初步
P521-49
低相位噪声的LVDS压控石英振荡器( 27MHz时为65MHz的)
特点
27MHz时为65MHz的基本模式晶体。
输出范围: 27MHz的 - 65MHz的。
互补的LVDS输出。
可选OE逻辑(启用高或启用低) 。
集成的可变电容器。
高线性度拉: < 5 % 。
+/- 125 ppm的范围拉
支持2.5V或3.3V电源。
可提供裸片形式。
厚度为10密耳。
模具结构
57.5万
VDDOSC
OSCOFF
OESEL
V
N / C
N / C
(1460,1435)
GNDOSC
VCON
XIN
18
17
16
15
14
13
12
VDDANA
VDDBUF
VDDBUF
PECLBAR
PECL
GNDBUF
19
11
20
10
9
8
56.5万
XOUT
OE
21
7
22
1
2
3
4
5
6
GNDOSC
GNDANA
GNDANA
VCON
GNDBUF
Y
(0,0)
说明
P521-49是一VCXO的集成电路专门设计的拉
高频基波晶体。其内部
变容二极管允许片上频率牵引,
由VCON输入控制。该芯片提供了一个
低相位噪声,低抖动LVDS差分时钟
输出。
X
DIE规格
名字
SIZE
背面
焊盘尺寸
厚度
价值
56.5 X 57.5万
GND
80微米×80微米
10 MIL
框图
OE
VCON
振荡器
X+
X-
Q
Q
输出使能逻辑选择
OESEL
(垫# 14 )
0(默认)
OECTRL
(垫# 22 )
0
1(默认)
0(默认)
1
状态
三州
输出启用
输出启用
三州
扩音器
w/
集成
变容二极管
P521-49
1
垫# 14 , 22 :邦德至GND,设置为“0” ,债券为VDD设置为“ 1 ”
无连接的结果为“默认”,通过内部上拉/降压设置。
垫# 22 :通过CMOS V定义的逻辑状态
I H
和V
I L
的水平。
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GNDBUF
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P521-49
低相位噪声的LVDS压控石英振荡器( 27MHz时为65MHz的)
PAD转让和说明
垫#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
VCON
GNDOSC
GNDANA
GNDANA
GNDBUF
GNDBUF
GNDBUF (可选)
LVDS
LVDSBAR
VDDBUF (可选)
X( μ M)
329.6
498.3
696.2
825.0
973.6
1150.0
1183.6
1183.6
1183.6
1182.4
Y( μ M)
110.1
110.0
110.0
110.0
110.0
109.1
302.2
452.3
613.5
745.9
描述
控制电压输入。使用此引脚改变
输出频率,通过改变所施加的控制
电压。
GND连接振荡器电路。
GND连接的模拟电路。
GND连接的模拟电路。
接地连接输出缓冲电路。
接地连接输出缓冲电路。
接地连接输出缓冲电路。
PECL输出
PECL互补输出。
VDD连接的输出缓冲电路。
VDDBUF应与其他被单独分离
VDDS只要有可能。
VDD连接的输出缓冲电路。
VDDBUF应与其他被单独分离
VDDS只要有可能。
VDD连接的模拟电路。
VDDANA应与其他被单独分离
VDDS只要有可能。
选择输入要选择的OE控制逻辑。看
表第1页。
VDD连接振荡器电路。
VDDOSC应与其他被单独分离
VDDS只要有可能。
振荡器关选择输入板。当低,转弯
关闭振荡器输出时被禁止。当高
(默认值) ,振荡器运行时,输出被禁止。
内部上拉
GND连接振荡器电路。
控制电压输入。使用此引脚改变
输出频率,通过改变所施加的控制
电压(内部连接到垫1 ) 。
晶体振荡器的输入键盘。
晶体振荡器的输出焊盘。
OE输入板。请参阅第1页上的表。
11
VDDBUF
1252.4
903.6
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
VDDANA
未使用
OESEL
VDDOSC
未使用
OSCOFF
GNDOSC (可选)
VCON
XIN
XOUT
OECTRL
1252.4
1058.5
864.5
624.0
467.1
271.1
109.4
108.9
109.0
108.6
108.6
1081.3
1221.6
1221.6
1222.7
1222.6
1222.6
1222.9
1062.1
865.8
358.4
146.5
注意:为最佳的相位噪声性能,建议粘结所有可选VDD和GND焊盘。
47745弗里蒙特大道,弗里蒙特,加利福尼亚州94538电话:( 510 ) 492-0990传真:( 510 ) 492-0991
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初步
P521-49
低相位噪声的LVDS压控石英振荡器( 27MHz时为65MHz的)
电气规格
1.绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压, DC
