飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压8位微控制器
UART
1
特点
2
全静态80C51中央处理单元
8位的CPU ， ROM ， RAM ， I / O的40引脚DIP ，
40引脚VSO或44引脚QFP封装
128字节片内RAM数据存储器
4 KB片上ROM程序存储器P80CL51
外部存储器最大可扩充至128千字节： RAM起来
64个字节的ROM和多达64个字节
4个8位端口; 32个I / O口线
两个16位定时器/计数器
片上振荡器适用于RC， LC ，石英晶体或
陶瓷谐振器
十三源， 13向量中断嵌套
结构有两个优先级
全双工串行口（ UART ）
增强的架构：
- 非页的指令
- 直接寻址
- 4个8字节的RAM寄存器组
- 仅受可用内部RAM堆栈深度限制
（最多128个字节）
- 乘，除，加减和比较指令
通过掉电降低功耗和
空闲模式
通过在端口1个外部中断唤醒
频率范围： 0 16兆赫（ P80C51 ： 3.5兆赫分钟）
电源电压： 1.8 6.0 V（ P80C51 ： 5.0 V
±10%)
极低的电流消耗
工作环境温度范围：
40
+85
°C.
3
应用
P80CL31 ; P80CL51
概述
该P80CL31 ; P80CL51 （以下一般简称
作为P80CLx1 ）在先进的CMOS制造
技术。该P80CLx1具有相同的指令集
在80C51 ，包括超过100的指令：
49 1个字节， 46两字节和16三字节。该装置
在较大的范围内的电源电压，并具有低
功耗;有两种软件可选
模式降低功耗：空闲和掉电。
对于仿真的目的， （背负式的P85CL000
版） ，256字节RAM ，推荐。
本数据手册详细介绍的特定属性
P80CL31 ; P80CL51 。对于80C51内核的详细信息，请参阅
“数据手册IC20 ” 。
2.1
版本： P80CL31和P80C51
该P80CL31是无ROM版本P80CL51的。
在P80CL31掩模选项固定如下：
所有端口都具有选项“ 1S ” （标准，复位后高）
振荡器选项：振荡器3
上电复位选项：关闭。
该P80C51是的限制电压范围版本
P80CL51 。工作电压为5.0 V
±10%.
该P80CLx1特别适用于实时应用
如仪器仪表，工业控制，智能
计算机外围设备和消费电子产品。
该P80CLx1还充当算术处理器
有二进制和BCD算术设施，加上
位处理能力。
1997年04月15日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压8位微控制器
UART
4
订购信息
类型编号
(1)
无ROM
P80CL31HFP
P80CL31HFT
P80CL31HFH
记
只读存储器
P80CL51HFP
P80CL51HFT
P80CL51HFH
P80C51HFP
P80C51HFT
P80C51HFH
名字
DIP40
包
描述
P80CL31 ; P80CL51
VERSION
SOT129-1
SOT158-1
SOT307-2
SOT129-1
SOT158-1
SOT307-2
塑料双列直插式封装; 40引线（ 600万）
VSO40塑料非常小外形封装; 40引线
QFP44塑料四方扁平的封装; 44导线（导线长度1.3毫米） ;
体10
×
10
×
1.75 mm
DIP40
塑料双列直插式封装; 40引线（ 600万）
VSO40塑料非常小外形封装; 40引线
QFP44塑料四方扁平的封装; 44导线（导线长度1.3毫米） ;
体10
×
10
×
1.75 mm
1.请参阅订购报名表（ OEF ）此设备为全型号，其中包括选项/程序。
1997年04月15日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压的单芯片8位微控制器
80CL31/80CL51
特点
全静态80C51 CPU
8位的CPU ， ROM，RAM 1/0在单个40引脚DIL /迷你包
4K ×8的ROM ，可扩展外部64K字节
128字节RAM ，可扩展外部64K字节
4个8位端口， 321/0线
两个16位定时器/计数器
外部存储器最大可扩充至128K ，外部ROM达
64K和/或RAM高达64K
片上振荡器适用于RC， LC ，石英晶体或陶瓷
谐振器
十三源， 13向量中断结构，两个优先
水平
全双工串行口（ UART ）
增强的架构：
–
非页的指令
–
直接寻址
–
4 8字节的RAM寄存器组
–
堆栈深度可达128个字节
–
乘，除，加减和比较指令
通过在端口1个外部中断唤醒
1.8V的单电源电压为6.0V （ 5.0V
±10%
为P80C51 ）
0 16MHz的频率范围（ 3.5MHz的至16MHz的P80C51 ）
极低的电流消耗
