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NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P6503NJ
TSOPJW-8
产品概述
V
（ BR ） DSS
N沟道
P沟道
30
-30
R
DS （ ON）
65mΩ
150mΩ
I
D
4A
-3A
G：门
D：漏
S：源
绝对最大额定值（T
C
= 25
°C
除非另有说明）
参数/测试条件
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
结&存储温度范围
焊接温度（ /
16
“从案例10秒。 ）
1
1
符号
V
DS
V
GS
N沟道P沟道
30
±20
4
3
10
2
1.3
-55到150
275
-30
±20
-3
-2
-10
单位
V
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
I
D
I
DM
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
W
°C
热电阻额定值
热阻
结到环境
1
2
符号
R
θJA
典型
最大
110
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1%
1
JUL-08-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P6503NJ
TSOPJW-8
电气特性（T
C
= 25
°C,
除非另有说明）
范围
参数
符号
测试条件
STATIC
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
30
-30
0.9
-0.9
1.5
-1.5
2.5
-2.5
±100
±100
1
-1
A
10
-10
V
民
TYP MAX
单位
nA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55 ° C N -CH
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55 °C
P沟道
通态漏电流
1
I
D（上）
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 3A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
-10
72
170
48
100
6
3
120
250
A
漏源导通电阻
1
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2A
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 4A
V
GS
= -10V ，我
D
= -3A
mΩ
65
150
正向跨导
1
g
fs
V
DS
= 10V ，我
D
= 3A
V
DS
= -10V ，我
D
= -2A
动态
S
总栅极电荷
2
Q
g
2
N沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 3A
P沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= -10V,
I
D
= -2A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
5.5
0.8
1.2
1.0
0.9
7.5
6.6
栅极 - 源电荷
2
Q
gs
nC
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
2
JUL-08-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P6503NJ
TSOPJW-8
导通延迟时间
2
2
t
D（上）
N沟道
V
DS
= 15V ，R
L
= 15Ω
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
7
8
12
11
12
14
7
8
11
12
18
18
18
21
11
12
nS
上升时间
t
r
2
I
D
1A ，V
GS
= 10V ，R
根
= 6Ω
P沟道
V
DS
= -15V ，R
L
= 15Ω
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
2
t
f
N沟道
I
D
-1A ，V
GS
= -10V ，R
根
= 6Ω P -CH
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25
°C)
正向电压
1
I
F
= 0.9A ，V
GS
= 0V
V
SD
I
F
= -0.9A ，V
GS
= 0V
t
rr
I
F
= 0.9A ， DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= -0.9A ， DL
F
/ DT = 100A /
S
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
40
40
1.2
-1.2
80
80
V
反向恢复时间
nS
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
1
2
备注：标有“ 50YWW ”本产品
50YWW
标识说明：
5 - N + P MOSFET
0 - 序列号
- 年
W - 周
3
JUL-08-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P6503NJ
TSOPJW-8
N沟道
4
JUL-08-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P6503NJ
TSOPJW-8
5
JUL-08-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P6503NJ
TSOPJW-8
产品概述
V
（ BR ） DSS
N沟道
P沟道
30
-30
R
DS （ ON）
65mΩ
150mΩ
I
D
4A
-3A
G：门
D：漏
S：源
绝对最大额定值（T
C
= 25
°C
除非另有说明）
参数/测试条件
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
结&存储温度范围
焊接温度（ /
16
“从案例10秒。 ）
1
1
符号
V
DS
V
GS
N沟道P沟道
30
±20
4
3
10
2
1.3
-55到150
275
-30
±20
-3
-2
-10
单位
V
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
I
D
I
DM
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
W
°C
热电阻额定值
热阻
结到环境
1
2
符号
R
θJA
典型
最大
110
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1%
1
JUL-08-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P6503NJ
TSOPJW-8
电气特性（T
C
= 25
°C,
除非另有说明）
范围
参数
符号
测试条件
STATIC
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
30
-30
0.9
-0.9
1.5
-1.5
2.5
-2.5
±100
±100
1
-1
A
10
-10
V
民
TYP MAX
单位
nA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55 ° C N -CH
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55 °C
P沟道
通态漏电流
1
I
D（上）
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 3A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
-10
72
170
48
100
6
3
120
250
A
漏源导通电阻
1
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2A
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 4A
V
GS
= -10V ，我
D
= -3A
mΩ
65
150
正向跨导
1
g
fs
V
DS
= 10V ，我
D
= 3A
V
DS
= -10V ，我
D
= -2A
动态
S
总栅极电荷
2
Q
g
2
N沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 3A
P沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= -10V,
I
D
= -2A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
5.5
0.8
1.2
1.0
0.9
7.5
6.6
栅极 - 源电荷
2
Q
gs
nC
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
2
JUL-08-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P6503NJ
TSOPJW-8
导通延迟时间
2
2
t
D（上）
N沟道
V
DS
= 15V ，R
L
= 15Ω
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
7
8
12
11
12
14
7
8
11
12
18
18
18
21
11
12
nS
上升时间
t
r
2
I
D
1A ，V
GS
= 10V ，R
根
= 6Ω
P沟道
V
DS
= -15V ，R
L
= 15Ω
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
2
t
f
N沟道
I
D
-1A ，V
GS
= -10V ，R
根
= 6Ω P -CH
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25
°C)
正向电压
1
I
F
= 0.9A ，V
GS
= 0V
V
SD
I
F
= -0.9A ，V
GS
= 0V
t
rr
I
F
= 0.9A ， DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= -0.9A ， DL
F
/ DT = 100A /
S
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
40
40
1.2
-1.2
80
80
V
反向恢复时间
nS
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
1
2
备注：标有“ 50YWW ”本产品
50YWW
标识说明：
5 - N + P MOSFET
0 - 序列号
- 年
W - 周
3
JUL-08-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P6503NJ
TSOPJW-8
N沟道
4
JUL-08-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P6503NJ
TSOPJW-8
5
JUL-08-2004
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PL34020101000KKDG
PSD954F5A-15UT
PSD813F3-20M
P4C168-15DM
PST9134N
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PI74LPT374CS
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PAL14L8JM
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PIC16LC716-04E/SS
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PJ-B298A-250.0
PSD935F1-C-12J
PAL18C4NC
PVD3354NS
PI4S707
PSD4235F1-90MI
PSD814F5-15UIT
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