飞利浦半导体
产品speci fi cation
CMOS单芯片8位微控制器
带有片上EEPROM
80C851/83C851
描述
飞利浦80C851 / 83C851是
高性能的微控制器制造
飞利浦高密度CMOS技术。
在80C851 / 83C851具有相同的
指令设定为8051 。飞利浦
CMOS技术相结合的高速
和HMOS与密度特性
CMOS的低功耗特性。飞利浦
外延衬底减少闩锁
敏感性。
在80C851 / 83C851包含4K
×
8 ROM
与掩膜可编程ROM代码
保护中，128
×
8 RAM ， 256
×
8
EEPROM ， 32个I / O口线， 2个16位
计数器/定时器，一个七源，五载体，
两个优先级嵌套中断结构，
对于任一多处理器的串行I / O端口
通讯， I / O扩展或全双工
UART和片上振荡器和时钟
电路。
此外， 80C851 / 83C851有两个
电力软件可选模式
还原 - 空闲模式和掉电
模式。在空闲模式下冻结CPU而
允许RAM ，定时器，串行口，并
中断系统继续工作。该
掉电模式保存RAM和
EEPROM中的内容，但冻结振荡器，
导致所有其他芯片功能是
不工作。
特点
基于80C51架构
–
4k
×
8 ROM
–
128
×
8 RAM
–
2个16位计数器/定时器
–
全双工串行通道
–
布尔处理器
非易失256
×
8位EEPROM
（电可擦除可编程的读
只读存储器）
–
片上进行擦除/写入电压倍增器
–
每字节万次擦/写
–
10年非易失数据保持
–
读周期的无限多
–
用户可选择安全模式
–
块擦除功能
掩膜可编程ROM代码保护
内存寻址能力
–
64K的ROM和64K RAM
功率控制模式：
–
空闲模式
–
掉电模式
CMOS和TTL兼容
1.2到16MHz或3.5 24MHz的
三种封装类型
三种温度范围
ROM代码保护
订购信息
飞利浦
订货号
最热
无ROM
VERSION
P80C851 FBP
P80C851 IBP
P80C851 FBA
P80C851 IBA
P80C851 FBB
P80C851 IBB
P80C851 FFP
P80C851 FFA
P80C851 FFB
P80C851 FHP
P80C851 FHA
P80C851 FHB
ROM版本
P83C851 FBP
P83C851 IBP
P83C851 FBA
P83C851 IBA
P83C851 FBB
P83C851 IBB
P83C851 FFP
P83C851 FFA
P83C851 FFB
P83C851 FHP
P83C851 FHA
P83C851 FHB
S80C851-5N40
S80C851-5A44
S80C851-5B44
S80C851-6N40
S80C851-6A44
S80C851-6B44
S83C851-5N40
S83C851-5A44
S83C851-5B44
S83C851-6N40
S83C851-6A44
S83C851-6B44
S80C851-4B44
S83C851-4B44
S80C851-4A44
S83C851-4A44
北美PHILIPS
订货号
无ROM
VERSION
S80C851-4N40
ROM版本
S83C851-4N40
温度范围
°
C
和包装
0到+70 ，塑料双列直插封装
0到+70 ，塑料双列直插封装
0到+70 ，塑料有引线芯片载体
0到+70 ，塑料有引线芯片载体
0到+70 ，塑料方形扁平封装
0到+70 ，塑料方形扁平封装
-40到+85 ，塑料双列直插封装
-40到+85 ，塑料有引线芯片载体
-40到+85 ，塑料方形扁平封装
-40到+125 ，塑料双列直插封装
-40到+125 ，塑料有引线芯片载体
-40到+125 ，塑料方形扁平封装
频率。
（兆赫）
1.2 16
3.5 24
1.2 16
3.5 24
1.2 16
3.5 24
1.2 16
1.2 16
1.2 16
1.2 16
1.2 16
1.2 16
制图
数
SOT129-1
SOT129-1
SOT187-1
SOT187-1
SOT307-2
SOT307-2
SOT129-1
SOT187-1
SOT307-2
SOT129-1
SOT187-1
SOT307-2
1998年7月3日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
CMOS单芯片8位微控制器
带有片上EEPROM
80C851/83C851
引脚说明
PIN号
助记符
V
SS
V
DD
P0.0–0.7
DIP
20
40
39–32
LCC
22
44
43–36
QFP
16, 39
38
37–30
TYPE
I
I
I / O
地面：
0V参考。
电源：
这是在电源电压为正常，空闲和掉电
操作。
端口0 ：
端口0是一个开漏双向I / O口。 P0口具有1秒写入
这些浮动，可作为高阻抗输入。端口0也是多路复用
低位地址和数据总线在访问外部程序和数据存储器。
在这种应用中，它使用强大的内部上拉发送1 。
端口1 ：
端口1是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P1口有
1秒写入它们的拉高由内部上拉电阻，可以用来作为输入。如
输入端口1引脚被外部电路拉的，因为低时将输出电流
内部上拉电阻。 （见DC电气特性：我
IL
).
