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NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管（初步）
P8503BMG
SOT-23
无铅
D
产品概述
V
（ BR ） DSS
25
R
DS （ ON）
85mΩ
I
D
3A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值（T
C
= 25
°C
除非另有说明）
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
工作结&存储温度范围
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒。 ）
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
1
2
符号
V
GS
范围
±20
3
2
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
A
20
0.6
0.5
-55到150
275
°C
W
符号
R
θJC
R
θJA
典型
最大
65
230
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1%
电气特性（T
C
= 25
°C,
除非另有说明）
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
漏源导通电阻
1
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 1.5A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3A
3
70
48
115
85
25
0.8
1.2
2.5
±100
1
10
A
mΩ
nA
A
V
范围
单位
最小典型最大
1
Nov-03-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管（初步）
P8503BMG
SOT-23
无铅
正向跨导
1
g
fs
V
DS
= 15V ，我
D
= 3A
动态
16
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
2
栅极 - 漏极电荷
2
导通延迟时间
2
上升时间
2
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25
°C)
V
DS
= 15V ，R
L
= 1Ω
I
D
3A ，V
GS
= 10V ，R
GS
= 2.5Ω
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 3A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
450
200
60
15
2.0
7.0
6.0
6.0
20
5.0
nS
nC
pF
连续电流
脉冲电流
3
正向电压
1
1
2
I
S
I
SM
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
2.3
4.6
1.5
A
V
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注：标有“ 10YWW ” ，日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXXG部分的名称放在
2
Nov-03-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管（初步）
P8503BMG
SOT-23
无铅
SOT- 23 （ M3 ）机械数据
mm
维
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
0.85
2.4
1.4
2.7
1
0
0.35
1.6
2.9
1.1
典型值。
马克斯。
1.15
3
1.8
3.1
1.3
0.1
0.5
H
I
J
K
L
M
N
维
分钟。
0.1
0.37
典型值。
0.15
马克斯。
0.25
mm
H
2
C
1
A
3
B
I
D
E
G
F
3
Nov-03-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管（初步）
P8503BMG
SOT-23
无铅
D
产品概述
V
（ BR ） DSS
25
R
DS （ ON）
85mΩ
I
D
3A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值（T
C
= 25
°C
除非另有说明）
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
工作结&存储温度范围
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒。 ）
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
1
2
符号
V
GS
范围
±20
3
2
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
A
20
0.6
0.5
-55到150
275
°C
W
符号
R
θJC
R
θJA
典型
最大
65
230
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1%
电气特性（T
C
= 25
°C,
除非另有说明）
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
漏源导通电阻
1
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 1.5A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3A
3
70
48
115
85
25
0.8
1.2
2.5
±100
1
10
A
mΩ
nA
A
V
范围
单位
最小典型最大
1
Nov-03-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管（初步）
P8503BMG
SOT-23
无铅
正向跨导
1
g
fs
V
DS
= 15V ，我
D
= 3A
动态
16
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
2
栅极 - 漏极电荷
2
导通延迟时间
2
上升时间
2
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25
°C)
V
DS
= 15V ，R
L
= 1Ω
I
D
3A ，V
GS
= 10V ，R
GS
= 2.5Ω
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 3A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
450
200
60
15
2.0
7.0
6.0
6.0
20
5.0
nS
nC
pF
连续电流
脉冲电流
3
正向电压
1
1
2
I
S
I
SM
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
2.3
4.6
1.5
A
V
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注：标有“ 10YWW ” ，日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXXG部分的名称放在
2
Nov-03-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管（初步）
P8503BMG
SOT-23
无铅
SOT- 23 （ M3 ）机械数据
mm
维
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
0.85
2.4
1.4
2.7
1
0
0.35
1.6
2.9
1.1
典型值。
马克斯。
1.15
3
1.8
3.1
1.3
0.1
0.5
H
I
J
K
L
M
N
维
分钟。
0.1
0.37
典型值。
0.15
马克斯。
0.25
mm
H
2
C
1
A
3
B
I
D
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G
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3
Nov-03-2004
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