P4SMA系列
威世通用半导体
表面贴装牛逼
RANS
Z
ORB
瞬态电压抑制器
特点
薄型封装
适合自动放置
玻璃钝化结
提供单向和双向
用400瓦峰值脉冲功率能力
10/1000微秒波形，重复率（税
周期） ：0.01％ （300W以上91 V）的
出色的钳位能力
非常快的响应时间
低增量浪涌电阻
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
使用针对敏感的电子设备保护
诱发感性负载开关电压瞬变
和照明的集成电路，MOSFET的信号线
传感器单元用于消费，计算机，工业和
电信。
机械数据
案例：
DO- 214AC （ SMA）的
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，高可靠性/
汽车级（ AEC Q101标准）
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验， HE3
后缀符合JESD 201级2晶须测试
极性：
对于单向类型的频带为
阴极月底，双向类型没有任何标记
DO- 214AC （ SMA）的
主要特征
V
BR
单向
V
BR
双向
P
PPM
P
D
I
FSM
（单向只）
T
J
马克斯。
6.8 V至540 V
6.8 V至220 V
400 W, 300 W
3.3 W
40 A
150 °C
用于双向应用的器件
对于双向器件使用CA后缀（例如
P4SMA10CA).
电特性的应用中是双向的。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值功耗与10/1000微秒波形
(1)(2)
（图1）的
峰值脉冲电流具有10/1000微秒
波形
(1)
（图3）的
符号
P
PPM
I
PPM
P
D
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
400
看下表
3.3
40
- 65至+ 150
单位
W
A
W
A
°C
在无限的散热器，T功耗
A
= 50 °C
只有峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波单向
(2)
工作结存储温度范围
注意事项：
（1）非重复性的电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额
A
= 25 ℃，每图。 2.等级是300瓦以上91 V
（2）装在0.2× 0.2" （ 5.0× 5.0毫米）铜焊盘给各终端
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1
P4SMA系列
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
设备
记号
CODE
UNI
P4SMA6.8A
P4SMA7.5A
P4SMA8.2A
P4SMA9.1A
P4SMA10A
P4SMA11A
P4SMA12A
P4SMA13A
P4SMA15A
P4SMA16A
P4SMA18A
P4SMA20A
P4SMA22A
P4SMA24A
P4SMA27A
P4SMA30A
P4SMA33A
P4SMA36A
P4SMA39A
P4SMA43A
P4SMA47A
P4SMA51A
P4SMA56A
P4SMA62A
P4SMA68A
P4SMA75A
P4SMA82A
P4SMA91A
P4SMA100A
P4SMA110A
P4SMA120A
P4SMA130A
P4SMA150A
P4SMA160A
P4SMA170A
P4SMA180A
P4SMA200A
P4SMA220A
P4SMA250A
P4SMA300A
P4SMA350A
P4SMA400A
P4SMA440A
P4SMA480A
P4SMA510A
P4SMA540A
注意事项：
（ 1 ）脉冲测试：吨
p
≤
50毫秒
（2 ）浪涌每图的电流波形。 3 ，每个图减免。 2
（ 3 ）所有的术语和符号与ANSI / IEEE CA62.35一致
（ 4 ）对于双向型与V
R
10伏及以下时，我
D
限制一倍
(5) V
F
= 3.5 V ，在我
F
= 25 A（单向只）
6V8A
7V5A
8V2A
9V1A
10A
11A
12A
13A
15A
16A
18A
20A
22A
24A
27A
30A
33A
36A
39A
43A
47A
51A
56A
62A
68A
75A
82A
91A
100A
110A
120A
130A
150A
160A
170A
180A
200A
220A
250A
300A
350A
400A
440A
480A
510A
540A
BI
6V8C
7V5C
8V2C
9V1C
10C
11C
12C
13C
15C
16C
18C
20C
22C
24C
27C
30C
33C
36C
39C
43C
47C
51C
56C
62C
68C
75C
82C
91C
100C
110C
120C
130C
150C
160C
170C
180C
200C
220C
-
-
-
-
-
-
-
-
击穿
电压
V
BR
在我
T (1)
分钟。
6.45
7.13
7.79
8.65
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19.0
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95.0
105
114
124
143
152
162
171
190
209
237
285
333
380
418
456
485
513
马克斯。
7.14
7.88
8.61
9.55
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21.0
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41.0
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
86.1
95.5
105
116
126
137
158
168
179
189
210
231
263
315
368
420
462
504
535
567
TEST
对峙
当前
电压
I
T
V
WM
(V)
（MA ）
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
5.80
6.40
7.02
7.78
8.55
9.40
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
20.5
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53.0
58.1
64.1
70.1
77.8
85.5
94.0
102
111
128
136
145
154
