P6SMB11CAT3系列
600瓦峰值功率齐纳
瞬态电压抑制器
双向*
在SMB系列是专为保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。在SMB系列供应
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetict封装，非常适合于在通信中使用
系统，汽车，数字控制，过程控制，医疗
设备，商用机器，电源和许多其他
工业/消费应用。
特点
http://onsemi.com
工作峰值反向电压范围 - 9.4 77.8 V
标准齐纳击穿电压范围 - 11 91 V
峰值功率 - 600瓦@ 1毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
mA
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
响应时间通常< 1纳秒
无铅包可用
塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
9.4-78伏
600瓦峰值功率
SMB
CASE 403A
塑料
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
标记图
随手可焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
信息：
修饰的L形弯曲，提供更多的接触面积，以键合焊盘
极性：
极性带，也不会指示
安装位置：
任何
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ） @ T
L
= 25°C,
脉冲宽度为1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度（注2 ）
减免上述75℃
热阻，结到铅
DC功率耗散（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
R
qJL
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
价值
600
3.0
40
25
0.55
4.4
226
-65
+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
AYWW
XXC
G
G
XXC =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
P6SMBxxCAT3
P6SMBxxCAT3G
包
SMB
SMB
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. 10 X 1000
女士，
非重复性
2. 1 “方形铜垫， FR -4板
3， FR- 4电路板，采用安森美半导体的最低推荐的足迹，如
在403A情况下，外形尺寸规格所示。
*请参阅P6SMB6.8AT3到P6SMB200AT3为单向器件。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
在“T3”的后缀是指一个13英寸的卷轴。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
1
2006年7月 - 8版本
出版订单号：
P6SMB11CAT3/D
P6SMB11CAT3系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
I
PP
I
T
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
I
R
V
RWM
V
BR
V
C
I
T
I
PP
I
V
双向TVS
电气特性
（粗体，斜体列出的设备是安森美半导体的首选设备。 ）
V
RWM
（注4 ）
伏
9.4
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
20.5
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53
58.1
64.1
70.1
77.8
I
R
@
V
RWM
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
击穿电压
V
BR
伏
（注5 ）
民
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
喃
11.05
12
13.05
15.05
16
18
20
22
24
27.05
30
33.05
36
39.05
43.05
47.05
51.05
56
62
68
75.05
82
91
最大
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
86.1
95.5
@ I
T
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
伏
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
33.2
37.5
41.4
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77
85
92
103
113
125
I
PP
安培
38
36
33
28
27
24
22
20
18
16
14.4
13.2
12
11.2
10.1
9.3
8.6
7.8
7.1
6.5
5.8
5.3
4.8
QV
BR
%/°C
0.075
0.078
0.081
0.084
0.086
0.088
0.09
0.09
0.094
0.096
0.097
0.098
0.099
0.1
0.101
0.101
0.102
0.103
0.104
0.104
0.105
0.105
0.106
C
典型值
（注7 ）
pF
865
800
740
645
610
545
490
450
415
370
335
305
280
260
240
220
205
185
170
155
140
130
120
设备*
P6SMB11CAT3 ，G
P6SMB12CAT3 ，G
P6SMB13CAT3 ，G
P6SMB15CAT3 ，G
P6SMB16CAT3 ，G
P6SMB18CAT3 ，G
P6SMB20CAT3 ，G
P6SMB22CAT3 ，G
P6SMB24CAT3 ，G
P6SMB27CAT3 ，G
P6SMB30CAT3 ，G
P6SMB33CAT3 ，G
P6SMB36CAT3 ，G
P6SMB39CAT3 ，G
P6SMB43CAT3 ，G
P6SMB47CAT3 ，G
P6SMB51CAT3 ，G
P6SMB56CAT3 ，G
P6SMB62CAT3 ，G
P6SMB68CAT3 ，G
P6SMB75CAT3 ，G
P6SMB82CAT3 ，G
P6SMB91CAT3 ，G
设备
记号
11C
12C
13C
15C
16C
18C
20C
22C
24C
27C
30C
33C
36C
39C
43C
47C
51C
56C
62C
68C
75C
82C
91C
4.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
） ，这应该是等于或大于
直流或连续峰值工作电压电平。
5. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
按照图2和每个通用数据图3减免6.浪涌电流波形 - 600瓦，在本组的开始。
7.偏置电压= 0 V ， F = 1兆赫，T
J
= 25°C
*在“G ”后缀表示无铅封装。请参考前面的头版订购信息。
http://onsemi.com
2
P6SMB11CAT3系列
过冲DUE TO
电感效应
V
in
（瞬态）
V
L
V
L
V
V
in
（瞬态）
V
V
in
t
d
t
D
= TIME DELAY由于电容的影响
t
t
图5中。
图6 。
1
0.7
0.5
降额因子
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10
ms
0.01
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
50 100
100
ms
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
图7.典型的降额因子的占空比
UL认证
整个系列拥有
美国保险商实验室
承认
为保护器的分类（ QVGV2 ）
在安全497B UL标准和文件＃ 116110 。
很多竞争者只具有一个或两个装置识别
或者在一个非保护性类别的识别。一些
竞争对手也没有承认的。随着UL497B
认可，我们的部分成功地通过多次测试
包括冲击电压击穿测试，耐力
空调，
温度
测试，
电介质
耐压试验，排放试验和几个。
然而，一些竞争对手只通过了
可燃性测试程序包的材料，我们已经
公认的更要包括在其保护
类别。
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5
QQ：2881677436 复制
