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NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管
P7502CMG
SOT-23
LEAD -FREE
D
产品概述
V
（ BR ） DSS
20
R
DS （ ON）
75mΩ
I
D
3A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值（T
C
= 25
°C
除非另有说明）
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
工作结&存储温度范围
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒。 ）
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
1
2
符号
V
GS
范围
±12
3
2
20
0.6
0.5
-55到150
275
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
A
W
°C
符号
R
θJC
R
θJA
典型
最大
65
230
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1%
电气特性（T
C
= 25
°C,
除非另有说明）
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
漏极 - 源极导通状态
阻力
1
正向跨导
1
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±12V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 1.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 3A
V
DS
= 15V ，我
D
= 3A
3
70
50
16
105
75
20
0.45 0.75
1.2
±100 nA的
1
10
A
A
mΩ
S
V
范围
单位
最小典型最大
1
AUG-04-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管
P7502CMG
SOT-23
LEAD -FREE
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
2
栅极 - 漏极电荷
2
导通延迟时间
2
上升时间
2
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
= 15V,
I
D
1A ，V
GS
= 10V ，R
GS
= 2.5Ω
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 3A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
450
200
60
15
2.0
7.0
6.0
6.0
20
5.0
nS
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25
°C)
连续电流
脉冲电流
3
正向电压
1
1
2
I
S
I
SM
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
2.3
4.6
1.5
A
V
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注：标有“ 11YWW ” ，日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXG部分的名称放在
2
AUG-04-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管
P7502CMG
SOT-23
LEAD -FREE
体二极管正向电压的变化与源电流和温度
100
V
GS
= 0V
10
是 - 反向漏电流（ A）
T = 125°C
1
0.1
25° C
-55° C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.8
0.6
V
SD
- 体二极管正向电压（ V）
1.0
1.2
3
AUG-04-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管
P7502CMG
SOT-23
LEAD -FREE
4
AUG-04-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管
P7502CMG
SOT-23
LEAD -FREE
SOT- 23 （ M3 ）机械数据
mm
维
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
2.60
1.40
2.70
1.00
0.00
0.35
0.4
典型值。
0.95
2.80
1.60
2.90
1.10
3.00
1.80
3.10
1.30
0.10
0.5
马克斯。
H
I
J
K
L
M
N
维
分钟。
0.10
0.37
典型值。
0.15
马克斯。
0.25
mm
H
2
C
1
A
3
B
I
D
E
F
G
5
AUG-04-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管
P7502CMG
SOT-23
LEAD -FREE
D
产品概述
V
（ BR ） DSS
20
R
DS （ ON）
75mΩ
I
D
3A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值（T
C
= 25
°C
除非另有说明）
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
工作结&存储温度范围
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒。 ）
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
1
2
符号
V
GS
范围
±12
3
2
20
0.6
0.5
-55到150
275
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
A
W
°C
符号
R
θJC
R
θJA
典型
最大
65
230
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1%
电气特性（T
C
= 25
°C,
除非另有说明）
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
1
漏极 - 源极导通状态
阻力
1
正向跨导
1
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±12V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 1.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 3A
V
DS
= 15V ，我
D
= 3A
3
70
50
16
105
75
20
0.45 0.75
1.2
±100 nA的
1
10
A
A
mΩ
S
V
范围
单位
最小典型最大
1
AUG-04-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管
P7502CMG
SOT-23
LEAD -FREE
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
2
栅极 - 漏极电荷
2
导通延迟时间
2
上升时间
2
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
= 15V,
I
D
1A ，V
GS
= 10V ，R
GS
= 2.5Ω
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 3A
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
450
200
60
15
2.0
7.0
6.0
6.0
20
5.0
nS
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25
°C)
连续电流
脉冲电流
3
正向电压
1
1
2
I
S
I
SM
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
2.3
4.6
1.5
A
V
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注：标有“ 11YWW ” ，日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXG部分的名称放在
2
AUG-04-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管
P7502CMG
SOT-23
LEAD -FREE
体二极管正向电压的变化与源电流和温度
100
V
GS
= 0V
10
是 - 反向漏电流（ A）
T = 125°C
1
0.1
25° C
-55° C
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.8
0.6
V
SD
- 体二极管正向电压（ V）
1.0
1.2
3
AUG-04-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管
P7502CMG
SOT-23
LEAD -FREE
4
AUG-04-2004
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管
P7502CMG
SOT-23
LEAD -FREE
SOT- 23 （ M3 ）机械数据
mm
维
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
2.60
1.40
2.70
1.00
0.00
0.35
0.4
典型值。
0.95
2.80
1.60
2.90
1.10
3.00
1.80
3.10
1.30
0.10
0.5
马克斯。
H
I
J
K
L
M
N
维
分钟。
0.10
0.37
典型值。
0.15
马克斯。
0.25
mm
H
2
C
1
A
3
B
I
D
E
F
G
5
AUG-04-2004
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PIC16C662/JW
P4C1049-20JM
PSD813512JT
PT5524C
PCN21A-95PBA-2PF
PIC16F83T-10/P
PT2129
PIC16C712-20E/SS
P140KV-F35CR10K
PI7C8148ANJ
PTB20081
PSD9135V90MT
PIC16C54-XTE/SS
PCL-202DF000
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    联系人：杨小姐
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    P7502CMG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
P7502CMG
NIKO
20+
16800
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
深圳市品优时代科技有限公司
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电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
P7502CMG
NIKO
2019
19850
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市品优时代科技有限公司
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联系人：唐
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2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
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NIKO
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优势现货，只做原装正品
深圳市向鸿伟业电子有限公司
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联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
P7502CMG
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SOT23-3L
只有原装！天天特价！每时每刻欢迎骚扰！
深圳市向鸿伟业电子有限公司
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诚信经营！进口原装！量大价优！
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电话：15112667855
联系人：谌小姐
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1950
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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一级代理专营，原装现货，价格优势
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联系人：朱
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9634
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全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
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