工作温度范围： -40 + 85
o
C
描述
该80CL51是在先进的CMOS技术制造。
该指令集的80CL51的是基于8051中的
80CL51是一个通用微控制器特别适合于
电池供电的应用。该器件具有低的功率
消费和宽电源电压范围。对于仿真
目的， 85CL000 （背驮式版本） ，256字节的RAM
值得推荐。该80CL51有两个软件可选模式
为进一步降低功耗减少活动：空闲和掉电。
该80CL51还充当具有算术处理器
二进制和BCD算术加位处理设施
的能力。该指令集包括超过100说明： 49
一字节， 46两字节和16个3字节。
该P80CL31是无ROM版本P80CL51的。 P80C51是
5V版本低电压P80CL51的。
该P80CL31是无ROM版本P80CL51的。 P80C51是
5V版本低电压P80CL51的。
掉电和IDLE指令
销刀豆网络gurations
INT2/P1.0
INT3/P1.1
INT4/P1.2
INT5/P1.3
INT6/P1.4
INT7/P1.5
INT8/P1.6
INT9/P1.7
RST
1
2
3
4
5
6
7
8
9
塑料
双
IN- LINE
和
小
概要
套餐
40 V
DD
39 P0.0 / AD0
P1.4/INT6
P1.3/INT5
P1.2/INT4
P1.1/INT3
VDD
P0.0/AD0
P0.1/AD1
P0.2/AD2
P0.3/AD3
33
32
31
30
29
塑料四方扁平封装
28
27
26
25
24
23
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
NC
P2.0/A8
V SS
P2.2/A10
P2.3/A11
P2.1/A9
P2.4/A12
P3.6/WR
XTAL2
P3.7/RD
XTAL1
38 P0.1 / AD1
37 P0.2 / AD2
36 P0.3 / AD3
35 P0.4 / AD4
34 P0.5 / AD5
33 P0.6 / AD6
32 P0.7 / AD7
31 EA
30 ALE
29 PSEN
28 P2.7 / A15
27 P2.6 / A14
26 P2.5 / A13
25 P2.4 / A12
24 P2.3 / A11
23 P2.2 / A10
22 P2.1 / A9
21 P2.0 / A8
P1.5/INT7
P1.6/INT8
P1.7/INT9
RST
P3.0/RXD
NC
P3.1/TXD
P3.2/INT0
P3.3/INT1
P3.4/T0
P3.5/T1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
P0.4/AD4
P0.5/AD5
P0.6/AD6
P0.7/AD7
EA
NC
ALE
PSEN
P2.7/A15
P2.6/A14
P2.5/A13
P1.0/INT2
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34
RXD / DATA / P3.0 10
TXD/CLOCK/P3.1
INT0/P3.2
INT1/P3.3
T0/P3.4
T1/P3.5
WR/P3.6
11
12
13
14
15
16
RD / P3.7 17
XTAL2
XTAL1
V
SS
18
19
20
1995年1月
2
NC
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压的单芯片8位微控制器
80CL31/80CL51
订购信息
PHILIPS零件订购
NUMBER最热
无ROM
P80CL31HFP
只读存储器
P80CL51HFP
飞利浦北美
1
订货号
无ROM
P80CL31HFP
只读存储器
P80CL51HFP
温度范围
o
C
和包装
-40到+85 ;
40引脚塑料双列直插封装（ 1.8V至6V ）
-40到+85 ;
40引脚塑料小外形封装（ 1.8V至6V ）
-40到+85 ;
44引脚塑料四方扁平封装（ 1.8V至6V ）
-40到+85 ;
40引脚塑料双列直插封装（ 5.0V
±10%)
-40到+85 ;
40引脚塑料小外形封装（ 5.0V
±10%)
-40到+85 ;
44引脚塑料四方扁平封装（ 5.0V
±10%)
制图
数
SOT129-1
P80CL31HFT
P80CL31HFH
P80CL51HFT
P80CL31HFT
P80CL51HFT
SOT158-1
P80CL51HFH
P80CL31HFH B
P80CL51HFH B
SOT307-2
P80C51HFP
P80C51HFP
SOT129-1
P80C51HFT
P80C51HFT
SOT158-1
P80C51HFH
P80C51HFH B
SOT307-2
注意：
