
21
20
19
18
17
10
D0
11
O0
12
13
14
16
15
A
0
4
5
6
7
8
9
CS1
OE
CS2
NC
O3
D3
A5
NC
A6
A7
GND
D1 O1
D 2 O 2
COLUMN
解码器
SOIC ( S4 )
顶视图
DIP ( P3-1 , D3-1 )
顶视图
LCC (L4)的
顶视图
意味着质量,服务和速度
1Q97
7
P93U422
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
(高达7.0V )
工作温度
价值
- 0.5至+7
= 0.5
V
CC
+0.5
- 55 + 125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
V
°C
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
直流输出电流
价值
- 55 + 125
- 65 + 150
20
单位
°C
°C
mA
V
TERM
T
A
推荐工作条件
GRADE
(2)
广告
军事
环境温度
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
±10%
5.0V
±10%
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ,T
A
= 25 ° C,F = 1.0MHz的)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IL
I
IH
I
SC
I
CC
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入低电平电流
输入高电流
输出短路电流
(3)
V
IN
= 0.40 V
V
CC
=最大,V
IN
= 4.5V
V
CC
=最大,V
OUT
= 0.0V
所有输入= GND
V
CC
=最大。
I
IN
= -10mA
V
OUT
= 2.4V, V
CC
=最大。
V
OUT
= 0.5V, V
CC
=最大。
–50
T
A
= 125C
T
A
= 75C
T
A
= 0C
T
A
= –55C
V
CL
I
CEX
输入钳位电压
输出漏电流
测试条件
V
CC
=最小,V
IN
= V
IH
或V
IL
, I
OH
= -5.2毫安
V
CC
=最小,V
IN
= V
IH
或V
IL
, I
OL
= 8.0毫安
2.1
0.8
–300
40
–70
70
70
80
90
–1.5
50
V
A
mA
2.4
0.45
P93U422
分钟。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
电源电流
注意事项:
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
超出本规范的业务部门所标明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其
期间可能会影响其可靠性
保证400每线性英尺2.扩展的工作温度
分钟的空气流。
3.用于测试目的,而不是一个以上的输出的时间应短。
短路测试持续时间不应超过30秒。
4.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
8
P93U422
功能说明
一个低电平有效写使能( WE)控制写入/
读存储器的操作。当片选1
( CS
1
)和写使能(WE )是LOW和芯片选择
2 ( CS
2
)为高电平时,数据输入的信息(D
0
到D
3
)写入到被寻址的存储器字
和前提条件的输出电路,使真正的数据是
出现在输出的时候写周期完成。
这个预处理操作确保最低写入
恢复时间,消除了“写恢复故障”。
阅读与芯片SELCT之一执行( CS
1
)低,芯片
选择两个( CS
2
)高,写使能( WE)和高
输出使能(OE )为低电平。存储在所述信息
寻址的字被读出的同相输出端
(O
0
到O
3
) 。存储器的输出去的
不活动的高阻抗状态时的片选1
( CS
1
)为高,或写操作时,写入时
使能(WE )是低电压。
真值表
模式
待机
待机
D
OUT
残
读
写
CS
2
CS
1
L
X
H
H
H
X
H
L
L
L
WE
X
X
X
H
L
OE
X
X
H
L
X
产量
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
H = HIGH
L =低
X =不关心
高Z =隐含输出被禁用或关闭。这
条件定义为高阻抗状态
为P93U422 。
注意事项:
开关特性( 5,6 )
在整个工作范围(商业和军事)
参数
t
PLH(A)(7)
t
PLH(A)(7)
t
PZH
( CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PZL
( CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PZH
(WE)
(8)
t
PZL
(WE)
(8)
t
PZH
( OE)的
(8)
t
PZL
( OE)的
(8)
描述
延迟从地址到输出(地址访问时间)(参见图2 )
延迟从片选到输出有效和正确的数据(参见图2 )
从写入延迟启用至输出有效和正确的数据(写恢复)
(参见图1)
从输出延迟启用到输出有效和正确的数据(参见图2 )
建立时间地址(之前写的启动)(参见图1 )
保持时间地址(写入终止后)(参见图1 )
建立时间数据输入(之前写的启动)(参见图1 )
保持时间数据输入(终端写入后)(参见图1 )
建立时间芯片选择(之前写的启动)(参见图1 )
保持时间片选(写终止后)(参见图1 )
最小写使能脉冲宽度(基础确保写入) (参见图1)的
