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NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5506NVG
SOP-8
LEAD -FREE
产品概述
V
（ BR ） DSS
N沟道
P沟道
60
-55
R
DS （ ON）
55mΩ
80mΩ
I
D
4.5A
-3.5A
G：门
D：漏
S：源
绝对最大额定值（T
C
= 25
°C
除非另有说明）
参数/测试条件
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
结&存储温度范围
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒。 ）
热电阻额定值
热阻
结到环境
1
2
符号
V
DS
V
GS
N沟道P沟道
60
±20
4.5
4
20
2
1.3
-55到150
275
-55
±20
-3.5
-3
-20
单位
V
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
I
D
I
DM
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
W
°C
符号
R
θJA
典型
最大
62.5
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1%
电气特性（T
C
= 25
°C,
除非另有说明）
范围
参数
符号
测试条件
STATIC
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
60
-55
1.0
-1.0
1.5
-1.5
2.5
-2.5
±100
±100
V
民
TYP MAX
单位
nA
1
AUG-17-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5506NVG
SOP-8
LEAD -FREE
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V
V
DS
= -44V, V
GS
= 0V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
N沟道
P沟道
1
-1
A
10
-10
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55 ° C N -CH
V
DS
= -36V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55 °C
P沟道
通态漏电流
1
I
D（上）
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
20
-20
55
90
42
60
14
9
75
150
A
漏源
阻力
1
导通状态
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3A
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= -10V ，我
D
= -3.5A
mΩ
55
80
正向跨导
1
g
fs
V
DS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
DS
= -5V ，我
D
= -3.5A
S
动态
输入电容
C
国际空间站
N沟道
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
P沟道
P沟道
N沟道
P沟道
650
760
80
90
35
40
12.5
15
2.4
2.5
2.6
3.0
nC
18
21
pF
输出电容
C
OSS
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
RSS
V
GS
= 0V, V
DS
= -30V ， F = 1MHz的N-CH
P沟道
N沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 4.5A
P沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= -10V,
I
D
= -3.5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
Q
g
栅极 - 源电荷
2
Q
gs
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
2
AUG-17-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5506NVG
SOP-8
LEAD -FREE
导通延迟时间
2
2
t
D（上）
N沟道
V
DD
= 30V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
11
7
8
10
19
19
6
12
20
14
18
20
35
34
15
22
nS
上升时间
t
r
I
D
1A ，V
GS
= 10V ，R
根
= 6Ω
P沟道
V
DD
= -30V
打开-O FF延迟时间
2
2
t
D（关闭）
下降时间
t
f
N沟道
I
D
-1A ，V
GS
= -10V ，R
根
= 6Ω P -CH
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25
°C)
连续电流
I
S
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= I
S
A，V
GS
= 0V
I
F
= I
S
A，V
GS
= 0V
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
1
2
1.3
-1.3
2.6
-2.6
1
-1
V
A
脉冲电流
3
I
SM
V
SD
正向电压
1
N沟道
P沟道
备注：标有“ P5506NVG ” ，日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXG部分名称放置。
3
AUG-17-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5506NVG
SOP-8
LEAD -FREE
N沟道
体二极管正向电压的变化与源电流和温度
100
V
GS
= 0V
10
是 - 反向漏电流（ A）
T
A
= 125° C
1
0.1
25° C
0.01
-55° C
0.001
0.0001
0
0.6
0.2
0.4
0.8
V
SD
- 体二极管正向电压（ V）
1.0
1.2
4
AUG-17-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5506NVG
SOP-8
LEAD -FREE
5
AUG-17-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5506NVG
SOP-8
LEAD -FREE
产品概述
V
（ BR ） DSS
N沟道
P沟道
60
-55
R
DS （ ON）
55mΩ
80mΩ
I
D
4.5A
-3.5A
G：门
D：漏
S：源
绝对最大额定值（T
C
= 25
°C
除非另有说明）
参数/测试条件
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
结&存储温度范围
焊接温度（
1
/
16
“从案例10秒。 ）
热电阻额定值
热阻
结到环境
1
2
符号
V
DS
V
GS
N沟道P沟道
60
±20
4.5
4
20
2
1.3
-55到150
275
-55
±20
-3.5
-3
-20
单位
V
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
I
D
I
DM
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
W
°C
符号
R
θJA
典型
最大
62.5
单位
C / W
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
≤
1%
电气特性（T
C
= 25
°C,
除非另有说明）
范围
参数
符号
测试条件
STATIC
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
