STP80NF12
N沟道120V - 0.013Ω - 80A - TO- 220
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP80NF12
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
120V
R
DS （ ON）
<0.018
I
D
80A
(1)
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用的表征
TO-220
3
1
2
描述
该MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET进程
专门设计以减少输入
电容和栅极电荷。因此，它是
适合作为先进的高初级开关
效率，高频隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机
应用程序。它也适用于任何
应用具有低栅极驱动要求。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP80NF12
记号
P80NF12
包
TO-220
包装
管
2007年1月
转4
1/12
www.st.com
12
目录
STP80NF12
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STP80NF12
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D (1)
I
D
I
DM(3)
P
合计
dv / dt的
(4)
V
ISO
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
价值
参数
STB_P_W80NF12 STP80NF12FP
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20K)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
--
-55至175
80
60
320
300
2.0
10
2500
120
120
± 22
11
(2)
60
(2)
320
(2)
45
0.3
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
单位
1.限制由包
2.有限只能由最高允许温度
3.脉冲宽度有限的安全工作区
4.
起始物为
J
= 25
o
C，我
D
= 40A ，V
DD
= 45V
表2中。
热数据
价值
符号
参数
TO-247
D
2
PAK
TO-220
0.5
62.5
300
单位
TO-220FP
3.33
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
R
thJC
R
thJA
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.5
50
300
3/12
电气特性
STP80NF12
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
2
0.013
0.018
分钟。
120
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 40A
分钟。
典型值。
80
4300
600
230
140
23
51
189
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 80V ，我
D
= 80A
V
GS
=10V
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50 V，I
D
= 40A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
图13第8页
分钟。
典型值。
40
145
134
115
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
4/12
STP80NF12
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
=0
I
SD
=80A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 35V ，T
J
= 150°C
155
0.85
11
测试条件
分钟。
典型值。
最大
80
320
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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