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NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
D
P50N02LD
TO- 252 (D PAK )
产品概述
V
( BR ) DSS
25
R
DS ( ON)
12mΩ
I
D
55A
G
S
1.门
2.漏
3.源
绝对最大额定值(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩电流
雪崩能量
重复性雪崩能量
功耗
2
1
符号
V
GS
范围
±20
55
38
150
36
250
8.6
80
41
-55到150
275
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
I
AR
A
L = 0.1mH
L = 0.05mH
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
E
AS
E
AR
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
mJ
W
工作结&存储温度范围
焊接温度( /
16
“从案例10秒。 )
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
1
2
1
°C
符号
R
θJC
R
θJA
R
θCS
典型
最大
2.5
65
单位
C / W
0.7
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
1%
电气特性(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ,T
C
= 125 °C
25
0.8
1.2
2.5
±250
25
250
nA
A
V
范围
单位
最小典型最大
1
MAY-24-2001
NIKO -SEM
1
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
I
D(上)
R
DS ( ON)
1
P50N02LD
TO- 252 (D PAK )
通态漏电流
漏极 - 源极导通状态
1
阻力
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 7V ,我
D
= 20A
V
GS
= 10V ,我
D
= 30A
V
DS
= 15V ,我
D
= 40A
动态
55
13
12
16
16
15
A
S
正向跨导
g
fs
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
1400
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
380
200
40
V
DS
= 0.5V
( BR ) DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 30A
12
25
9
V
DS
= 15V ,R
L
= 1Ω
I
D
35A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 2.5Ω
150
20
30
nS
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2
2
导通延迟时间
上升时间
t
D(上)
t
r
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
t
D(关闭)
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25 °C)
连续电流
脉冲电流
3
1
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM ( REC )
Q
rr
I
F
= I
S
, DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
70
200
0.043
55
170
1.3
A
V
nS
A
C
正向电压
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
脉冲测试:脉冲宽度
300
微秒,
占空比
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注:标有“ P50N02LD ” ,日期代码或批号的产品
2
MAY-24-2001
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P50N02LD
TO- 252 (D PAK )
TO- 252 ( DPAK )机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
9.35
2.2
0.48
0.89
0.45
0.03
6
典型值。
马克斯。
10.1
2.4
0.6
1.5
0.6
0.23
6.2
H
I
J
K
L
M
N
6.4
5.2
0.6
0.64
4.4
分钟。
典型值。
0.8
6.6
5.4
1
0.9
4.6
马克斯。
mm
3
MAY-24-2001
NIKO -SEM
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
D
P50N02LD
TO- 252 (D PAK )
产品概述
V
( BR ) DSS
25
R
DS ( ON)
12mΩ
I
D
55A
G
S
1.门
2.漏
3.源
绝对最大额定值(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数/测试条件
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩电流
雪崩能量
重复性雪崩能量
功耗
2
1
符号
V
GS
范围
±20
55
38
150
36
250
8.6
80
41
-55到150
275
单位
V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
I
DM
I
AR
A
L = 0.1mH
L = 0.05mH
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
E
AS
E
AR
P
D
T
j
, T
英镑
T
L
mJ
W
工作结&存储温度范围
焊接温度( /
16
“从案例10秒。 )
热电阻额定值
热阻
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
1
2
1
°C
符号
R
θJC
R
θJA
R
θCS
典型
最大
2.5
65
单位
C / W
0.7
脉冲宽度有限的最高结温。
占空比
1%
电气特性(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
符号
测试条件
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V ,T
C
= 125 °C
25
0.8
1.2
2.5
±250
25
250
nA
A
V
范围
单位
最小典型最大
1
MAY-24-2001
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1
N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
I
D(上)
R
DS ( ON)
1
P50N02LD
TO- 252 (D PAK )
通态漏电流
漏极 - 源极导通状态
1
阻力
V
DS
= 10V, V
GS
= 10V
V
GS
= 7V ,我
D
= 20A
V
GS
= 10V ,我
D
= 30A
V
DS
= 15V ,我
D
= 40A
动态
55
13
12
16
16
15
A
S
正向跨导
g
fs
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
2
2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
2
1400
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
380
200
40
V
DS
= 0.5V
( BR ) DSS
, V
GS
= 10V,
I
D
= 30A
12
25
9
V
DS
= 15V ,R
L
= 1Ω
I
D
35A ,V
GS
= 10V ,R
GS
= 2.5Ω
150
20
30
nS
nC
pF
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
2
2
导通延迟时间
上升时间
t
D(上)
t
r
打开-O FF延迟时间
下降时间
2
2
t
D(关闭)
t
f
源极 - 漏极二极管额定值和特性(T
C
= 25 °C)
连续电流
脉冲电流
3
1
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM ( REC )
Q
rr
I
F
= I
S
, DL
F
/ DT = 100A /
S
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V
70
200
0.043
55
170
1.3
A
V
nS
A
C
正向电压
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
1
2
脉冲测试:脉冲宽度
300
微秒,
占空比
2%.
独立的工作温度。
3
脉冲宽度有限的最高结温。
备注:标有“ P50N02LD ” ,日期代码或批号的产品
2
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N沟道逻辑电平增强
型场效应晶体管
P50N02LD
TO- 252 (D PAK )
TO- 252 ( DPAK )机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
9.35
2.2
0.48
0.89
0.45
0.03
6
典型值。
马克斯。
10.1
2.4
0.6
1.5
0.6
0.23
6.2
H
I
J
K
L
M
N
6.4
5.2
0.6
0.64
4.4
分钟。
典型值。
0.8
6.6
5.4
1
0.9
4.6
马克斯。
mm
3
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    P50N02LD
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    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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12600
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原装正品
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联系人:张女士
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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全新原装正品/质量有保证
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
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15360
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联系人:刘先生
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联系人:刘先生
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