输出电压,直流
储存温度
工作环境温度
结温
焊接温度(焊接, 10秒)
输入静电放电电压保护
符号
V
DD
V
I
V
O
T
S
T
A
T
J
分钟。
V
SS
-0.5
V
SS
-0.5
-65
0
马克斯。
7
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
150
70
125
260
2
单位
V
V
V
°C
°C
°C
°C
kV
超出长时间最大额定值所指明的限制条件下的曝光装置的可能会造成永久性的损坏
装置,并影响了产品的可靠性。这些条件表示在这些或任何其它的应力只等级,并且该器件的功能性操作
上述本说明书中提到的操作限制条件是不是暗示。
2.水晶规格
参数
晶体谐振器频率
水晶装载评级
极间电容
水晶Pullability
推荐ESR
符号
F
XIN
C
L( XTAL )
C
0
C
0
/C
1 ( XTAL )
R
E
AT切割
AT切割
条件
水货基本模式
死在VCON = 1.65V
分钟。
27
典型值。
马克斯。
65
单位
兆赫
pF
7.5
3.5
250
30
pF
-
3.电压控制晶体振荡器
参数
VCXO稳定时间*
VCXO的调谐范围
CLK输出pullability
片内变容二极管控制范围
线性
VCXO的调谐特性
VCON输入阻抗
VCON调制带宽
0V
≤
VCON
≤
3.3V , -3dB
25
符号
T
VCXOSTB
条件
从电源有效
XTAL
0
/C
1
& LT ; 250
0V
≤
VCON
≤
3.3V
室温
VCON = 0 3.3V
分钟。
250*
典型值。
10
马克斯。
单位
ms
PPM
±80*
4 – 18*
4*
65
60
5*
PPM
pF
%
PPM / V
k
千赫
注意:
带星号( * )的参数代表的名义特征数据,并没有生产测试,以任何特定的限制。
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低相位噪声的LVDS压控石英振荡器( 27MHz时为65MHz的)
4.通用电气规格
参数
电源电流(负载输出)
输出有效启用后, OE
工作电压
输出时钟占空比
短路电流
V
DD
@ 1.25V ( LVDS )
符号
I
DD
条件
在3.3V @ 61.44MHz
振荡器关闭
振荡器
分钟。
典型值。
10
马克斯。
40
单位
mA
ms
V
%
mA
1
2.25
45
50
±50
3.63
55
5.抖动规范
参数
周期抖动均方根为61.44MHz
周期抖动峰 - 峰值在61.44MHz
累计RMS抖动在61.44MHz
累积抖动的峰 - 峰值在61.44MHz
随机抖动
集成RMS抖动在61.44MHz
测量韦夫克雷斯特SIA 3000
条件
在61.44MHz ,与电容
VDD和GND之间的解耦。
超过10,000次
在61.44MHz ,与电容
VDD和GND之间的解耦。
超过100万次。
在韦夫克雷斯特SIA 3000测量“ RJ ”
集成12千赫至20兆赫
分钟。
典型值。
2.5
18.5
2.5
24
2.5
0.6
马克斯。
20
单位
ps
27
ps
ps
0.75
ps
6.相位噪声指标
参数
相位噪声
相对于运营商
频率
61.44MHz
10Hz
-75
100Hz
-100
1kHz
-125
10kHz
-140
100kHz
-145
1MHz
-150
单位
dBc的/赫兹
测量VCON = 0V相位噪声:注
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低相位噪声的LVDS压控石英振荡器( 27MHz时为65MHz的)
7. LVDS电气特性
参数
输出电压差
V
DD
幅度变化
输出高电压
输出低电压
失调电压
偏移幅度变化
关机泄漏
输出短路电流
符号
V
OD
V
OD
V
OH
V
OL
V
OS
V
OS
I
OXD
I
OSD
条件
分钟。
247
-50
典型值。
355
马克斯。
454
50
单位
mV
mV
V
V
V
mV
uA
mA
R
L
= 100
(见图)
1.4
0.9
1.125
0
1.1
1.2
3
±1
-5.7
1.6
1.375
25
±10
-8
V
OUT
= V
DD
或GND
V
DD
= 0V
8. LVDS开关特性
参数
差分时钟上升时间
差分时钟下降时间
LVDS电平测试电路
OUT
符号
t
r
t
f
条件
R
L
= 100
C
L
= 10 pF的
(见图)
分钟。
0.2
0.2
典型值。
0.7
0.7
马克斯。
1.0
1.0
单位
ns
ns
LVDS转换电路测试
OUT
50
C
L
= 10pF的
V
OD
V
OS
V
差异
R
L
= 100
50
C
L
= 10pF的
OUT
OUT
LVDS Transistion时间波形
OUT
0V (差分)
OUT
80%
V
差异
20%
0V
80%
20%
t
R
t
F
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低相位噪声的LVDS压控石英振荡器( 27MHz时为65MHz的)
