P93U422
HIGH SPEED 256 ×4
静态CMOS RAM
特点
环球256 ×4的静态RAM
一个部分，则P93U422 ，替换以下
双极型和CMOS器件：
– 93422, 93422A
- 93L422 ， 93L422A
快速访问时间 - 35 ns的商业和
军事
提供以下套餐：
- PDIP ， CERDIP ，侧面钎焊DIP
- CERPACK
- LCC
- SOIC
CMOS的低功耗
- 440毫瓦（商业）
- 495毫瓦（军事）
5V电源±10％为商业
和军用温度范围
独立的I / O
全静态操作与平等准入，
周期时间
抗单粒子翻转和闭锁
由于先进的工艺和设计
改进
描述
该P93U422是一个1024位的高速与静态RAM
256 ×4的组织。该P93U422是一个普遍的
设备设计，更换整个93和93L 256×
4静态RAM的家庭。内存不需要时钟
或清新，有平等的机会和循环时间。
输入和输出完全TTL兼容。手术
从单5伏电源。易内存扩展
由低电平有效的芯片选择1 （CS提供
1
）和
高电平有效的片选2 （ CS
2
），以及三态
输出。
除了高性能，该设备设有闩
了保护，单个事件和不安的保护。该
P93U422提供几种封装：22引脚400密耳
DIP （塑料和陶瓷） ， 24引脚300密耳SOIC ， 24引脚
方LCC和24引脚CERPACK 。器件提供
在商业和军用温度范围。
功能框图
销刀豆网络gurations
SOIC （ S4 ）
CERPACK （ F3 ）
DIP （ P3-1 ， C3-1 ， D3-1 ）
LCC （L4）的
文档＃
SRAM102
REV A
1
修订后的2005年10月
P93U422
最大额定值
(1)
符号
V
CC
参数
电源引脚与
对于GND
与端电压
对于GND
（高达7.0V ）
工作温度
价值
- 0.5至+7
= 0.5
V
CC
+0.5
- 55 + 125
单位
V
符号
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
参数
高温下
BIAS
储存温度
直流输出电流
价值
- 55 + 125
- 65 + 150
20
单位
°C
°C
mA
V
TERM
T
A
V
°C
推荐工作条件
GRADE
(2)
广告
军事
环境温度
0 ° C至70℃
-55 ° C至125°C
GND
0V
0V
VCC
5.0V ±10%
5.0V ±10%
电容
(4)
(V
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
典型的条件。单位
V
IN
= 0V
5
7
pF
pF
输出电容V
OUT
= 0V
DC电气特性
在推荐运行温度和电源电压
(2)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IL
I
IH
I
SC
I
CC
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电平
输入低电平
输入低电平电流
输入高电流
输出短路电流
(3)
电源电流
V
IN
= 0.40 V
V
CC
=最大，V
IN
= 4.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
所有输入= GND
V
CC
=最大。
I
IN
= -10mA
V
OUT
= 2.4V, V
CC
=最大。
V
OUT
= 0.5V, V
CC
=最大。
–50
T
A
= 125°C
T
A
= 75°C
T
A
= 0°C
T
A
= –55°C
V
CL
I
CEX
输入钳位电压
输出漏电流
测试条件
V
CC
=最小，V
IN
= V
IH
或V
IL
, I
OH
= -5.2毫安
V
CC
=最小，V
IN
= V
IH
或V
IL
, I
OL
= 8.0毫安
2.1
0.8
–300
40
–70
70
70
80
90
–1.5
50
V
A
mA
2.4
0.45
P93U422
分钟。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
注意事项：
1.强调大于下最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作
与本规范的业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
可能会影响其可靠性
保证400每分钟直线英尺2.扩展的工作温度
的空气流动。
3.用于测试目的，而不是一个以上的输出的时间应短。短
电路测试时间不应超过30秒。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
文档＃
SRAM102