延迟从芯片选择到未激活输出(高Z) (参见图2 )
从写使能为无效输出(高阻)延迟(参见图1 )
从输出延迟启用以未激活输出(高Z) (参见图2 )
P93U422
分钟。马克斯。
35
25
25
25
5
5
5
5
5
5
20
30
30
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
S
(A)
t
h
(A)
t
S
( DI)的
t
h
( DI)的
t
S
( CS
1,
CS
2
)
t
h
( CS
1,
CS
2
)
t
pw
(
WE
)
t
PHZ
( CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PLZ
( CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PHZ
(WE)
(8)
t
PLZ
(WE)
(8)
t
PHZ
( OE)的
(8)
t
PLZ
( OE)的
(8)
9
P93U422
注意事项:
5 )试验条件承担10纳秒或更少的信号转换时间。
6 )扩展的工作温度保证有400元的气流分钟直线英尺。
7) t
PLH ( A)
和T
百利保( A)
带S进行测试
1
封闭和C
L
= 15 pF的具有输入和输出的定时参考1.5V
8) t
PZH
( WE) ,T
PZH
( CS
1
, CS
2
)和叔
PZH
( OE)的测量带S
1
打开,C
L
= 15 pF和具有输入和输出定时
引用到1.5V 。吨
PZL
( WE) ,T
PZL
( CS
1
, CS
2
)和叔
PZL
( OE)的测量带S
1
封闭,C
L
= 15pF的并同时与输入端和
输出时序参考1.5V 。
t
PHZ
( WE) ,T
PHZ
( CS
1
, CS
2
)和叔
PHZ
( OE)的测量带S
1
打开,C
L
< 5pF的,并且在1.5V电平之间测量
在输入至V
OH
在输出-500mV电平。
t
PLZ
( WE) ,T
PLZ
( CS
1
, CS
2
)和叔
PLZ
( OE)的测量带S
1
封闭,C
L
< 5pF的,并且在1.5V电平之间测量
在输入至V
OL
在输出+ 500mV的电平。
10
P93U422
HIGH SPEED 256 ×4
静态CMOS RAM
特点
环球256 ×4的静态RAM
一个部分,则P93U422 ,替换以下
双极型和CMOS器件:
– 93422, 93422A
- 93L422 , 93L422A
快速访问时间 - 35 ns的商业和
军事
提供以下套餐:
- PDIP , CERDIP ,侧面钎焊DIP
- CERPACK
- LCC
- SOIC
CMOS的低功耗
- 440毫瓦(商业)
- 495毫瓦(军事)
5V电源±10%为商业
和军用温度范围
独立的I / O
全静态操作与平等准入,
周期时间
抗单粒子翻转和闭锁
由于先进的工艺和设计
改进
描述
该P93U422是一个1024位的高速与静态RAM
256 ×4的组织。该P93U422是一个普遍的
设备设计,更换整个93和93L 256×
4静态RAM的家庭。内存不需要时钟
或清新,有平等的机会和循环时间。
输入和输出完全TTL兼容。手术
从单5伏电源。易内存扩展
由低电平有效的芯片选择1 (CS提供
1
)和
高电平有效的片选2 ( CS
2
),以及三态
输出。
除了高性能,该设备设有闩
了保护,单个事件和不安的保护。该
P93U422提供几种封装:22引脚400密耳
DIP (塑料和陶瓷) , 24引脚300密耳SOIC , 24引脚
方LCC和24引脚CERPACK 。器件提供
在商业和军用温度范围。
功能框图
销刀豆网络gurations
SOIC ( S4 )
CERPACK ( F3 )
DIP ( P3-1 , C3-1 , D3-1 )
LCC (L4)的
文档#
SRAM102
REV A
1
修订后的2005年10月
P93U422
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
(高达7.0V )
工作温度
价值
- 0.5至+7
= 0.5
V
CC
+0.5
- 55 + 125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
直流输出电流
价值
- 55 + 125
- 65 + 150
20
单位
°C
°C
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作条件
GRADE
(2)
广告
军事
环境温度
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V ±10%
5.0V ±10%
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ,T
A
= 25 ° C,F = 1.0MHz的)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IL
I
IH
I
SC
I
CC
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入低电平电流
输入高电流
输出短路电流
(3)
电源电流
V
IN
= 0.40 V
V
CC
=最大,V
IN
= 4.5V
V
CC
=最大,V
OUT
= 0.0V
所有输入= GND
V
CC
=最大。
I
IN
= -10mA
V
OUT
= 2.4V, V
CC
=最大。
V
OUT
= 0.5V, V
CC
=最大。
–50
T
A
= 125°C
T
A
= 75°C
T
A
= 0°C
T
A
= –55°C
V
CL
I
CEX
输入钳位电压
输出漏电流
测试条件
V
CC
=最小,V
IN
= V
IH
或V
IL
, I
