P6SMB6.8AT3系列
600瓦峰值功率齐纳
瞬态电压
抑制器
单向*
在SMB系列是专为保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。在SMB系列供应
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetic 封装，非常适用于通信中使用
系统，汽车，数字控制，过程控制，医疗
设备，商用机器，电源和许多其他
工业/消费应用。
规格特点：
http://onsemi.com
塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
5.8-171伏
600瓦峰值功率
工作峰值反向电压范围 - 5.8至171 V
标准齐纳击穿电压范围 - 11 200 V
峰值功率 - 600瓦@ 1毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
mA
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
响应时间通常< 1纳秒
无铅包可用
阴极
阳极
SMB
CASE 403A
塑料
标记图
AYWW
xx
G
G
A
Y
WW
xx
G
=大会地点
=年
=工作周
=设备代码（参见第3页）
= Pb-Free包装
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
信息：
修饰的L形弯曲，提供更多的接触面积，以键合焊盘
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
最大额定值
请参阅表上的下页
*请参阅P6SMB11CAT3到P6SMB91CAT3为双向设备。
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
P6SMBxxxAT3
P6SMBxxxAT3G
包
SMB
SMB
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年2月 - 修订版8
出版订单号：
P6SMB6.8AT3/D
P6SMB6.8AT3系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ） @ T
L
= 25 ° C，脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度（注2 ）
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
正向浪涌电流（注4 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
600
3.0
40
25
0.55
4.4
226
100
-65到+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
R
qJL
P
D
R
qJA
I
FSM
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. 10 X 1000
女士，
非重复性
2. 1 “方形铜垫， FR -4板
3， FR- 4电路板，采用安森美半导体的最低建议足迹，如图403A情况下，外形尺寸规格。
4. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @
I
F
（注4 ） = 30 A） （注5 ）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
5. 1/2正弦波或同等学历， PW = 8.3毫秒，不重复
占空比
http://onsemi.com
2
P6SMB6.8AT3系列
电气特性
（粗体，斜体列出的设备是安森美半导体的首选设备。 ）
V
RWM
（注6 ）
V
5.8
6.4
7.02
7.78
8.55
9.4
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
20.5
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53
58.1
64.1
70.1
77.8
85.5
94
102
111
128
136
145
154
171
I
R
@
V
RWM
mA
1000
500
200
50
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
击穿电压
V
BR
V
（注7 ）
民
6.45
7.13
7.79
8.65
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95
105
114
124
143
152
162
171
190
喃
6.8
7.51
8.2
9.1
10
11.05
12
13.05
15.05
16
18
20
22
24
27.05
30
33.05
36
39.05
43.05
47.05
51.05
56
62
68
75.05
82
91
100
110.5
120
130.5
150.5
160
170
180
200
最大
7.14
7.88
8.61
9.55
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
86.1
95.5
105
116
126
137
158
168
179
189
210
@ I
T
mA
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
（注8）
V
C
V
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
33.2
37.5
41.4
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77
85
92
103
113
125
137
152
165
179
207
219
234
246
274
I
PP
A
57
53
50
45
41
38
36
33
28
27
24
22
20
18
16
14.4
13.2
12
11.2
10.1
9.3
8.6
7.8
7.1
6.5
5.8
5.3
4.8
4.4
4.0
3.6
3.3
2.9
2.7
2.6
2.4
2.2
QV
BR
%/°C
0.057
0.061
0.065
0.068
0.073
0.075
0.078
0.081
0.084
0.086
0.088
0.09
0.092
0.094
0.096
0.097
0.098
0.099
0.1
0.101
0.101
0.102
0.103
0.104
0.104
0.105
0.105
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
C
典型值
（注9 ）
pF
2380
2180
2015
1835
1690
1550
1435
1335
1175
1110
1000
910
835
775
700
635
585
540
500
460
425
395
365
335
305