门体漏
I
GSS
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
60
-55
1.0
-1.0
1.5
-1.5
2.5
-2.5
±100
±100
V
民
TYP MAX
单位
nA
1
AUG-17-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5506NVG
SOP-8
LEAD -FREE
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V
V
DS
= -44V, V
GS
= 0V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
N沟道
P沟道
1
-1
A
10
-10
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55 ° C N -CH
V
DS
= -36V, V
GS
= 0V ，T
J
= 55 °C
P沟道
通态漏电流
1
I
D（上）
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
DS
=-5V, V
GS
= -10V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
20
-20
55
90
42
60
14
9
75
150
A
漏源
阻力
1
导通状态
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3A
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= -10V ，我
D
= -3.5A
mΩ
55
80
正向跨导
1
g
fs
V
DS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
DS
= -5V ，我
D
= -3.5A
S
动态
输入电容
C
国际空间站
N沟道
N沟道
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
P沟道
P沟道
N沟道
P沟道
650
760
80
90
35
40
12.5
15
2.4
2.5
2.6
3.0
nC
18
21
pF
输出电容
C
OSS
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
RSS
V
GS
= 0V, V
DS
= -30V ， F = 1MHz的N-CH
P沟道
N沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 4.5A
P沟道
V
DS
= 0.5V
（ BR ） DSS
, V
GS
= -10V,
I
D
= -3.5A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
Q
g
栅极 - 源电荷
2
Q
gs
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
2
AUG-17-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5506NVG
SOP-8
LEAD -FREE
导通延迟时间
2
2
t
D（上）
N沟道
V
DD
= 30V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
11
7
8
10
19
19
6
12
20
14
18
20
35
34
15
22
nS
上升时间
t
r
I
D
1A ，V
GS
= 10V ，R
根
= 6Ω
P沟道
V
DD
= -30V
打开-O FF延迟时间
2
2
t
D（关闭）
下降时间
t
f
N沟道
I
D
-1A ，V
GS
= -10V ，R
根
= 6Ω P -CH
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25
°C)
连续电流
I
S
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
I
F
= I
S
A，V
GS
= 0V
I
F
= I
S
A，V
GS
= 0V
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
微秒，
占空比
≤
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
1
2
1.3
-1.3
2.6
-2.6
1
-1
V
A
脉冲电流
3
I
SM
V
SD
正向电压
1
N沟道
P沟道
备注：标有“ P5506NVG ” ，日期代码或批号的产品
对于那些用无铅电镀的订单可以使用PXXXXXXG部分名称放置。
3
AUG-17-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5506NVG
SOP-8
LEAD -FREE
N沟道
体二极管正向电压的变化与源电流和温度
100
V
GS
= 0V
10
是 - 反向漏电流（ A）
T
A
= 125° C
1
0.1
25° C
0.01
-55° C
0.001
0.0001
0
0.6
0.2
0.4
0.8
V
SD
- 体二极管正向电压（ V）
1.0
1.2
4
AUG-17-2004
NIKO -SEM
N- & P沟道增强模式
场效应晶体管
P5506NVG
SOP-8
LEAD -FREE
5
AUG-17-2004
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PPS70-49Y
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PLL102-108XM
PCM3002EG
PG905C4
PIC12LC508A
PI74FCT2374CTS
PSD4135G2V-A-15U
PT7722A
P6SMB56AT3G
PL34220191000BHDC
PI74FCT161ATW
PSD834F3A-70UIT
PIC16F54
PSD4235F2-15UI
P4SMAJ24C
PSD935G2V-B-15UI
PA-120N-54P
PAL12L1AJM
PVM4VBW
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    P5506NVG
    -
    -
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    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市航亿捷科技有限公司
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P5506NVG
NIKO-SEM/尼克森
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SOP-8
原装正品进口现货，高价回收电子库存13729230450
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联系人：王小姐
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NIKO-SEM
21+
100000
SOP8
深圳市科格尔电子有限公司
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电话：0755-82798529
联系人：钟小姐
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NIKO-SEM
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SOP8
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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NIKOS
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2800
SOP8
场效应管
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