OH
= -5.2毫安
V
CC
=最小,V
IN
= V
IH
或V
IL
, I
OL
= 8.0毫安
2.1
0.8
–300
40
–70
70
70
80
90
–1.5
50
V
A
mA
2.4
0.45
P93U422
分钟。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
注意事项:
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作
与本规范的业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
可能会影响其可靠性
保证400每分钟直线英尺2.扩展的工作温度
的空气流动。
3.用于测试目的,而不是一个以上的输出的时间应短。短
电路测试时间不应超过30秒。
4.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
文档#
SRAM102
REV A
第10 2
P93U422
功能说明
一个低电平有效写使能( WE)控制写入/
读存储器的操作。当片选1
( CS
1
)和写使能(WE )是低电平,芯片选择2
( CS
2
)为高电平时,数据输入的信息(D
0
通过
D
3
)写入到被寻址的存储器字和
前提条件输出电路,使真正的数据是
出现在输出的时候写周期完成。
这个预处理操作确保最低写入
恢复时间,消除了“写恢复故障”。
阅读与芯片SELCT之一执行( CS
1
)低,芯片
选择两个( CS
2
)高,写使能( WE)和高
输出使能(OE )为低电平。存储在所述信息
寻址的字被读出的同相输出端
(O
0
到O
3
) 。存储器的输出去的
不活动的高阻抗状态时的片选1
( CS
1
)为高,或写操作时,写入时
使能(WE )是低电压。
真值表
模式
待机
待机
D
OUT
残
读
写
CS
2
L
X
H
H
H
CS
1
X
H
L
L
L
WE
X
X
X
H
L
OE
X
X
H
L
X
产量
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
H = HIGH
L =低
X =不关心
高Z =隐含输出被禁用或关闭。这
条件定义为高阻抗状态
为P93U422 。
注意事项:
开关特性( 5,6 )
在整个工作范围(商业和军事)
参数
t
PLH(A)(7)
t
PLH(A)(7)
t
PZH
( CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PZL
( CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PZH
(WE)
(8)
t
PZL
(WE)
(8)
t
PZH
( OE)的
(8)
t
PZL
( OE)的
(8)
描述
延迟从地址到输出(地址访问时间)(参见图2 )
延迟从片选到输出有效和正确的数据(参见图2 )
从写入延迟启用至输出有效和正确的数据(写恢复)
(参见图1)
从输出延迟启用到输出有效和正确的数据(参见图2 )
建立时间地址(之前写的启动)(参见图1 )
保持时间地址(写入终止后)(参见图1 )
建立时间数据输入(之前写的启动)(参见图1 )
保持时间数据输入(终端写入后)(参见图1 )
建立时间芯片选择(之前写的启动)(参见图1 )
保持时间片选(写终止后)(参见图1 )
最小写使能脉冲宽度(基础确保写入) (参见图1)的
延迟从芯片选择到未激活输出(高Z) (参见图2 )
从写使能为无效输出(高阻)延迟(参见图1 )
从输出延迟启用以未激活输出(高Z) (参见图2 )
P93U422
分钟。马克斯。
35
25
25
25
5
5
5
5
5
5
20
30
30
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
S
(A)
t
h
(A)
t
S
( DI)的
t
h
( DI)的
t
S
( CS
1,
CS
2
)
t
h
( CS
1,
CS
2
)
t
pw
(
WE
)
t
PHZ
( CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PLZ
( CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PHZ
(WE)
(8)
t
PLZ
(WE)
(8)
t
PHZ
( OE)的
(8)
t
PLZ
( OE)的
(8)
文档#
SRAM102
REV A
第10 3
P93U422
注意事项:
5 )试验条件承担10纳秒或更少的信号转换时间。
6 )扩展的工作温度保证有400元的气流分钟直线英尺。
7) t
PLH ( A)
和T
百利保( A)
带S进行测试
1
封闭和C
L
= 15 pF的具有输入和输出的定时参考1.5V
8) t
PZH
( WE) ,T
PZH
( CS
1
, CS
2
)和叔
PZH
( OE)的测量带S
1
打开,C
L
= 15 pF和具有输入和输出定时
引用到1.5V 。吨
PZL
( WE) ,T
PZL
( CS
1
, CS
2
)和叔
PZL
( OE)的测量带S
1
封闭,C
L
= 15pF的并同时与输入端和
输出时序参考1.5V 。
t
PHZ
( WE) ,T
PHZ
( CS
1
, CS
2
)和叔
PHZ
( OE)的测量带S
1
打开,C
L
< 5pF的,并且在1.5V电平之间测量
输入至V
OH
在输出-500mV电平。
t
PLZ
( WE) ,T
PLZ
( CS
1
, CS
2
)和叔
PLZ
( OE)的测量带S
1
封闭,C
L
< 5pF的,并且在1.5V电平之间测量
输入至V
OL
在输出+ 500mV的电平。
对
对
切换测试
测试电路( 7,8)
文档#
SRAM102
REV A
第10 4