280
260
235
215
200
185
170
150
140
135
130
115
设备
P6SMB6.8AT3 ，G
P6SMB7.5AT3 ，G
P6SMB8.2AT3 ，G
P6SMB9.1AT3 ，G
P6SMB10AT3 ，G
P6SMB11AT3 ，G
P6SMB12AT3 ，G
P6SMB13AT3 ，G
P6SMB15AT3 ，G
P6SMB16AT3 ，G
P6SMB18AT3 ，G
P6SMB20AT3 ，G
P6SMB22AT3,G
P6SMB24AT3 ，G
P6SMB27AT3 ，G
P6SMB30AT3 ，G
P6SMB33AT3 ，G
P6SMB36AT3 ，G
P6SMB39AT3 ，G
P6SMB43AT3 ，G
P6SMB47AT3 ，G
P6SMB51AT3 ，G
P6SMB56AT3 ，G
P6SMB62AT3 ，G
P6SMB68AT3 ，G
P6SMB75AT3 ，G
P6SMB82AT3 ，G
P6SMB91AT3 ，G
P6SMB100AT3 ，G
P6SMB110AT3 ，G
P6SMB120AT3 ，G
P6SMB130AT3 ，G
P6SMB150AT3 ，G
P6SMB160AT3 ，G
P6SMB170AT3 ，G
P6SMB180AT3 ，G
P6SMB200AT3 ，G
设备
记号
6V8A
7V5A
8V2A
9V1A
10A
11A
12A
13A
15A
16A
18A
20A
22A
24A
27A
30A
33A
36A
39A
43A
47A
51A
56A
62A
68A
75A
82A
91A
100A
110A
120A
130A
150A
160A
170A
180A
200A
6.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
） ，这应该是等于或大于
直流或连续峰值工作电压电平。
7. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
按照图2和减免按照图3 8.浪涌电流波形。
9.偏置电压= 0 V ， F = 1兆赫，T
J
= 25°C
*在“G”后缀表示无铅封装。
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3
P6SMB6.8AT3系列
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联，并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的，在并联保护
方案，因为它只产生的时间延迟，在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图5中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间（所需要的设备，从零到时间
到全电流）和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护，如图
图6.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中，由于主要目的，用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。在SMB系列有
一个很好的响应时间，通常为< 1纳秒和可以忽略不计
电感。但是，外部感应效应可能
产生不可接受的过冲。正确的电路布局，
最小导线长度，并把抑制装置
关闭尽可能的设备或部件是
保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
ms
脉搏。然而，当一降额因子
图7中的给定的脉冲乘以峰值功率值
图1为相同的脉冲，结果按照
预期的趋势。
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5
P6SMB6.8AT3系列
600瓦峰值功率齐纳
瞬态电压抑制器
单向*
在SMB系列是专为保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。在SMB系列供应
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetic 封装，非常适用于通信中使用
系统，汽车，数字控制，过程控制，医疗
设备，商用机器，电源和许多其他
工业/消费应用。
规格特点：
http://onsemi.com
塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
5.8-171伏
600瓦峰值功率
工作峰值反向电压范围 - 5.8至171 V
标准齐纳击穿电压范围 - 11 200 V
峰值功率 - 600瓦@ 1毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
A
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
响应时间通常< 1纳秒
阴极
阳极
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
SMB
CASE 403A
塑料
随手可焊
最大外壳焊接温度的目的：
标记图
YWW
XXXA
Y
WW
XXXA
=年
=工作周
=具体设备守则
=
（请参阅表第3页）
260℃ 10秒
信息：
修饰的L形弯曲，提供更多的接触面积，以键合焊盘
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
最大额定值
请参阅表上的下页
订购信息
*请参阅P6SMB11CAT3到P6SMB91CAT3为双向设备。
设备
{
P6SMBxxxAT3
包
SMB
航运
2500 /磁带&卷轴
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
的“T3”的后缀是指一个13英寸的卷轴。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年5月 - 修订版5
出版订单号：
P6SMB6.8AT3/D
P6SMB6.8AT3系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ） @ T
L
= 25 ° C，脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度（注2 ）
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
从结点到环境的热阻
正向浪涌电流（注4 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
符号
P
PK
P
D
价值
600
3.0
40
25
0.55
4.4
226
100
-65到+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
R
qJL
P
D
R
qJA
I
FSM
T
J
, T
英镑
10 X 1000
女士，
非重复性
1 “方形铜垫， FR -4板