171
185
214
256
300
342
376
408
434
459
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D (4)
(A)
1000
500
200
50.0
10.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
最大
PEAK
脉冲
当前
I
PPM （2）
(A)
38.1
35.4
33.1
29.9
27.6
25.6
24.0
22.0
18.9
17.8
15.9
14.4
13.1
12.0
10.7
9.7
8.8
8.0
7.4
6.7
6.2
5.7
5.2
4.7
4.3
3.9
3.5
3.2
2.2
2.0
1.8
1.7
1.4
1.4
1.3
1.2
1.1
0.90
0.87
0.73
0.62
0.55
0.50
0.46
0.43
0.41
最大
最大
夹紧
温度
电压
V的
BR
在我
PPM
(%/°C)
V
C
(V)
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
33.2
37.5
41.4
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77.0
85.0
92.0
104
113
125
137
152
165
179
207
219
234
246
274
328
344
414
482
548
602
658
698
740
0.057
0.061
0.065
0.068
0.073
0.075
0.078
0.081
0.084
0.086
0.089
0.090
0.092
0.090
0.096
0.097
0.098
0.099
0.100
0.101
0.101
0.102
0.103
0.104
0.104
0.105
0.105
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.106
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.110
0.110
0.110
0.110
0.110
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产品型号
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P4SMA系列
威世通用半导体
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
热阻，结到环境
热阻，结到信息
注意：
（ 1 ）安装在最小建议焊盘布局
空气
(1)
符号
R
θJA
R
θJL
价值
120
30
单位
° C / W
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
P4SMA6.8A-E3/61
P4SMA6.8A-E3/5A
P4SMA6.8AHE3/61
(1)
P4SMA6.8AHE3/5A
(1)
单位重量（g ）
0.064
0.064
0.064
0.064
首选包装代码
61
5A
61
5A
基地数量
1800
7500
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
100
150
不重复
脉冲
波形
示于图。 3
T
A
= 25 °C
10
P4SMA6.8A -
P4SMA91A
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
(t
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到50
%
我
PPM
I
PPM
- 峰值脉冲电流，
%
I
RSM
P
PPM
- 峰值脉冲功率（kW ）
t
r
= 10
s
PEAK
价值
I
PPM
100
P4SMA100A -
P4SMA220A
1
半
价值
- I
PP
2
I
PPM
50
10/1000
μs的波形
定义
by
R.E.A.
0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
0.1
0.1
s
1.0
s
10
s
100
s
1.0毫秒
10毫秒
t
d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
t
d
- 脉冲
宽度
(s)
吨 - 时间（ms ）
图1.额定峰值脉冲功率曲线
图3.脉冲波形
峰值脉冲功率（P
PP
）或电流（I
PP
)
降容的百分比，
%
100
10 000
75
C
J
- 结电容（pF ）
1000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
在测
对峙
电压V
WM
单向
50
100
25
双向
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
10
1
10
100
200
T
J
- 初始温度（ ℃）
V
BR
- 击穿
电压
(V)
图2.脉冲功率或电流与初始结温
图4.典型结电容
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3
P4SMA系列
威世通用半导体
1000
200
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
峰值正向浪涌电流（ A）
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
100
100
50
10
1
0.001
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
1
5
10
50
100
t
p
- 脉冲持续时间（ S）
数
环，在60赫兹的
图5.典型的瞬态热阻抗
图6.最大非重复正向浪涌电流
只有单向
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AC （ SMA）的
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.074 (1.88)
马克斯。
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
分钟。
0.208 (5.28)
REF 。
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.203)
0 (0)
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
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