REV A
第10 2
P93U422
功能说明
一个低电平有效写使能（ WE）控制写入/
读存储器的操作。当片选1
（ CS
1
）和写使能（WE ）是低电平，芯片选择2
（ CS
2
）为高电平时，数据输入的信息（D
0
通过
D
3
）写入到被寻址的存储器字和
前提条件输出电路，使真正的数据是
出现在输出的时候写周期完成。
这个预处理操作确保最低写入
恢复时间，消除了“写恢复故障”。
阅读与芯片SELCT之一执行（ CS
1
）低，芯片
选择两个（ CS
2
）高，写使能（ WE）和高
输出使能（OE ）为低电平。存储在所述信息
寻址的字被读出的同相输出端
(O
0
到O
3
） 。存储器的输出去的
不活动的高阻抗状态时的片选1
（ CS
1
）为高，或写操作时，写入时
使能（WE ）是低电压。
真值表
模式
待机
待机
D
OUT
残
读
写
CS
2
L
X
H
H
H
CS
1
X
H
L
L
L
WE
X
X
X
H
L
OE
X
X
H
L
X
产量
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
H = HIGH
L =低
X =不关心
高Z =隐含输出被禁用或关闭。这
条件定义为高阻抗状态
为P93U422 。
注意事项：
开关特性（ 5,6 ）
在整个工作范围（商业和军事）
参数
t
PLH(A)(7)
t
PLH(A)(7)
t
PZH
（ CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PZL
（ CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PZH
（WE）
(8)
t
PZL
（WE）
(8)
t
PZH
（ OE）的
(8)
t
PZL
（ OE）的
(8)
描述
延迟从地址到输出（地址访问时间）（参见图2 ）
延迟从片选到输出有效和正确的数据（参见图2 ）
从写入延迟启用至输出有效和正确的数据（写恢复）
（参见图1）
从输出延迟启用到输出有效和正确的数据（参见图2 ）
建立时间地址（之前写的启动）（参见图1 ）
保持时间地址（写入终止后）（参见图1 ）
建立时间数据输入（之前写的启动）（参见图1 ）
保持时间数据输入（终端写入后）（参见图1 ）
建立时间芯片选择（之前写的启动）（参见图1 ）
保持时间片选（写终止后）（参见图1 ）
最小写使能脉冲宽度（基础确保写入） （参见图1）的
延迟从芯片选择到未激活输出（高Z） （参见图2 ）
从写使能为无效输出（高阻）延迟（参见图1 ）
从输出延迟启用以未激活输出（高Z） （参见图2 ）
P93U422
分钟。马克斯。
35
25
25
25
5
5
5
5
5
5
20
30
30
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
S
(A)
t
h
(A)
t
S
（ DI）的
t
h
（ DI）的
t
S
（ CS
1,
CS
2
)
t
h
（ CS
1,
CS
2
)
t
pw
(
WE
)
t
PHZ
（ CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PLZ
（ CS
1,
CS
2
)
(8)
t
PHZ
（WE）
(8)
t
PLZ
（WE）
(8)
t
PHZ
（ OE）的
(8)
t
PLZ
（ OE）的
(8)
文档＃
SRAM102
REV A
第10 3
P93U422
注意事项：
5 ）试验条件承担10纳秒或更少的信号转换时间。
6 ）扩展的工作温度保证有400元的气流分钟直线英尺。
7) t
PLH （ A）
和T
百利保（ A）
带S进行测试
1
封闭和C
L
= 15 pF的具有输入和输出的定时参考1.5V
8) t
PZH
（ WE） ，T
PZH
（ CS
1
， CS
2
）和叔
PZH
（ OE）的测量带S
1
打开，C
L
= 15 pF和具有输入和输出定时
引用到1.5V 。吨
PZL
（ WE） ，T
PZL
（ CS
1
， CS
2
）和叔
PZL
（ OE）的测量带S
1
封闭，C
L
= 15pF的并同时与输入端和
输出时序参考1.5V 。
t
PHZ
（ WE） ，T
PHZ
（ CS
1
， CS
2
）和叔
PHZ
（ OE）的测量带S
1
打开，C
L
< 5pF的，并且在1.5V电平之间测量
输入至V
OH
在输出-500mV电平。
t
PLZ
（ WE） ，T
PLZ
（ CS
1
， CS
2
）和叔
PLZ
（ OE）的测量带S
1
封闭，C
L
< 5pF的，并且在1.5V电平之间测量
输入至V
OL
在输出+ 500mV的电平。
对
对
切换测试
测试电路（ 7,8）
文档＃
SRAM102
REV A
第10 4
QQ：2881677436 复制