1.零件订购的飞利浦北美零件号将标有飞利浦的部分标记。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压的单芯片8位微控制器
80CL31/80CL51
引脚说明
针
称号
QFP
40
41
42
43
44
1
2
3
4
5–13
DIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10-17
P1.O/INT2
P1.1/lNT3
P1.2/lNT4
P1.3/INT5
P1.4/lNT6
P1.5/lNT7
P1.6/lNT8
P1.7/lNT9
RST
端口1 ：
端口1是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P1口有1秒写入
它们是由内部上拉和在该州拉高为输入的端口1可用于
上拉，
输入。
输出缓冲器可吸收/源4 LS TTL负载作为输入端口1引脚被外部拉低
负载。
输入，
将输出电流（I
lL
中的特征）由于内部上拉。端口1还提供了
上拉
替代功能INT2到INT9 。
INT9
功能
RESET ：
而振荡器运行复位高级别该引脚上出现两个机器周期
装置。
端口3 ：
端口3是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。端口3输出缓冲器可
汇/源4 LS TTL输入。 P3口有写信给他们1秒被拉高
内部上拉跌宕，在这种状态下，可作为输入。作为输入使用时， P3口是外部
拉低时将输出电流（I
lL
中的特征）由于内部上拉起坐。
RXD /数据：
串行端口接收数据输入（异步）或数据输入/输出（同步）
TXD /时钟：
串行口发送数据输出（异步）或时钟输出（同步）
INT0 ：
外部中断0 。
INT1 ：
外部中断1 。
T0:
定时器0外部输入。
T1:
定时器1外部输入。
WR ：
外部数据存储器写选通。
RD ：
外部数据存储器读选通。
晶振输出：
输出振荡器的反相放大器的。悬空时，外部时钟
使用。
晶振输入：
输入到振荡器的信号反相放大器;还输入为外部gen-
erated时钟源。
5
7
8
9
10
11
12
13
14
10
11
12
13
14
15
16
17
18
P3.0/RXD/data
P3.1/TXD/clock
P3.2/lNT0
P3.3/lNT1
P3.4/T0
P3.5/T1
P3.6/WR
P3.7/RD
XTAL2
15
16
18-25
19
20
21-28
XTAL1
VSS
P2.0-P2.7
晶振输入：
输入到振荡器的信号反相放大器;还输入用于从外部
生成的时钟源。
地面：
电路地电位。
端口2 ：
港口2是8位双向1/0端口内部上拉电阻。 P2口有1秒写入
它们被拉高由内部上拉，并在该状态下可以作为输入。端口2
输出缓冲器可吸收/源4 LS TTL负载。
端口2中使用1 6位访问外部存储器发出的高位地址字节AD-
连衣裙（ MOVX @ DPTR ） 。在此应用中发送1使用强大的内部上拉电阻。
期间，使用8位地址（ MOVX @Ri ）访问外部存储器，端口2发出CON组
的P2特殊功能寄存器帐篷。
26
29
PSEN
程序存储使能输出：
读选通外部程序存储器。当执行代码
从外部程序存储器， PSEN被激活两次每个机器周期。然而，在
每次访问外部数据存储器2 PSEN激活被跳过。
地址锁存使能：
输出脉冲用于访问期间锁存地址的低字节
外部存储器。 ALE以的振荡频率的1/6 ，以恒定速率，并且可以是
用于外部定时或时钟的目的。
外部访问：
当EA保持高CPU执行了内部程序存储器（非
少程序计数器超过0FFFH ） 。控股EA LOW迫使出了执行的CPU
外部存储器不管程序计数器的值。
端口0 ：
P0口是一个8位漏极开路双向I / O口。作为一个开漏输出端口，它可吸收8
LS TTL负载。 P0口有写信给他们漂浮1S，并在该状态将作为高
阻抗输入。端口0也是多路复用的低位地址和数据总线的访问过程中
外部存储器。在这种应用中，它使用强大的内部上拉电阻产生逻辑1时。
电源。
27
30
ALE
29
31
EA
30-37
32-39
P0.0-P00.7
38
40
V
DD
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压的单芯片8位微控制器
80CL31/80CL51
特点
全静态80C51 CPU
8位的CPU ， ROM，RAM 1/0在单个40引脚DIL /迷你包
4K ×8的ROM ，可扩展外部64K字节
128字节RAM ，可扩展外部64K字节
4个8位端口， 321/0线
两个16位定时器/计数器
外部存储器最大可扩充至128K ，外部ROM达
64K和/或RAM高达64K
片上振荡器适用于RC， LC ，石英晶体或陶瓷
