【ARM610数据表卓联半导体公司产品型号： P610ARM -B / KG / FPNRP610AR】,IC型号P610ARM-FPNR,P610ARM-FPNR PDF资料,P610ARM-FPNR经销商,ic,电子元器件-51电子网

ARM610

数据表

卓联半导体公司产品型号： P610ARM -B / KG / FPNR

P610ARM-B/KW/FPNR

笔记

原来P610ARM / KG / FPNR已经过时了

该数据表包括以前在补充提供的性能数据

MS4397 - 1996年1月

DS3554

ISSUE 3.2

2001年10月

从高级RISC机有限公司授权生产

ARM和ARM徽标是Advanced RISC机器公司的商标。

先进RISC机器有限公司1999

前言

的ARM610是一个通用的32位微处理器，

k字节的缓存，写缓冲和内存

管理单元（MMU）组合在单个芯片中。在ARM610提供了高层次的RISC性能还

它的全静态设计保证了最低的功耗，使得它非常适用于便携式，低成本的系统。

创新的MMU支持传统的双级页表结构和大量的扩展

这使得它非常适用于嵌入式控制， UNIX和面向对象的系统。这导致了高

指令吞吐量和小和具有成本效益的芯片令人印象深刻的实时中断响应。

应用

在ARM610非常适合那些需要高性能RISC从结构紧凑，功耗应用

高效的处理器。这些包括：

个人电脑设备eg.PDAs

高性能的实时控制系统

便携式通讯

数据通信设备

消费类产品

汽车

功能摘要

高性能RISC

25 MIPS持续@ 33兆赫

（ 33 MIPS峰值）

地址

公共汽车

JTAG

4Kbyte

缓存

MMU

ARM6

中央处理器

快速亚微秒级的中断响应

对于实时应用

存储器管理单元（ MMU ）

虚拟内存系统的支持

优秀的高层次语言支持

指令&数据缓存4K字节

大和little endian操作模式

写缓冲器

提高性能

写

卜FF器

控制

IEEE 1149.1边界扫描

全静态操作，低功耗

适合对功耗敏感的应用

144薄型四方扁平封装（ TQFP ）封装

前言-II

ARM610数据表

TOC

介绍

1.1

1.2

1.3

介绍

框图

工作原理图

信号说明

介绍

寄存器配置

操作模式选择

异常

RESET

1-1

1-2

1-4

1-5

信号说明

2.1

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

3.6

2-1

2-2

编程模型

3-1

3-2

3-3

3-6

3-10

指令集

4.1

4.2

4.3

4.4

4.5

4.6

4.7

4.8

4.9

4.10

4.11

4.12

指令集汇总

在条件字段

分支和分支联接（B ， BL ）

数据处理

PSR转移（MRS ， MSR ）

乘法和乘累加（ MUL ， MLA）

单一的数据传输（ LDR ， STR ）

半字和签名数据传输

块数据传输（ LDM ， STM ）

单一数据交换（ SWP ）

软件中断（ SWI ）

协处理器数据操作（ CDP ）

4-1

4-2

4-5

4-7

4-9

4-17

4-22

4-24

4-30

4-36

4-43

4-45

4-47

ARM610数据表

Contents-1

4.13

4.14

4.15

4.16

协处理器数据传输（ LDC ， STC ）

协处理器寄存器传输（ MRC ， MCR ）

未定义指令

指令集的例子

CON组fi guration

内部协处理器指令

介绍

缓存位 - C

更新位 - U

IDC运营

IDC有效性

读锁，写

IDC启用/禁用和复位

介绍

缓冲的位

写缓冲器操作

概观

存储器管理单元（ MMU ）

MMU计划访问的寄存器

地址的转换

翻译过程

第一级描述符

页表描述符

部分描述符

翻译部分参考

二级描述符

翻译小页面引用

转换大页参考文献

MMU故障和CPU中途终止

故障地址和故障状态寄存器（ FAR和FSR ）

域的访问控制

故障检查顺序

外部终止对

MMU的， IDC和写缓冲的互动

复位的影响

4-49

4-53

4-55

4-56

CON组fi guration

5.1

5.2

5.3

5-1

5-2

指令和数据缓存（ IDC ）

6.1

6.2

6.3

6.4

6.5

6.6

6.7

6-1

6-2

6-3

6-4

写缓冲器（ WB ）

7.1

7.2

7.3

7-1

7-2

协处理器

8.1

9.1

9.2

9.3

9.4

9.5

9.6

9.7

9.8

9.9

9.10

9.11

9.12

9.13

9.14

9.15

9.16

9.17

9.18

8-1

8-2

内存管理单元

9-1

9-2

9-3

9-4

9-5

9-6

9-7

9-8

9-9

9-10

9-11

9-13

9-14

9-16

9-17

9-18

总线接口

10.1简介

10.2 ARM610循环速度

10-1

10-2

Contents-2

ARM610数据表

10.3

10.4

10.5

10.6

10.7

10.8

10.9

周期类型

内存访问

读/写

字节/字

最大连续长度

内存访问类型

ARM610周期类型摘要

介绍

概观

RESET

上拉电阻

指令寄存器

公开说明

测试数据寄存器

边界扫描接口信号

10-2

10-3

10-5

10-9

边界扫描测试接口

11.1

11.2

11.3

11.4

11.5

11.6

11.7

11.8

11-1

11-2

11-3

11-7

11-10

DC参数

12.1绝对最大额定值

12.2直流工作条件

12.3直流特性

12-1

12-2

12-3

AC参数

13.1测试条件

FCLK和MCLK的13.2关系

13.3主总线信号

13-1

13-2

13-4

物理细节

14.1物理细节

14-1

14-2

引脚

15.1引脚

15-1

15-2

向后兼容性

A-1

A-2

ARM610数据表

Contents-3