FR- 4电路板，采用安森美半导体的最低建议足迹，如图403A情况下，外形尺寸规格。
1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @
I
F
（注4 ） = 30 A） （注5 ）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
5. 1/2正弦波或同等学历， PW = 8.3毫秒，不重复
占空比
http://onsemi.com
2
P6SMB6.8AT3系列
电气特性
（粗体，斜体列出的设备是安森美半导体的首选设备。 ）
V
RWM
（注6 ）
伏
击穿电压
I
R
@ V
RWM
A
V
BR
伏
（注7 ）
民
喃
最大
@ I
T
mA
V
C
@ I
PP
（注8 ）
V
C
伏
I
PP
安培
QV
BR
%/°C
设备
设备
记号
P6SMB6.8AT3
P6SMB7.5AT3
P6SMB8.2AT3
P6SMB9.1AT3
P6SMB10AT3
P6SMB11AT3
P6SMB12AT3
P6SMB13AT3
P6SMB15AT3
P6SMB16AT3
P6SMB18AT3
P6SMB20AT3
P6SMB22AT3
P6SMB24AT3
P6SMB27AT3
P6SMB30AT3
P6SMB33AT3
P6SMB36AT3
P6SMB39AT3
P6SMB43AT3
P6SMB47AT3
P6SMB51AT3
P6SMB56AT3
P6SMB62AT3
P6SMB68AT3
P6SMB75AT3
P6SMB82AT3
P6SMB91AT3
P6SMB100AT3
P6SMB110AT3
P6SMB120AT3
P6SMB130AT3
P6SMB150AT3
P6SMB160AT3
P6SMB170AT3
P6SMB180AT3
P6SMB200AT3
6V8A
7V5A
8V2A
9V1A
10A
11A
12A
13A
15A
16A
18A
20A
5.8
6.4
7.02
7.78
8.55
9.4
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
1000
500
200
50
10
5
5
5
5
5
5
5
6.45
7.13
7.79
8.65
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19
6.8
7.51
8.2
9.1
10
11.05
12
13.05
15.05
16
18
20
7.14
7.88
8.61
9.55
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
57
53
50
45
41
38
36
33
28
27
24
22
0.057
0.061
0.065
0.068
0.073
0.075
0.078
0.081
0.084
0.086
0.088
0.09
22A
24A
27A
30A
33A
36A
39A
43A
47A
51A
56A
62A
68A
75A
82A
91A
100A
110A
120A
130A
150A
160A
170A
180A
200A
18.8
20.5
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53
58.1
64.1
70.1
77.8
85.5
94
102
111
128
136
145
154
171
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95
105
114
124
143
152
162
171
190
22
24
27.05
30
33.05
36
39.05
43.05
47.05
51.05
56
62
68
75.05
82
91
100
110.5
120
130.5
150.5
160
170
180
200
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
86.1
95.5
105
116
126
137
158
168
179
189
210
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
30.6
33.2
37.5
41.4
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77
85
92
103
113
125
137
152
165
179
207
219
234
246
274
20
18
16
14.4
13.2
12
11.2
10.1
9.3
8.6
7.8
7.1
6.5
5.8
5.3
4.8
4.4
4.0
3.6
3.3
2.9
2.7
2.6
2.4
2.2
0.092
0.094
0.096
0.097
0.098
0.099
0.1
0.101
0.101
0.102
0.103
0.104
0.104
0.105
0.105
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
6.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
） ，这应该是等于或大于
直流或连续峰值工作电压电平。
7. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
按照图2和减免按照图3 8.浪涌电流波形。
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3
P6SMB6.8AT3系列
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联，并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的，在并联保护
方案，因为它只产生的时间延迟，在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图5中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间（所需要的设备，从零到时间
到全电流）和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护，如图
图6.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中，由于主要目的，用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。在SMB系列有
一个很好的响应时间，通常为< 1纳秒和可以忽略不计
电感。但是，外部感应效应可能
产生不可接受的过冲。正确的电路布局，
最小导线长度，并把抑制装置
关闭尽可能的设备或部件是
保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
s
脉搏。然而，当一降额因子
图7中的给定的脉冲乘以峰值功率值
图1为相同的脉冲，结果按照
预期的趋势。
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