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NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P70N02LS
TO- 263 （D
2
PAK ）
D
产品概述
V
（ BR ） DSS
25
R
DS （ ON）
7mΩ
I
D
70A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩电流
雪崩能量
重复性雪崩能量
功耗
2
1
符号
V
GS
范围
±20
70
45
170
60
140
5.6
65
38
-55到150
275
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
I
AR
A
L = 0.1mH
L = 0.05mH
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
E
AS
E
AR
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
mJ
W
工作结&存储温度范围
焊接温度（ /
16
“从案例10秒。 ）
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
1
2
1
°C
符号
R
θJC
R
θJA
R
θCS
典型
最大
2.3
62.5
单位
C / W
0.6
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1％
电气特性（T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125 °C
25
1
1.5
3
±250
25
250
nA
A
V
范围
单位
最小典型最大
1
MAY-24-2001
NIKO -SEM
1
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
I
D（上）
R
DS （ ON）
1
P70N02LS
TO- 263 （D
2
PAK ）
通态漏电流
漏极 - 源极导通状态
1
阻力
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
V
GS
= 7V ，我
D
= 24A
V
DS
= 15V ，我
D
= 30A
动态
70
7
8
16
9
10
A
mΩ
S
正向跨导
g
fs
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
2700
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
500
200
25
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 35A
7
11
7
V
DS
= 15V ，R
L
= 1Ω
I
D
30A ，V
GS
= 10V ，R
GS
= 2.5Ω
7
24
6
nS
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2
2
导通延迟时间
上升时间
t
D（上）
t
r
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
t
D（关闭）
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25 °C)
连续电流
脉冲电流
3
1
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= I
S
， DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
37
200
0.043
70
170
1.3
A
V
nS
A
C
正向电压
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2％.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注：标有“ P70N02LS ” ，日期代码或批号的产品
2
MAY-24-2001
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P70N02LS
TO- 263 （D
2
PAK ）
TO- 263 （D
2
PAK ）机械数据
mm
维
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
0.3
-0.102
8.5
9
14.5
4.2
1.20
2.8
0.4
0.5
0.203
9.5
典型值。
15
马克斯。
15.8
4.7
1.35
H
I
J
K
L
M
N
0.7
4.83
5.08
维
分钟。
1.0
9.8
6.5
1.5
1.4
5.33
典型值。
1.5
马克斯。
1.8
10.3
mm
3
MAY-24-2001
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N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P70N02LS
TO- 263 （D
2
PAK ）
D
产品概述
V
（ BR ） DSS
25
R
DS （ ON）
7mΩ
I
D
70A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩电流
雪崩能量
重复性雪崩能量
功耗
2
1
符号
V
GS
范围
±20
70
45
170
60
140
5.6
65
38
-55到150
275
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
I
AR
A
L = 0.1mH
L = 0.05mH
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
E
AS
E
AR
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
mJ
W
工作结&存储温度范围
焊接温度（ /
16
“从案例10秒。 ）
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
1
2
1
°C
符号
R
θJC
R
θJA
R
θCS
典型
最大
2.3
62.5
单位
C / W
0.6
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1％
电气特性（T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125 °C
25
1
1.5
3
±250
25
250
nA
A
V
范围
单位
最小典型最大
1
MAY-24-2001
NIKO -SEM
1
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
I
D（上）
R
DS （ ON）
1
P70N02LS
TO- 263 （D
2
PAK ）
通态漏电流
漏极 - 源极导通状态
1
阻力
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
V
GS
= 7V ，我
D
= 24A
V
DS
= 15V ，我
D
= 30A
动态
70
7
8
16
9
10
A
mΩ
S
正向跨导
g
fs
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
2700
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
500
200
25
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 35A
7
11
7
V
DS
= 15V ，R
L
= 1Ω
I
D
30A ，V
GS
= 10V ，R
GS
= 2.5Ω
7
24
6
nS
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2
2
导通延迟时间
上升时间
t
D（上）
t
r
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
t
D（关闭）
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25 °C)
连续电流
脉冲电流
3
1
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= I
S
， DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
37
200
0.043
70
170
1.3
A
V
nS
A
C
正向电压
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2％.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注：标有“ P70N02LS ” ，日期代码或批号的产品
2
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N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P70N02LS
TO- 263 （D
2
PAK ）
TO- 263 （D
2
PAK ）机械数据
mm
维
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
0.3
-0.102
8.5
9
14.5
4.2
1.20
2.8
0.4
0.5
0.203
9.5
典型值。
15
马克斯。
15.8
4.7
1.35
H
I
J
K
L
M
N
0.7
4.83
5.08
维
分钟。
1.0
9.8
6.5
1.5
1.4
5.33
典型值。
1.5
马克斯。
1.8
10.3
mm
3
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NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P70N02LS
TO- 263 （D
2
PAK ）
D
产品概述
V
（ BR ） DSS
25
R
DS （ ON）
7mΩ
I
D
70A
1.门
2.漏
3.源
G
S
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩电流
雪崩能量
重复性雪崩能量
功耗
2
1
符号
V
GS
范围
±20
70
45
170
60
140
5.6
65
38
-55到150
275
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
I
AR
A
L = 0.1mH
L = 0.05mH
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
E
AS
E
AR
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
mJ
W
工作结&存储温度范围
焊接温度（ /
16
“从案例10秒。 ）
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
1
2
1
°C
符号
R
θJC
R
θJA
R
θCS
典型
最大
2.3
62.5
单位
C / W
0.6
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1％
电气特性（T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125 °C
25
1
1.5
3
±250
25
250
nA
A
V
范围
单位
最小典型最大
1
MAY-24-2001
NIKO -SEM
1
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
I
D（上）
R
DS （ ON）
1
P70N02LS
TO- 263 （D
2
PAK ）
通态漏电流
漏极 - 源极导通状态
1
阻力
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
V
GS
= 7V ，我
D
= 24A
V
DS
= 15V ，我
D
= 30A
动态
70
7
8
16
9
10
A
mΩ
S
正向跨导
g
fs
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
2700
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
500
200
25
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 35A
7
11
7
V
DS
= 15V ，R
L
= 1Ω
I
D
30A ，V
GS
= 10V ，R
GS
= 2.5Ω
7
24
6
nS
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2
2
导通延迟时间
上升时间
t
D（上）
t
r
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
t
D（关闭）
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25 °C)
连续电流
脉冲电流
3
1
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= I
S
， DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
37
200
0.043
70
170
1.3
A
V
nS
A
C
正向电压
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2％.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注：标有“ P70N02LS ” ，日期代码或批号的产品
2
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2
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TO- 263 （D
2
PAK ）机械数据
mm
维
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
0.3
-0.102
8.5
9
14.5
4.2
1.20
2.8
0.4
0.5
0.203
9.5
典型值。
15
马克斯。
15.8
4.7
1.35
H
I
J
K
L
M
N
0.7
4.83
5.08
维
分钟。
1.0
9.8
6.5
1.5
1.4
5.33
典型值。
1.5
马克斯。
1.8
10.3
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3
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PSD4135F3-B-15B81I
PM2120-1R5M-RC
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P87C528BBA
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PI49FCT32806QE
PAW1027
PAW-1027
PL34120191000CFBX
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PCG0G181MCL1GS
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