端口2 ：
端口2是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P2口有
1秒写入它们的拉高由内部上拉电阻，可以用来作为输入。如
输入端口2引脚被外部拉低，因为低时将输出电流
内部上拉电阻。 （见DC电气特性：我
IL
） 。端口2发出的高位
在从外部程序存储器取指期间访问地址字节
使用16位地址（ MOVX @ DPTR ）外部数据存储器。在本申请中，它
使用强大的内部上拉发送1 。在外部数据存储器访问
即使用8位地址（MOV @Ri ），端口2发出的P2的特殊功能的内容
注册。
端口3 ：
端口3是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P3口有
1秒写入它们的拉高由内部上拉电阻，可以用来作为输入。如
输入端口3引脚被外部拉低，因为低时将输出电流
引体向上。 （见DC电气特性：我
IL
） 。端口3还提供了特殊功能
该SC80C51家族的，如下面所示：
RXD（ P3.0 ） ：
串行输入端口
的TxD （ P3.1 ） ：
串行输出端口
INT0 （ P3.2 ） ：
外部中断
INT1 （ P3.3 ） ：
外部中断
T0 （ P3.4 ） ：
定时器0外部输入
T1 （ P3.5 ） ：
定时器1外部输入
WR （ P3.6 ） ：
外部数据存储器写选通
RD （ P3.7 ） ：
外部数据存储器读选通
RESET ：
高该引脚上的晶振工作时两个机器周期，复位
装置。内部扩散电阻到V
SS
允许仅使用一个上电复位
外部电容V
DD
.
地址锁存使能：
输出脉冲的过程中锁存地址的低字节
访问外部存储器。在正常操作中， ALE在1/6以恒定速率发射
振荡器的频率，并且可以用于外部定时或时钟。需要注意的是1
在每次访问外部数据存储器ALE脉冲被跳过。
程序存储使能：
读选通外部程序存储器。当该装置
从外部程序存储器执行代码时， PSEN被激活两次，每次
机器周期，所不同的是2的PSEN激活在每次访问都被跳过
外部数据存储器。 PSEN过程中从内部程序取未激活
内存。
外部访问允许：
如果复位期间， EA保持在TTL，级别高的CPU
执行了内部程序存储器ROM中提供的程序计数器少
比4096如果复位期间， EA正在举办一个TTL低电平， CPU执行出来的
外部程序存储器。 EA是不允许浮动。
晶体1 ：
输入到振荡器反相放大器器并输入到内部时钟
发生器电路。
水晶2 ：
输出振荡器反相放大器器。
名称和功能
P1.0–P1.7
1–8
2–9
40–44,
1–3
I / O
P2.0–P2.7
21–28
24–31
18–25
I / O
P3.0–P3.7
10–17
11,
13–19
5,
7–13
I / O
10
11
12
13
14
15
16
17
RST
9
11
13
14
15
16
17
18
19
10
5
7
8
9
10
11
12
13
4
I
O
I
I
I
I
O
O
I
ALE
30
33
27
I / O
PSEN
29
32
26
O
EA
31
35
29
I
XTAL1
XTAL2
19
18
21
20
15
14
I
O
1998年7月3日
5
QQ：2880707522 复制