谐振器
十三源， 13向量中断结构，两个优先
水平
全双工串行口（ UART ）
增强的架构：
–
非页的指令
–
直接寻址
–
4 8字节的RAM寄存器组
–
堆栈深度可达128个字节
–
乘，除，加减和比较指令
通过在端口1个外部中断唤醒
1.8V的单电源电压为6.0V （ 5.0V
±10%
为P80C51 ）
0 16MHz的频率范围（ 3.5MHz的至16MHz的P80C51 ）
极低的电流消耗
工作温度范围： -40 + 85
o
C
描述
该80CL51是在先进的CMOS技术制造。
该指令集的80CL51的是基于8051中的
80CL51是一个通用微控制器特别适合于
电池供电的应用。该器件具有低的功率
消费和宽电源电压范围。对于仿真
目的， 85CL000 （背驮式版本） ，256字节的RAM
值得推荐。该80CL51有两个软件可选模式
为进一步降低功耗减少活动：空闲和掉电。
该80CL51还充当具有算术处理器
二进制和BCD算术加位处理设施
的能力。该指令集包括超过100说明： 49
一字节， 46两字节和16个3字节。
该P80CL31是无ROM版本P80CL51的。 P80C51是
5V版本低电压P80CL51的。
该P80CL31是无ROM版本P80CL51的。 P80C51是
5V版本低电压P80CL51的。
掉电和IDLE指令
销刀豆网络gurations
INT2/P1.0
INT3/P1.1
INT4/P1.2
INT5/P1.3
INT6/P1.4
INT7/P1.5
INT8/P1.6
INT9/P1.7
RST
1
2
3
4
5
6
7
8
9
塑料
双
IN- LINE
和
小
概要
套餐
40 V
DD
39 P0.0 / AD0
P1.4/INT6
P1.3/INT5
P1.2/INT4
P1.1/INT3
VDD
P0.0/AD0
P0.1/AD1
P0.2/AD2
P0.3/AD3
33
32
31
30
29
塑料四方扁平封装
28
27
26
25
24
23
12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
NC
P2.0/A8
V SS
P2.2/A10
P2.3/A11
P2.1/A9
P2.4/A12
P3.6/WR
XTAL2
P3.7/RD
XTAL1
38 P0.1 / AD1
37 P0.2 / AD2
36 P0.3 / AD3
35 P0.4 / AD4
34 P0.5 / AD5
33 P0.6 / AD6
32 P0.7 / AD7
31 EA
30 ALE
29 PSEN
28 P2.7 / A15
27 P2.6 / A14
26 P2.5 / A13
25 P2.4 / A12
24 P2.3 / A11
23 P2.2 / A10
22 P2.1 / A9
21 P2.0 / A8
P1.5/INT7
P1.6/INT8
P1.7/INT9
RST
P3.0/RXD
NC
P3.1/TXD
P3.2/INT0
P3.3/INT1
P3.4/T0
P3.5/T1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
P0.4/AD4
P0.5/AD5
P0.6/AD6
P0.7/AD7
EA
NC
ALE
PSEN
P2.7/A15
P2.6/A14
P2.5/A13
P1.0/INT2
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34
RXD / DATA / P3.0 10
TXD/CLOCK/P3.1
INT0/P3.2
INT1/P3.3
T0/P3.4
T1/P3.5
WR/P3.6
11
12
13
14
15
16
RD / P3.7 17
XTAL2
XTAL1
V
SS
18
19
20
1995年1月
2
NC
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压的单芯片8位微控制器
80CL31/80CL51
订购信息
PHILIPS零件订购
NUMBER最热
无ROM
P80CL31HFP
只读存储器
P80CL51HFP
飞利浦北美
1
订货号
无ROM
P80CL31HFP
只读存储器
P80CL51HFP
温度范围
o
C
和包装
-40到+85 ;
40引脚塑料双列直插封装（ 1.8V至6V ）
-40到+85 ;
40引脚塑料小外形封装（ 1.8V至6V ）
-40到+85 ;
44引脚塑料四方扁平封装（ 1.8V至6V ）
-40到+85 ;
40引脚塑料双列直插封装（ 5.0V
±10%)
-40到+85 ;
40引脚塑料小外形封装（ 5.0V
±10%)
-40到+85 ;
44引脚塑料四方扁平封装（ 5.0V
±10%)
制图
数