特点
27MHz时为65MHz的基本模式晶体。
输出范围: 27MHz的 - 65MHz的。
互补的LVDS输出。
可选OE逻辑(启用高或启用低) 。
集成的可变电容器。
高线性度拉: < 5 % 。
+/- 125 ppm的范围拉
支持2.5V或3.3V电源。
可提供裸片形式。
厚度为10密耳。
模具结构
57.5万
VDDOSC
OSCOFF
OESEL
V
N / C
N / C
(1460,1435)
GNDOSC
VCON
XIN
18
17
16
15
14
13
12
VDDANA
VDDBUF
VDDBUF
PECLBAR
PECL
GNDBUF
19
11
20
10
9
8
56.5万
XOUT
OE
21
7
22
1
2
3
4
5
6
GNDOSC
GNDANA
GNDANA
VCON
GNDBUF
Y
(0,0)
说明
P521-49是一VCXO的集成电路专门设计的拉
高频基波晶体。其内部
变容二极管允许片上频率牵引,
由VCON输入控制。该芯片提供了一个
低相位噪声,低抖动LVDS差分时钟
输出。
X
DIE规格
名字
SIZE
背面
焊盘尺寸
厚度
价值
56.5 X 57.5万
GND
80微米×80微米
10 MIL
框图
OE
VCON
振荡器
X+
X-
Q
Q
输出使能逻辑选择
OESEL
(垫# 14 )
0(默认)
OECTRL
(垫# 22 )
0
1(默认)
0(默认)
1
状态
三州
输出启用
输出启用
三州
扩音器
w/
集成
变容二极管
P521-49
1
垫# 14 , 22 :邦德至GND,设置为“0” ,债券为VDD设置为“ 1 ”
无连接的结果为“默认”,通过内部上拉/降压设置。
垫# 22 :通过CMOS V定义的逻辑状态
I H
和V
I L
的水平。
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GNDBUF
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初步
P521-49
低相位噪声的LVDS压控石英振荡器( 27MHz时为65MHz的)
PAD转让和说明
垫#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
VCON
GNDOSC
GNDANA
GNDANA
GNDBUF
GNDBUF
GNDBUF (可选)
LVDS
LVDSBAR
VDDBUF (可选)
X( μ M)
329.6
498.3
696.2
825.0
973.6
1150.0
1183.6
1183.6
1183.6
1182.4
Y( μ M)
110.1
110.0
110.0
110.0
110.0
109.1
302.2
452.3
613.5
745.9
描述
控制电压输入。使用此引脚改变
输出频率,通过改变所施加的控制
电压。
GND连接振荡器电路。
GND连接的模拟电路。
GND连接的模拟电路。
接地连接输出缓冲电路。
接地连接输出缓冲电路。
接地连接输出缓冲电路。
PECL输出
PECL互补输出。
VDD连接的输出缓冲电路。
VDDBUF应与其他被单独分离
VDDS只要有可能。
VDD连接的输出缓冲电路。
VDDBUF应与其他被单独分离
VDDS只要有可能。
VDD连接的模拟电路。
VDDANA应与其他被单独分离
VDDS只要有可能。
选择输入要选择的OE控制逻辑。看
表第1页。
VDD连接振荡器电路。
VDDOSC应与其他被单独分离
VDDS只要有可能。
振荡器关选择输入板。当低,转弯
关闭振荡器输出时被禁止。当高
(默认值) ,振荡器运行时,输出被禁止。
内部上拉
GND连接振荡器电路。
控制电压输入。使用此引脚改变
输出频率,通过改变所施加的控制
电压(内部连接到垫1 ) 。
晶体振荡器的输入键盘。
晶体振荡器的输出焊盘。
OE输入板。请参阅第1页上的表。
11
VDDBUF
1252.4
903.6
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
VDDANA
未使用
OESEL
VDDOSC
未使用
OSCOFF
GNDOSC (可选)
VCON
XIN
XOUT
OECTRL
1252.4
1058.5
864.5
624.0
467.1
271.1
109.4
108.9
109.0
108.6
108.6
1081.3
1221.6
1221.6
1222.7
1222.6
1222.6
1222.9
1062.1
865.8
358.4
146.5
注意:为最佳的相位噪声性能,建议粘结所有可选VDD和GND焊盘。
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初步
P521-49
低相位噪声的LVDS压控石英振荡器( 27MHz时为65MHz的)
电气规格
1.绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压, DC
输出电压,直流
储存温度
工作环境温度
结温
焊接温度(焊接, 10秒)
输入静电放电电压保护
符号