SOT129-1
P80CL31HFT
P80CL31HFH
P80CL51HFT
P80CL31HFT
P80CL51HFT
SOT158-1
P80CL51HFH
P80CL31HFH B
P80CL51HFH B
SOT307-2
P80C51HFP
P80C51HFP
SOT129-1
P80C51HFT
P80C51HFT
SOT158-1
P80C51HFH
P80C51HFH B
SOT307-2
注意：
1.零件订购的飞利浦北美零件号将标有飞利浦的部分标记。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电压的单芯片8位微控制器
80CL31/80CL51
引脚说明
针
称号
QFP
40
41
42
43
44
1
2
3
4
5–13
DIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10-17
P1.O/INT2
P1.1/lNT3
P1.2/lNT4
P1.3/INT5
P1.4/lNT6
P1.5/lNT7
P1.6/lNT8
P1.7/lNT9
RST
端口1 ：
端口1是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。 P1口有1秒写入
它们是由内部上拉和在该州拉高为输入的端口1可用于
上拉，
输入。
输出缓冲器可吸收/源4 LS TTL负载作为输入端口1引脚被外部拉低
负载。
输入，
将输出电流（I
lL
中的特征）由于内部上拉。端口1还提供了
上拉
替代功能INT2到INT9 。
INT9
功能
RESET ：
而振荡器运行复位高级别该引脚上出现两个机器周期
装置。
端口3 ：
端口3是一个具有内部上拉电阻的8位双向I / O口。端口3输出缓冲器可
汇/源4 LS TTL输入。 P3口有写信给他们1秒被拉高
内部上拉跌宕，在这种状态下，可作为输入。作为输入使用时， P3口是外部
拉低时将输出电流（I
lL
中的特征）由于内部上拉起坐。
RXD /数据：
串行端口接收数据输入（异步）或数据输入/输出（同步）
TXD /时钟：
串行口发送数据输出（异步）或时钟输出（同步）
INT0 ：
外部中断0 。
INT1 ：
外部中断1 。
T0:
定时器0外部输入。
T1:
定时器1外部输入。
WR ：
外部数据存储器写选通。
RD ：
外部数据存储器读选通。
晶振输出：
输出振荡器的反相放大器的。悬空时，外部时钟
使用。
晶振输入：
输入到振荡器的信号反相放大器;还输入为外部gen-
erated时钟源。
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P3.0/RXD/data
P3.1/TXD/clock
P3.2/lNT0
P3.3/lNT1
P3.4/T0
P3.5/T1
P3.6/WR
P3.7/RD
XTAL2
15
16
18-25
19
20
21-28
XTAL1
VSS
P2.0-P2.7
晶振输入：
输入到振荡器的信号反相放大器;还输入用于从外部
生成的时钟源。
地面：
电路地电位。
端口2 ：
港口2是8位双向1/0端口内部上拉电阻。 P2口有1秒写入
它们被拉高由内部上拉，并在该状态下可以作为输入。端口2
输出缓冲器可吸收/源4 LS TTL负载。
端口2中使用1 6位访问外部存储器发出的高位地址字节AD-
连衣裙（ MOVX @ DPTR ） 。在此应用中发送1使用强大的内部上拉电阻。
期间，使用8位地址（ MOVX @Ri ）访问外部存储器，端口2发出CON组
的P2特殊功能寄存器帐篷。
26
29
PSEN
程序存储使能输出：
读选通外部程序存储器。当执行代码
从外部程序存储器， PSEN被激活两次每个机器周期。然而，在
每次访问外部数据存储器2 PSEN激活被跳过。
地址锁存使能：
输出脉冲用于访问期间锁存地址的低字节
外部存储器。 ALE以的振荡频率的1/6 ，以恒定速率，并且可以是
用于外部定时或时钟的目的。
外部访问：
当EA保持高CPU执行了内部程序存储器（非
少程序计数器超过0FFFH ） 。控股EA LOW迫使出了执行的CPU
外部存储器不管程序计数器的值。
端口0 ：
P0口是一个8位漏极开路双向I / O口。作为一个开漏输出端口，它可吸收8
LS TTL负载。 P0口有写信给他们漂浮1S，并在该状态将作为高
阻抗输入。端口0也是多路复用的低位地址和数据总线的访问过程中
外部存储器。在这种应用中，它使用强大的内部上拉电阻产生逻辑1时。
电源。
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30
ALE
29
31
EA
30-37
32-39
P0.0-P00.7
38
40
V
DD
1995年1月
4
QQ：2880707522 复制