V
DD
V
I
V
O
T
S
T
A
T
J
分钟。
V
SS
-0.5
V
SS
-0.5
-65
0
马克斯。
7
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
150
70
125
260
2
单位
V
V
V
°C
°C
°C
°C
kV
超出长时间最大额定值所指明的限制条件下的曝光装置的可能会造成永久性的损坏
装置,并影响了产品的可靠性。这些条件表示在这些或任何其它的应力只等级,并且该器件的功能性操作
上述本说明书中提到的操作限制条件是不是暗示。
2.水晶规格
参数
晶体谐振器频率
水晶装载评级
极间电容
水晶Pullability
推荐ESR
符号
F
XIN
C
L( XTAL )
C
0
C
0
/C
1 ( XTAL )
R
E
AT切割
AT切割
条件
水货基本模式
死在VCON = 1.65V
分钟。
27
典型值。
马克斯。
65
单位
兆赫
pF
7.5
3.5
250
30
pF
-
3.电压控制晶体振荡器
参数
VCXO稳定时间*
VCXO的调谐范围
CLK输出pullability
片内变容二极管控制范围
线性
VCXO的调谐特性
VCON输入阻抗
VCON调制带宽
0V
≤
VCON
≤
3.3V , -3dB
25
符号
T
VCXOSTB
条件
从电源有效
XTAL
0
/C
1
& LT ; 250
0V
≤
VCON
≤
3.3V
室温
VCON = 0 3.3V
分钟。
250*
典型值。
10
马克斯。
单位
ms
PPM
±80*
4 – 18*
4*
65
60
5*
PPM
pF
%
PPM / V
k
千赫
注意:
带星号( * )的参数代表的名义特征数据,并没有生产测试,以任何特定的限制。
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低相位噪声的LVDS压控石英振荡器( 27MHz时为65MHz的)
4.通用电气规格
参数
电源电流(负载输出)
输出有效启用后, OE
工作电压
输出时钟占空比
短路电流
V
DD
@ 1.25V ( LVDS )
符号
I
DD
条件
在3.3V @ 61.44MHz
振荡器关闭
振荡器
分钟。
典型值。
10
马克斯。
40
单位
mA
ms
V
%
mA
1
2.25
45
50
±50
3.63
55
5.抖动规范
参数
周期抖动均方根为61.44MHz
周期抖动峰 - 峰值在61.44MHz
累计RMS抖动在61.44MHz
累积抖动的峰 - 峰值在61.44MHz
随机抖动
集成RMS抖动在61.44MHz
测量韦夫克雷斯特SIA 3000
条件
在61.44MHz ,与电容
VDD和GND之间的解耦。
超过10,000次
在61.44MHz ,与电容
VDD和GND之间的解耦。
超过100万次。
在韦夫克雷斯特SIA 3000测量“ RJ ”
集成12千赫至20兆赫
分钟。
典型值。
2.5
18.5
2.5
24
2.5
0.6
马克斯。
20
单位
ps
27
ps
ps
0.75
ps
6.相位噪声指标
参数
相位噪声
相对于运营商
频率
61.44MHz
10Hz
-75
100Hz
-100
1kHz
-125
10kHz
-140
100kHz
-145
1MHz
-150
单位
dBc的/赫兹
测量VCON = 0V相位噪声:注
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转04年3月2日第4页
初步
P521-49
低相位噪声的LVDS压控石英振荡器( 27MHz时为65MHz的)
7. LVDS电气特性
参数
输出电压差
V
DD
幅度变化
输出高电压
输出低电压
失调电压
偏移幅度变化
关机泄漏
输出短路电流
符号
V
OD
V
OD
V
OH
V
OL
V
OS
V
OS
I
OXD
I
OSD
条件
分钟。
247
-50
典型值。
355
马克斯。
454
50
单位
mV
mV
V
V
V
mV
uA
mA
R
L
= 100
(见图)
1.4
0.9
1.125
0
1.1
1.2
3
±1
-5.7
1.6
1.375
25
±10
-8
V
OUT
= V
DD
或GND
V
DD
= 0V
8. LVDS开关特性
参数
差分时钟上升时间
差分时钟下降时间
LVDS电平测试电路
OUT
符号
t
r
t
f
条件
R
L
= 100
C
L
= 10 pF的
(见图)
分钟。
0.2
0.2
典型值。
0.7
0.7
马克斯。
1.0
1.0
单位
ns
ns
LVDS转换电路测试
OUT
50
C
L
= 10pF的
V
OD
V
OS
V
差异
R
L
= 100
50
C
L
= 10pF的
OUT
OUT
LVDS Transistion时间波形
OUT
0V (差分)
OUT
80%
V
差异
20%
0V
80%
20%
t
R
t
F
47745弗里蒙特大道,弗里蒙特,加利福尼亚州94538电话:( 510 ) 492-0990传真:( 510 ) 492-0991
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